A study of GaN MOSFETs with atomic-layer-deposited Al2O3 as the gate dielectric

Accumulation-type GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with atomic-layer-deposited Al₂O₃ gate dielectrics are fabricated. The device, with atomic-layer-deposited Al₂O₃ as the gate dielectric, presents a drain current of 260 mA/mm and a broad maximum transconductance of 34 mS/mm, which are better than those reported previously with Al₂O₃ as the gate dielectric. Furthermore, the device shows negligible current collapse in a wide range of bias voltages, owing to the effective passivation of the GaN surface by the Al₂O₃ film. The gate drain breakdown voltage is found to be about 59.5 V, and in addition the channel mobility of the n-GaN layer is about 380 cm²/Vs, which is consistent with the Hall result, and it is not degraded by atomic-layer-deposition Al₂O₃ growth and device fabrication.     

用束流位置监测器测量上海光源束流寿命

通过理论分析研究了电磁耦合型束流位置探测器（BPM）用于束流寿命测量的可行性,并在上海光源储存环上进行了束流实验,对其性能进行了评估。实验结果表明,与目前常用的直流流强变压器（DCCT）系统相比,BPM给出的束流寿命具有更高的带宽和分辨力,有利于进行不同时间尺度的束流寿命评估,而且可以通过多个平均的方式来进一步提高测量精度。     

Yb3+/Ho3+/Tm3+共掺碲酸盐玻璃的上转换白光发射及其机理研究

采用高温熔融法分别制备了Yb3+/Ho3+,Yb3+/Tm3+和Yb3+/Ho3+/Tm3+共掺的碲酸盐玻璃。在980nm红外激光激发下,Yb3+/Ho3+/Tm3+共掺的玻璃样品显示了强的蓝光、绿光和红光发射,分别对应于Tm3+的1 G4→3 H6跃迁、Ho3+的5 F4(5 S2)→5I 8跃迁以及Ho3+的5 F5→5I 8和Tm3+的1 G4→3 F4跃迁。通过对比发现,Yb3+/Ho3+/Tm3+共掺样品中的红、绿光积分发射强度比值(3.95)明显大于Yb3+/Ho3+共掺样品(1.69),这是由于Ho3+和Tm3+间存在交叉弛豫过程3 H4(Tm3+)+5I 6(Ho3+)→3 F4(Tm3+)+5 F5(Ho3+)和3 F4(Tm3+)+5I 8(Ho3+)→3 H6(Tm3+)+5I 7(Ho3+)所致。在激发功率密度为8.2 W.cm-2时,Yb3+/Ho3+/Tm3+共掺样品的上转换发光色坐标值为x=0.345,y=0.338,非常接近于等能白光(x=0.333,y=0.333)。     

Performance of La2O3/InAlN/GaN metal—oxide—semiconductor high electron mobility transistors

We report on the performance of La2O3/InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors(MOSHEMTs) and InAlN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs).The MOSHEMT presents a maximum drain current of 961 mA/mm at Vgs = 4 V and a maximum transconductance of 130 mS/mm compared with 710 mA/mm at Vgs = 1 V and 131 mS/mm for the HEMT device,while the gate leakage current in the reverse direction could be reduced by four orders of magnitude.Compared with the HEMT device of a similar geometry,MOSHEMT presents a large gate voltage swing and negligible current collapse.     

Vertical assembly of carbon nanotubes for via interconnects

The via interconnects are key components in ultra-large scale integrated circuits(ULSI).This paper deals with a new method to create single-walled carbon nanotubes(SWNTs) via interconnects using alternating dielectrophoresis(DEP).Carbon nanotubes are vertically assembled in the microscale via-holes successfully at room temperature under ambient condition.The electrical evaluation of the SWNT vias reveals that our DEP assembly technique is highly reliable and the success rate of assembly can be as high as 90%.We also propose and test possible approaches to reducing the contact resistance between CNT vias and metal electrodes.     

海杂波背景下小目标检测的分形方法

针对海杂波背景下小目标检测对海情依赖性强的问题, 本文采用分数布朗运动模型对实测海杂波建模, 结合多重分形去势波动分析法确定分形参数, 分析了海杂波的单尺度、多重分形特性. 在单尺度分形的基础上, 利用表征海杂波分形特征的分数维和Hurst指数构建了分形差量, 提出了基于分形差量的小目标检测方法;在多重分形基础上, 比较了两种海杂波的高尺度多重分形特性. 结果表明, 当尺度q > 10时, 纯海杂波的多重分形参数H(q) < 0, 而存在小目标的H(q) > 0, 此差异性为高尺度分形参数的海杂波背景小目标检测提供了判定依据. 所研究的两种方法均能实现不同海情下的小目标检测.     

CuAg纳米结构表面共存和Ag表面对甘氨酸的新吸附行为

在异质纳米结构表面发生的新现象是当前研究的热点.最近发现，尽管甘氨酸在纯Ag表面只 能作物理吸附，蒸镀在Cu表面的单层Ag岛却能在Cu的帮助下，出现对甘氨酸作化学吸附的能力，这种现象是溢流效应的一种反映.蒸镀在Ag表面的Cu岛也能帮助附近裸露的Ag表面获得 化学吸附甘氨酸的能力，虽然这里已不是单原子层的银了.结果说明这种溢流现象来源于CuA g在表面的纳米结构共存，而不只是这种共存的某个结构所特有的.但是，由于Cu的表面能大 于Ag，所以即使是在室温下，Cu岛也会逐渐地被一单层Ag原子完全覆盖，从而失去溢 关键词： 溢流 甘氨酸 Cu Ag(111)     

Top介子在高能正负电子对撞机上的产生

在顶色辅助的人工色(TC2)模型框架下,研究了中性top介子和顶夸克的联合产生过程e+e–→ttπ0t.结果显示此过程的产生截面比标准模型和最小超对称标准模型中e+e–→ttH过程的产生截面都要大.在TC2模型合理的参数空间内,其产生截面可达20fb.通过此过程可在将来的对撞机上探测中性top介子.     

含[V2M6S6O2](M＝Cu,Ag)簇骼单元的八核簇合物的分子结构和谱学性质

报道了两个「Ｖ２Ｍ６Ｓ６Ｏ」（Ｍ＝Ｃｕ,Ａｇ）八核簇合物的合成和分子结构,讨论了它们的约外光谱,＾５１ＶＮＭＲ和电子光谱,采用动态红外光谱跟踪技术探讨「Ｖ２Ｃｕ６Ｓ６Ｏ２」簇合物的成簇机理。     

空间编码与灰度投影相结合实现高效3-D形貌测量的研究

介绍了一种结合空间编码与灰度投影来实现高效三维形貌测量的方法。用空间编码完成对被测空间的粗略编码,用灰度投影完成精确编码,将它们结合起来得到被测物体表面丰富的编码信息,作为一种基于三角法的三维形貌测量方法,能够在物体表面非常不连续和外部光照造成的背景光强分布不确定的情况下工作良好。同时,与传统的空间编码方法相比,它大大提高了空间编码的效率。实验表明,该方法用５ 幅图像取得了与灰度码１０幅图像相当的测量结果。