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121.
单掺Rb+和Cs+的KTP晶体生长及其电导率
常新安
臧和贵
陈学安
肖卫强
张书峰
《人工晶体学报》
2007,36(5):1052-1055
采用高温溶液降温法在掺质浓度均为5mol;的KTP-K4溶液中分别生长了单掺Rb+和Cs+的KTP晶体,发现掺质改变了晶体生长习性,在相应生长体系中掺质Rb+和Cs+的分配系数分别为O.646和0.08,掺质KTP晶体的晶胞参数a0和b0比纯KTP晶体者略有增长.通过掺Rb+或Cs+,KTP晶体的c向电导率明显降低,但晶体在350~1100nm范围内的光透过性质未受影响.
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