电子碰撞诱导原子从低激态向高激态弛豫

本文根据空心阴极放电中电子能量分布的物理图象,分析了原子从低激态向高激态弛豫的可能途径。建立高低激态集居数密度增量的关系。讨论高激态集居数密度增量获得可观量的条件。根据此条件分别选取钠原子的基态3s~2S_(1/2)和铜原子的亚稳态4s~2D_(3/2)为与激光共振的下能级,并激发具有较大自发发射几率的3s~2S_(1/2)→3p~2P°_(1/2)(和3p~2P°_(3/2))和4s~2D_(3/2)→4p~2P°_(1/2)跃迁,在远离上能级的高激态上观测到敏化荧光,并精确测得这些态的自发发射系数比值,而在更高激态上没有观测到敏化荧光,表明讨论中提出的条件是合理的。     

对数态Tavis-Cummings模型中辐射场的非经典性

本文研究了任意初态的双光子Tavis-Cummings模型的演化规律,作为例子,讨论了初始时刻两个原子均处于基态而光场为对数态时场的压缩效应,光子的聚束和反聚束效应.     

超短光脉冲作用下的二能级原子

考虑到光场的振幅随时间分布的影响时,我们重新研究了光场与二能级原子相互作用的跃迁几率问题。在强光信号作用下,经过一定的数学代换后,上能级几率的求解可归结为类希尔方程求解;在弱光信号作用下,利用转动波近似(RWA),给出了二能级原子跃迁几率的解析表达式,并讨论了几种典型脉冲光场的分布。     

高阶色散下啁啾孤子的演化特性

本文解析地研究初始注入光纤的带啁啾Sech形脉冲(1≠N<3/2)的演化特性。在文献5的基础上,主要利用变分原理,同时把高阶色散项作为摄动项,近似求解了脉冲振幅、脉宽以及频率啁啾参数随传输距离的演化方程。结果表明,高阶色散有助于光纤中渐近孤子的形成。     

优质GaAs/Si和AlGaAs/Si材料的MOCVD生长研究

用自制常压MOCVD装置,在Si衬底上生长GaAs和AlGaAs外延层,在高温去除Si衬底表面氧化膜之后,采用两步法,即低温生长过渡层,再提高温度生长外延层。得到了表面镜面光亮的优质GaAs和AlGaAs外延层。X射线双晶衍射仪测试GaAs外延层,其回摆曲线半峰宽是200孤秒,GaAs和AlGaAs外延层在77K温度下,PL谱半峰宽分别是17meV和24meV。     

激光等离子体能量角分布及吸收定标律

主要研究激光平面靶等离子体发射能量角分布及吸收定标律。实验利用高斯型1.06μm激光脉冲,其能量为2～50J,脉冲宽度为0.3～2.2ns,靶面平均辐照强度为1.8×1013～1.1x10~(15)W/cm~2,光束以25°角入射。实验采用了Au、Ag、Ti、Al和C_8H_8等厚靶。用等离子体卡计测量靶面吸收的激光能量。用指数函数拟合实验数据,给出了吸收效率分别作为激光强度、脉冲宽度和靶材料原子序数的函数的定标关系式。这些关系式定性地与逆轫致吸收的理论关系式相一致。     

远红外契伦柯夫FEL的动力学理论

契伦柯夫自由电子激光可以产生远红外相干受激辐射。本文建立了契伦柯夫自由电子激光的动力学理论并详细研究了初始信号频率,电子束电压和束—介质膜间隙对器件性能的影响。与自由电子激光,回旋自谐振脉塞比较,指出了短波契伦柯夫自由电子激光的几个显著特点。     

超软X射线流气式正比计数管

介绍了一种用于测量183～933eV超软X射线的圆柱形、侧窗式、流气式正比计数管,工作气体是0.11MPa的P-10气体或氦气-丙烷混合气体。计数管内径为φ25mm,直径为φ0.3mm的入射窗是由厚度80～90μgcm~2聚乙烯甲醛制成的。该计数管的特点:(1)薄窗,对软X射线透过率高。(2)流气式,工作寿命长。(3)能量分辨率好。(4)计数率高(1×10~(14)个/s)。(5)可测能区宽(0.183～10keV)。(6)可以方便更换窗膜材料、厚度及窗口直径。近几年来该计数管已经为高强度低能X光源提供较好监测。     

电子束相空间分布效应的三维计算

在386微机上建立了长脉冲单模的三维放大器数值模拟程序3DFEL,每个单程只需20分钟。模拟计算得出:(1)发射度对输出功率的影响几乎是指数式的。(2)电子相空间形状(相同发射度)对输出功率的重大影响主要表现为两方面:(a)不同相空间形状,等效能散度是不同的,(b)电子束包络和光场包络匹配关系。(3)非理想入射(偏入射和斜入射)超出一定范围之后将引起输出功率的指数下降。     

类He的Y离子双电子复合计算

采用准相对论的多组态Hartree-Fock(HFR)方法计算了类Li的Y离子(Z=39)的能级和振子强度,并且通过采用扭曲波方法计算自由电子的波函数,我们得到了由类He的基态到类Li的双激发态的自电离几率和双电子复合系数。在计算中,相对论质量—速度和Darwin修正都包含在哈密顿中。为了便于等离子体细致能级占据数密度的动力学计算,我们用一个解析表达式来表示作为自由电子温度函数的双电子复合速率系数,这个表达式精确地描写了从类He的基态到类Li的单激发态的双电子复合。