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191.
就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究,并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结,其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内,隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求.
关键词:
磁性隧道结
隧穿磁电阻
磁随机存储器
4英寸热氧化硅衬底 相似文献
192.
The Monte Carlo ray-tracing method (MCRT) based on the concept of radiation distribution factor is extended to solve radiative heat transfer problem in turbulent fluctuating media under the optically thin fluctuation approximation. A one-dimensional non-scattering turbulent fluctuating media is considered, in which the mean temperature and absorption coefficient distribution are assumed and the shape of probability density function is given. The distribution of the time-averaged volume radiation heat source is solved by MCRT and direct integration method. It is shown that the results of MCRT based on the concept of radiation distribution factor agree with these of integration solution very well, but results of MCRT based on the concept of radiative transfer coefficient do not agree with these of integration solution. The solution of time-averaged radiative transfer equation by the concept of radiative transfer coefficient should be treated with caution. 相似文献
193.
L. J. Qin X. L. Meng Ch. L. Du L. Zhu B. Ch. Xu H. Zh. Xu F. Y. Jiang Z. Sh. Shao 《Optics & Laser Technology》2004,36(1):47-50
We have demonstrated a passively Q-switched operation of Nd:GdVO4 laser in which a GaAs crystal is used as the saturable absorber for the first time as far as we know. A maximum average output power of 1.64 W was obtained at an incident pump power of 12 W, the corresponding optical conversion efficiency and peak power were 13.7% and 116.8 W, respectively. The maximum peak energy obtained in the experiment by 50% transmission couple was 19 μJ. 相似文献
194.
We examine the ferroelectric-relaxor behavior of (Ba0.65Sr0.35)(Zr0.35Ti0.65)O3 (BSZT) ceramics in the temperature range from 80 to 380 K. A broad dielectric maximum, which shifts to higher temperature with increasing frequency, signifies the relaxor-type behavior of these ceramics. The value of the relaxation parameter γ∼2 estimated from the linear fit of the modified Curie-Weiss law, indicates the relaxor nature of the BSZT ceramics. The dielectric relaxation rate follows the Vogel-Fulcher relation with TVF=107 K, Ea=0.121 eV, and ν0=6.83×1014 Hz, further supports such relaxor nature. The slim P-E hysteresis loop and ‘butterfly’ shape dc bias field dependence of permittivity at T>Tm (Tm, the temperature of permittivity maximum) clearly signifies the occurrence of nanopolar clusters, which is the typical characteristic of ferroelectric relaxor. At 300 K and 10 kHz, the dielectric constant and loss tan δ are ∼1100 and 0.0015, respectively. The high tunability (∼25%) and figure of merit (∼130) at room temperature show that the BSZT ceramics could be a promising candidate for tunable capacitor applications. 相似文献
195.
196.
在超高真空分子束外延(MBE)生长技术中,反射式高能电子衍射仪(RHEED)能实时显示半导体和金属外延生长过程,给出薄膜表面结构和平整度的信息,成为MBE必备的原位表面分 析仪.为了研究氧化物薄膜如高温超导(YBa2Cu3O7) 、铁电薄膜(Sr1-xBax TiO3)及它们的同质和异质外延结构的生长机理,获得高质量的符合各种应用 需要的氧化 物多层薄膜结构,在常规的制备氧化
关键词:
高温超导薄膜
RHEED 相似文献
197.
应用广义胞映射方法研究了参激和外激共同作用的Duffing-van der Pol振子的随机分岔.以 系统参数通过某一临界值时,如果系统的随机吸引子或随机鞍的形态发生突然变化,则认为 系统发生随机分岔为定义,分析了参激强度和外激强度的变化对于随机分岔的影响.揭示了 随机分岔的发生主要是由于系统的随机吸引子与系统的随机鞍碰撞产生的.分析表明,广义 胞映射方法是分析随机分岔的有力工具,这种全局分析方法可以清晰地给出随机分岔的发生 和发展.
关键词:
随机分岔
全局分析
广义胞映射方法
随机吸引子
随机鞍 相似文献
198.
采用显微Raman光谱方法对红外目标模拟器中重掺杂Si微电阻桥单元的热传导特性进行研究,根据Si桥的实际特性建立相应的Raman散射模型,通过测量Raman峰位的移动得到高功率激光辐照下测量点的温度.对Si桥桥面分别进行了沿某些特殊线段的逐点线扫描和覆盖全部桥面的面扫描,得到各点的温升及其分布.用基于有限元分析的软件结合Si桥结构参数对各测量点的温升进行了模拟计算,其结果在热导分布的基本趋势上与实验相一致.实验细致地揭示了热导分布的局域起伏,反映出实际器件的不均匀性,为改进器件设计、优化器件性能提供了实验依据.
关键词:
Raman光谱
Si桥
温度分布
热导 相似文献
199.
200.
考虑到量子相干效应和界面散射效应 ,利用 L ambert理论模型 ,计算正常金属 /绝缘层 /超导 /绝缘层 /正常金属双垒隧道结中的准粒子输运系数和隧道谱。研究表明 :( 1)所有的准粒子输运系数和电导谱在超导能隙之上都随能量作周期性振荡 ,其振荡周期依赖于超导层的厚度 ;( 2 )在超导能隙之上 Andreev反射系数随能量呈现周期性消失现象 ;( 3)在绝缘层势垒强度取很大的隧道极限下 ,超导层中会形成一系列的准粒子束缚态 ,其位置由量子化条件决定 ;( 4)界面散射效应不仅能压低各子能隙电导峰 ,还能使子能隙电导峰劈裂为两个峰。 相似文献