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Organic materials of D-π-A type MR-X (MR-1: p-dimethylaminophenylethenetrica-rbonitrile and MR-2: p-diphenylaminophenylethene tricarbonitrile) were designed and synthesized. The device with a sandwich structure shows good rectificative phenomena. The highest rectification ratio 10000 was achieved in device Cu/MR-1/Ag, and about 100 in other device M/MR-X/M (M: Cu, Ag). It has been found that rectificative phenomena exist only in the atmosphere-liquid interface region by means of liquid adsorption, and electric field could help form the oriented molecular film. __________ Translated from Journal of Fudan University (Natural Science), 2005, 44(4) (in Chinese)  相似文献   
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电路过渡过程所列方程是微分方程,本文中采用的是方框图模型分析法,即将微分方程的复杂示解分解成最基本的加(减)、乘(除)、积分(微分)、增益等运算,采用VB设计用户界面产进行计算,并给出了一算例。  相似文献   
96.
间歇式高速同步相机新型全数字化微机控制系统   总被引:2,自引:2,他引:0  
曹剑中  高伟 《光子学报》1997,26(11):1050-1054
本文提出了一种间歇式高速同步相机的全新设计方法,介绍了系统的工作原理,硬件,软件设计以及核心控制算法,最后给出了实际应用结果。  相似文献   
97.
玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光   总被引:4,自引:0,他引:4  
许武  黄世华 《发光学报》1997,18(4):298-300
系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系.  相似文献   
98.
环状连续强激光下光学薄膜的瞬温和热畸变   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
详细研究了非冷却光学薄膜元件在环形激光光束辐照下的瞬态温度分布和随后的热畸变,并且用泰曼干涉仪实际测量了连续波氧碘激光辐照各种非冷却光学元件的热畸变量并与理论计算相比较,分析结果表明理论和实验相一致。  相似文献   
99.
张显斌  施卫 《物理学报》2006,55(10):5237-5241
以MgO:LiNbO3为非线性光学介质,通过采用一种高性能腔反射镜实现了一种85mm短腔长的法布里-珀罗式的光学参量振荡器,产生THz电磁波的实验结果.这种短腔长THz参量振荡器比传统的160mm腔长的振荡阈值降低了22.3%;峰值能量提高了170%;频率调谐范围从0.5—2.4THz提高到0.8—3.1THz.还报道了一种基于平面金属丝网的法布里-珀罗干涉仪测量THz波线宽的实验结果. 关键词: THz电磁波 OPO 非线性光学 3')" href="#">LiNbO3  相似文献   
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四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
卢红亮  徐敏  陈玮  任杰  丁士进  张卫 《物理学报》2006,55(3):1374-1378
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的. 关键词: 密度泛函理论 2(001)')" href="#">t-HfO2(001) 表面电子结构  相似文献   
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