火焰原子吸收光谱法测定饲料级硫酸盐中的铜

建立了火焰原子吸收光谱法测定饲料级硫酸盐中铜的方法,讨论了共存离子的干扰情况.在最佳实验条件下,该方法测定铜的特征浓度为0.019μg/mL,相对标准偏差为0.24％,样品加标回收率为99.2％-105.6％.被分析的饲料级硫酸盐中的共存离子对铜的测定基本无干扰.方法简便、快速,具有较高的准确度和精密度,适合用于饲料级硫酸盐中微量铜的测定.     

Impacts of air pressure on the evolution of nanosecond pulse discharge products

Based on the nonequilibrium plasma dynamics of air discharge, a dynamic model of zero-dimensional plasma is established by combining the component density equation, the Boltzmann equation, and the energy transfer equation. The evolution properties of nanosecond pulse discharge (NPD) plasma under different air pressures are calculated. The results show that the air pressure has significant impacts on the NPD products and the peak values of particle number density for particles such as O atoms, O3 molecules, N2(A3) molecules in excited states, and NO molecules. It increases at first and then decreases with the increase of air pressure. On the other hand, the peak values of particle number density for N2(B3) and N2(C3) molecules in excited states are only slightly affected by the air pressure.     

掺杂对CH样品Rayleigh-Taylor不稳定性增长的影响

在神光II激光装置上进行了辐射驱动不同掺杂样品的单模Rayleigh-Taylor(RT)不稳定性实验.结果显示:与纯碳氢(CH)样品相比,掺Br的CH样品的扰动更早、更快地进入非线性区,产生二次谐波,并且掺Br比例越高,CH样品扰动进入非线性区的时间越早,相同时刻扰动的二次谐波的幅度越高.这是因为密度梯度效应抑制了二次谐波的产生,掺Br比例越高,密度梯度标长越小;同时密度梯度效应还抑制三次谐波对基模增长的负反馈,造成基模具有更大的线性增长,导致线性饱和幅值大于经典值0.1λ.     

黄芩素激发态分子内质子转移耦合电荷转移反应的实验和理论研究

通过稳态光谱实验和量子化学计算相结合,研究了黄芩素激发态质子转移耦合电荷转移的反应. 实验和计算中S₁态吸收峰的缺失表明S₁态是暗态. S₁暗态导致在实验中观察不到黄芩素在乙醇溶液中的荧光峰,且固体的荧光峰很弱. 黄芩素分子的前线分子轨道和电荷差异密度表明S₁态是电荷转移态,然而S₂态是局域激发态. 计算的黄芩素分子的势能曲线在激发态只有一个稳定点,这表明了黄芩素激发态分子内质子转移的过程是一个无     

质子化丙酮分子团簇的结构和振动光谱

用密度泛函B3LYP/ 6 3 1G(d)方法 ,对质子化丙酮分子团簇 (CH3COCH3) nH+ (n =1～ 7)弱相互作用体系进行了全自由度能量梯度优化 ,得到了该系列团簇的稳定结构及其对应的体系能量 .通过对构型的分析得出了质子化丙酮分子团簇 (CH3COCH3) nH+ (n =1～ 7)的生长规律 .计算了中性丙酮分子团簇体系的质子亲合能并总结出其变化趋势 .分析讨论了质子化团簇的红外振动光谱 ,发现质子化团簇的振动光谱普遍较中性环型团簇的振动光谱复杂 ,最强的振动峰来源于质子在溶剂壳中两个氧原子之间的振动 ,而且随着团簇尺寸的增加羰基的伸缩振动峰的数目也随之增多     

椭圆偏振技术研究VHF-PECVD高速沉积微晶硅薄膜的异常标度行为

采用VHF-PECVD技术高速沉积了不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明,沉积气压P_g=300 Pa时,β=0.81,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为.这表明微晶硅薄膜高速生长中还存在其他粗糙化增加的因素,此粗糙化增加的因素与阴影作用有关. 关键词： 微晶硅薄膜 椭偏光谱法 生长机制 表面粗糙度     

四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究

采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO₂)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明，t-HfO₂(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO₂(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次，表面原子的态密度更靠近费米能级(E_F)，价带往低能量处移动，并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO₂表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO₂(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少，表面原子周围的环境发生变化而引起的. 关键词： 密度泛函理论 2(001)')" href="#">t-HfO₂(001) 表面电子结构     

Photoinduced Intramolecular Charge Transfer in Donor-acceptor Dyad and Donor-bridge-acceptor Triad

在fullerene-PBTDP-TPA三体体系中的光诱导的分子内电荷转移的实验基础上,分别利用密度泛函理论和含时密度泛函理论以及结合二维、三维实空分析方法对fullerene、PBTDP-TPA二体以及fullerene-PBTDP-TPA三体的基态和激发态的性质进行了理论研究．二维定点表象揭示了激发情况下电子和空穴的相干情况．三维跃迁矩阵展示了跃迁偶极矩的方向和强度,而且三维电荷差密度给出了光诱导的分子内电荷转移的方向和结果．同时,用二维和三维表象的方法对fullerene-PBTDP-TPA三体中光诱导的分子内电荷转移过程进行了验证,揭示了在给予者-桥-接收者三体分子体系中分子内激发时电荷转移的机制．除此之外,还发现直接从给予者到接收者超交换的分子内电荷转移极大地促进了给予者-桥-接收者三体分子体系内的电荷转移．     

Z箍缩丝阵负载区域的似稳态磁场分布

 将负载区域的电流（丝阵电流、阴极板电流、阳极板电流和回流柱电流）离散成电流线或电流面等电流微元,根据毕奥-萨伐尔定律,计算所有电流微元在指定场点的磁场,再通过叠加给出该点的总磁场。研究结果发现:在丝阵外围区域,仅由丝阵电流所产生的磁场偏离无限长直导线磁场公式的值,但全部电流所产生的总磁场与公式给出的值很接近。同时,研究了不同负载结构参数下的磁场分布,结果表明：增加丝根数有助于减小单根丝表面的局部磁场,改善丝阵外围磁场分布的均匀性。     

One-step synthesis ofα,β-unsaturated arylsulfones by a novel multicomponent reaction of aromatic aldehydes,chloroacetonitrile, benzenesulfinic acid sodium salt

A new and green method for the synthesis of α,β-unsaturated arylsulfones had been achieved through the condensation of aromatic aldehydes,chloroacetonitrile,benzenesulfinic acid sodium salt in the presence of l-butyl-3-methyl imidazolium hydroxide([bmim]OH) in EtOH under reflux.The ionic liquid was recovered and recycled for subsequent reactions.The advantages of this protocol were non-toxic,easy work-up and good yields.