晶体学与准晶体学点群的母子群关系

依据群论，得出了准晶体学点群的直积或半直积推导算式；依据结晶学理论，绘出了五角、八角、十角和十二角晶系各点群的极赤投影图.据此推导出了每一个准晶体学点群的全部最大子群，从而推导并绘制出了三维晶体学和准晶体学点群之间的母子群关系(60个点群的“家谱”).该“家谱”以最大子群链的图解形式直观地给出了每个点群的最小母群和最大子群. 关键词： 准晶体 晶体 点群 最大子群 最小母群 群链     

纳米晶ZrO2:Er3+-Yb3+的制备及其室温上转换发射

用化学共沉淀法制备了ZrO₂:Er³⁺-Yb³⁺纳米晶粉体，所制备的纳米晶粉体具有较强的室温上转换发射和红外发射.研究了样品的晶体结构和上转换发光性质随着Yb³⁺掺杂浓度和煅烧温度的变化关系.通过X射线衍射谱分析发现，经800℃煅烧2h后得到的ZrO₂:Er³⁺-Yb³⁺纳米晶是四方相和单斜相的混合结构，经950℃煅烧2h后得到的样品以单斜相为主，随着Y     

长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术，得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱，加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA)，输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃，1.74μm激光器的特征温度T₀=57K，和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当. 关键词： MOCVD InGaAs/InGaAsP 应变量子阱 分布反馈激光器     

A regioselective synthesis of 3-benzazepinones via intramolecular hydroamidation of acetylenes

Synthesis of 3-benzazepinones by palladium-catalyzed intramolecular addition of amides to alkynes is achieved. Phenyl acetylenes substituted in the ortho-position with tethered amide functionality were prepared in a few steps from readily available starting materials. It was found that 5% Pd(OAc)₂(PPh₃)₂ and KOH most effectively promoted cyclization. When the tethered group is an acetamide and an alkyl substituent is on the acetylene unit, regioselective 3-benzazepinone synthesis could be achieved in good yields.     

T-C模型中虚光子过程对光场压缩效应的影响

利用全量子理论,研究非旋波近似下TC模型中受激场的压缩效应.结果表明:非旋波近似下,由于虚光场的影响,Q的演化曲线出现了“小锯齿状”,表现为系统的量子噪声,随着ω和n的增大,量子噪声分别减小和增大,虚光子过程使光场的压缩程度明显加深;研究结果还揭示了原子场耦合系数λ及原子间耦合系数g与光场压缩效应的关系. 关键词： T-C模型 非旋波近似 压缩效应 量子噪声     

聚异丁烯高活性端基含量及相对分子质量测定方法的研究

综合使用核磁，VPO和近红外光谱分析技术对聚异丁烯活性端基含量以及相对分子质量的测定进行了详细研究，分别建立核测定聚异丁烯活性端基含量以及其他烯键含量和近红外光谱快速测量聚异聚丁烯活性端基含量。其他烯键含量和相对分子质量的分析方法。成对t检验结果表明，近红外光谱分析方法测定结果与核磁和VPO方法测定结果之间无显著性差异。     

0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Q_bd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, V_bd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词： 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量     

泛函梯度数值计算的一种新方法—正交试验法

本文研究并揭示了L_(2~a)(2~(2~a-1))型正交表行(列)间的递推规律,提出了一种泛函梯度数值计算的新方法——正交试验法,该方法在计算速度和精度上优于直接梯度法;在通用性及节省内存方面优于伴随算子法。     

西咪替丁的应用进展

综述了近年来国内外报道的H2受体抗拮剂－西咪替丁应用于除治疗消化性溃疡以外的其他疾病的进展情况，以其为临床用药提供参考。     

约束装箱问题的混合遗传算法求解

本将最佳适应法和遗传算法相结合，提出了一种新的启发式混合遗传算法对具有时间约束的装箱问题进行求解，给出了具体的算法步骤，试算结果表明基于启发式算法的混合遗传算法适合于求解各种约束条件下的大规模装箱问题。