全文获取类型
收费全文 | 2262篇 |
免费 | 698篇 |
国内免费 | 921篇 |
专业分类
化学 | 1612篇 |
晶体学 | 74篇 |
力学 | 208篇 |
综合类 | 116篇 |
数学 | 412篇 |
物理学 | 1459篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 28篇 |
2022年 | 94篇 |
2021年 | 90篇 |
2020年 | 84篇 |
2019年 | 70篇 |
2018年 | 85篇 |
2017年 | 120篇 |
2016年 | 73篇 |
2015年 | 111篇 |
2014年 | 162篇 |
2013年 | 217篇 |
2012年 | 194篇 |
2011年 | 211篇 |
2010年 | 247篇 |
2009年 | 265篇 |
2008年 | 259篇 |
2007年 | 248篇 |
2006年 | 238篇 |
2005年 | 195篇 |
2004年 | 147篇 |
2003年 | 100篇 |
2002年 | 87篇 |
2001年 | 146篇 |
2000年 | 99篇 |
1999年 | 48篇 |
1998年 | 25篇 |
1997年 | 20篇 |
1996年 | 30篇 |
1995年 | 26篇 |
1994年 | 17篇 |
1993年 | 17篇 |
1992年 | 19篇 |
1991年 | 16篇 |
1990年 | 14篇 |
1989年 | 12篇 |
1988年 | 13篇 |
1987年 | 13篇 |
1986年 | 9篇 |
1985年 | 9篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 3篇 |
1973年 | 1篇 |
1971年 | 1篇 |
1964年 | 1篇 |
1936年 | 1篇 |
排序方式: 共有3881条查询结果,搜索用时 15 毫秒
141.
采用传统高温熔融法合成了玻璃组成为B2O3-GeO2-15GdF3-(40-x)Gd2O3-xEu2O3(0≤x≤10)的Eu^3+激活氟氧硼酸锗酸盐闪烁玻璃。在硼锗酸盐玻璃基质中,Gd2O3和GdF3稀土试剂的总含量高达55%,从而确保其密度高于6.4 g/cm^3。闪烁玻璃的光学性能通过光学透过光谱、光致发光光谱、X射线激发发射(XEL)光谱和荧光衰减曲线来表征。玻璃中Gd^3+→Eu^3+离子的能量传递通过激发光谱、发射光谱和Gd^3+-Eu^3+离子间距得到证明,同时也确定了在紫外线和X射线激发下Eu^3+激活氟氧硼酸锗酸盐闪烁玻璃的最佳浓度。Judd-Ofelt理论分析了玻璃中Eu―O键的共价性随Eu^3+掺杂浓度增加而显著增强。Eu^3+激活氟氧硼酸锗酸盐闪烁玻璃在80~470 K温度范围内荧光衰减曲线和发射光谱的温度依赖关系最终证实了其具有较好的发光稳定性。 相似文献
142.
绿松石是一种产地有限,却在世界范围内被广泛使用的珍稀宝石资源,研究绿松石文物的矿料来源可为了解古代不同地区间珍稀资源的获取与交流模式、文化传播途径、早期贸易网络等学术问题提供帮助。新疆绿松石文物的矿料来源是近年来科技考古关注的热点问题之一,目前存在中原说、波斯说、新疆说和多元说等观点。研究新疆绿松石文物的产源,其难点在于既要保证文物的安全,又要确保分析数据的准确性,同时要避免样品表面污染对数据结果带来的干扰。鉴于此,采用等离子体原子发射光谱LA-ICP-AES对新疆加依、西沟两处墓地出土的绿松石进行化学成分分析,并结合秦岭东部五处产地的绿松石成分数据,经主成分分析绘制散点图——建立产地区分模型。主成分分析结果显示加依墓地样品中有五枚是罕见的锌绿松石,其余同西沟墓地绿松石的成分相近,均含有相对较高比例的Fe和Sr。结合中原地区的绿松石成分数据对比分析,发现新疆两遗址绿松石的微量元素特征相近,以高B2O低BaO为特征区别于中原地区的绿松石样品。在产地区分模型中,代表加依墓地和西沟墓地出土绿松石的散点聚集成团,且明显区分于白河、郧县、洛南、竹山、淅川五地的散点分布区域。综上结果表明新疆东部两处遗址的绿松石制品与中原东秦岭五处绿松石矿区所产矿料的成分差异较大,鉴于近年来新疆哈密发现与两处遗址同时代的绿松石采矿遗址,推测加依墓地、西沟墓地的绿松石制品其矿料来自中原地区的可能性较小。 相似文献
143.
The etch-stop structure including the in-situ SiN and AlGaN/GaN barrier is proposed for high frequency applications.The etch-stop process is realized by placing an in-situ SiN layer on the top of the thin AlGaN barrier.F-based etching can be self-terminated after removing SiN,leaving the AlGaN barrier in the gate region.With this in-situ SiN and thin barrier etch-stop structure,the short channel effect can be suppressed,meanwhile achieving highly precisely controlled and low damage etching process.The device shows a maximum drain current of 1022 mA/mm,a peak transconductance of 459 mS/mm,and a maximum oscillation frequency(fmax)of 248 GHz. 相似文献
144.
145.
146.
The potential energy curves for the X1∑ g, B1△g and B′1∑ g states of C2 have been studied by using MRCI and approximate CI methods, and are benchmarked against the calculations of full configuration interaction (FCI). The results obtained by MRCI method agree with the FCI very well, and even are accurate enough to compare other approximate methods as benchmark, when the calculations of FCI are not feasible. The approximate CI methods mentioned in this paper are reliable for treating chemical problems. 相似文献
148.
149.
通过相转移催化关环反应合成了新的6-取代-2-疏-2-烷(芳)氧-4-(2,-4二氯苯基)-4-氢-1,3,2-苯并二氧磷杂环已烷(3a-3g),用结晶法分离得到7对非对联消旋体,其结构经1HNMR、31PNMR和元素分析确证,化合物3a-A单晶X射线分析表明其构型为(2R,4S;2S,4R).生物活性测定结果表明,化合物3C有良好的杀虫活性,非对映消旋体A和B具有协同杀虫作用. 相似文献
150.