首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2040篇
  免费   501篇
  国内免费   749篇
化学   1351篇
晶体学   74篇
力学   194篇
综合类   116篇
数学   401篇
物理学   1154篇
  2024年   3篇
  2023年   21篇
  2022年   80篇
  2021年   71篇
  2020年   71篇
  2019年   62篇
  2018年   72篇
  2017年   113篇
  2016年   64篇
  2015年   95篇
  2014年   136篇
  2013年   181篇
  2012年   151篇
  2011年   165篇
  2010年   212篇
  2009年   216篇
  2008年   220篇
  2007年   201篇
  2006年   200篇
  2005年   172篇
  2004年   120篇
  2003年   77篇
  2002年   83篇
  2001年   132篇
  2000年   92篇
  1999年   47篇
  1998年   23篇
  1997年   18篇
  1996年   25篇
  1995年   20篇
  1994年   15篇
  1993年   12篇
  1992年   18篇
  1991年   16篇
  1990年   14篇
  1989年   11篇
  1988年   13篇
  1987年   12篇
  1986年   9篇
  1985年   8篇
  1984年   3篇
  1983年   4篇
  1982年   2篇
  1981年   2篇
  1980年   1篇
  1979年   3篇
  1973年   1篇
  1971年   1篇
  1964年   1篇
  1936年   1篇
排序方式: 共有3290条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
以BiOIO3为前驱体,通过高温煅烧法制备了一系列铋(Bi)基材料,并系统地研究了不同样品的物相组成、微观形貌、光学性能及光催化活性。实验结果表明,Bi5O7I纳米片在可见光(λ>420 nm)照射60 min后,对双酚A(BPA)的降解率可达99.3%,5次循环使用后仍能去除97%的BPA,表现出良好的光催化活性与稳定性。研究表明,BPA可以作为表面配体,与Bi5O7I发生表面配位,通过配体-金属电荷转移(LMCT)的光敏化机制作用实现太阳光的高效利用并促进其自降解。  相似文献   
992.
合成并表征了2个新的基于6-甲氧羰基-4,4''-二甲基-2,2''-联吡啶的单核铜(Ⅰ)双膦配合物[Cu(mmbpy)(dppp)]ClO41)和[Cu(mmbpy)(dppb)]ClO42)。研究结果表明,铜(Ⅰ)配合物12均表现为扭曲变形的N2P2四面体几何构型,其P-Cu-P键角受辅助双膦配体控制。在常温下,这2个铜(Ⅰ)配合物在固态时均具有发光性质,并且相对于双膦配体亚甲基链的长度,P-Cu-P键角对其光物理性质的影响更为显著。在2,2''-联吡啶环上引入2个甲基取代基对改善铜(Ⅰ)配合物的发光性能也被证明是有效的。  相似文献   
993.
光生电子-空穴对的复合被认为是限制BiVO4材料光电催化转换效率的重要原因之一。基于此,通过简单的水热-煅烧方法构筑了 BiVO4/ZnFe2O4同型异质结光阳极,BiVO4/ZnFe2O4复合光阳极在 1.23 V(vs RHE)下的光电流密度为 3.33 mA·cm-2,较纯BiVO4提升了2倍 (1.20 mA·cm-2)。相关的结构及性能测试表明,BiVO4和ZnFe2O4形成了带隙错开的n-n异质结,使得光生载流子得到有效分离,更有效地参与水氧化过程,进而提高了BiVO4的光电催化水分解性能。  相似文献   
994.
通过在不同pH值下的简易水热法合成不同Yb3+离子(nYb3+/nLu3+=5%~15%)和Er3+离子(nEr3+/nLu3+=1%~5%)掺杂浓度的LuF3∶Yb3+,Er3+微晶荧光粉。发现pH值对正交相LuF3∶Yb3+,Er3+的合成起着关键作用。在980 nm激发下,LuF3∶Yb3+,Er3+荧光体呈现出以523 nm(2H11/24I15/2)和539 nm(4S3/24I15/2)为中心的强绿光上转换(UC)发射以及以660 nm(4F9/24I15/2)为中心弱红光上转换发射。通过使用X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)分析测定了最强发射强度的Er3+和Yb3+的最佳掺杂浓度。浓度依赖性研究表明,达到最强的绿光上转换发光时最佳掺杂浓度为10% Yb3+,2% Er3+。通过改变泵浦功率来研究LuF3∶Yb3+,Er3+荧光粉UC发光机制。通过980 nm二极管激光器在293~573 K的范围内研究了在523和539 nm处的2个绿光UC发射带的荧光强度比(FIR)的温度依赖性,发现在490 K得到最大灵敏度约为15.3×10-4 K-1。这表明LuF3∶Yb3+,Er3+荧光体可应用于具有高灵敏度的光学温度传感器。  相似文献   
995.
以2,5-呋喃二羧酸和六水硝酸锌/四水硝酸镉为原料,在溶剂热条件下,合成出2个金属有机配位聚合物,[Zn (FDC)(DMF)2]n(1)和{(Me2NH2)2[Cd2(FDC)3(H2O)2]·4H2O}n(2)(H2FDC=2,5-呋喃二甲酸,DMF=N,N-二甲基甲酰胺)。通过元素分析、红外光谱、差热分析、X射线粉末衍射和X射线单晶衍射等手段对配合物进行了结构表征。结果显示,化合物1为一维链结构,通过分子间氢键作用构筑成二维结构;而2为二维(4,4)网络结构。热稳定性表明化合物1脱去DMF配体后稳定到300℃;而2脱去配体水、阴离子和溶剂分子后结构立即发生坍塌。常温固态下,激发波长分别为303和350 nm时考察了配合物12的荧光性质,结果显示2个化合物均发射蓝色荧光(λmax=406,470 nm),荧光寿命分别为76.2和138.1 ns。  相似文献   
996.
以石墨粉为原料, 采用Hummers法液相氧化合成了氧化石墨(GO), 然后用化学一步还原制得石墨烯负载钯催化剂. X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)表征表明, Pd在石墨烯载体上有较好的分散度, 粒径为3-5 nm. 电化学活性面积(EASA)、循环伏安(CV)、计时电流(CA)和计时电位(CP)等电化学测试表明, 与传统Pd/Vulcan XC-72相比, Pd/石墨烯催化剂对碱性介质中乙醇电催化氧化的催化活性有了很大的提高.  相似文献   
997.
建立了浊点萃取-石墨炉原子吸收光谱法(GFAAS)测定痕量金属钯的新方法,利用表面活性剂Triton X-114和络合剂2-(5-溴-2-吡啶偶氮)-5-二甲氨基苯胺(5-Br-PADMA)对钯进行浊点萃取。研究了溶液pH、试剂浓度、平衡温度和加热时间等因素对浊点萃取及测定灵敏度的影响。优化条件为:pH 5.50 HAc-NaAc缓冲,0.08 mL 5×10-4 mol/L 5-Br-PADMA,0.70 mL10g/L Triton X-114。在最佳条件下,方法的线性范围为0.1~10 ng/mL,钯的检出限为0.068 ng/mL,富集倍率为45倍。该方法可用于环境样品中痕量钯的富集和测定,结果令人满意。  相似文献   
998.
建立了磷钼酸铵分光光度法测定6-巯基嘌呤(6-MP)的方法。结果表明,在一定条件下,6-MP可以定量地与磷钼酸铵反应生成磷钼蓝,通过测定磷钼蓝的吸光度,从而间接地测定6-MP的含量。显色体系最大吸收波长为710nm,6-MP质量浓度在0.004~0.06 mg/mL范围内与A呈良好的线性关系,线性回归方程为A=0.0258+10.655ρ(mg/mL),线性相关系数r=0.9986。方法用于实际药品中6-PM的含量测定,结果与药典法一致。  相似文献   
999.
研究Pb(II)和H+离子浓度对全铅单液流电池正、负电极在复合石墨基体上电化学行为的影响.结果表明,PbO2正极和Pb负极的电极过程受电化学和扩散混合控制.Pb(II)氧化沉积成PbO2时出现成核环,铅负极成核过电位小,充放电电压差远小于PbO2正极,电池极化主要来自PbO2正极.增加H+浓度有利于降低PbO2正极和Pb负极的极化,但析氧、析氢副反应和腐蚀加重.增大Pb(II)浓度有利于抑制析氧,但PbO2正极充电电压升高,充放电电压差增大.Pb(II)浓度较低时,充放电过程中PbO2沉积层少许脱落,充电电压进一步降低且更趋平稳.为此,电解液中HBF4浓度以2 mol L-1为宜,Pb(II)浓度应在0.9 mol L-1以上.  相似文献   
1000.
用水热法合成得到2个Cd(Ⅱ)配合物,[Cd(L)(4,4’-bipy)0.5(H2O)2]n1)和[Cd(L)(bpp)(H2O)]n·2nH2O(2)(L=3-氧乙酸基苯丙烯酸,4,4’-bipy=4,4’-联吡啶,bpp=1,3-二吡啶基丙烷),并测定了他们的晶体结构。结构分析表明,在配合物1中,L配体连接Cd(Ⅱ)中心形成一维[CdL]n链,4,4’-联吡啶配体进一步桥联形成二维层状结构;配合物2是一个二重穿插的二维层状结构。此外,对配合物的荧光性能测试表明,它们在绿光区域有荧光发射。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号