二苯并18-冠-6配合物[NH4(DB18-C-6)]2[Pd(SCN)4]的合成与结构分析

研究了二苯并18-冠-6(DB18-C-6)与(NH4)2[Pd(SCN)4]的反应,通过元素分析、红外光谱、单晶X射线衍射对生成的配合物[NH4(DB18-C-6)]2[Pd(SCN)4](1)进行了结构分析.1为三斜晶系,空间群P-1,晶体学数据:a=0.8705(3)nm,b=1.1954(4)nm,c=1.3044(4)nm,α=73.216(5)°,β=78.897(5)°,γ=81.105(6)°,V=1.2682(7)nm3,Z=1,F(000)=568,R1=0.0301,wR2=0.0431.配合物由二个[NH4(DB18-C-6)]+配阳离子和一个[Pd(SCN)4]2-配阴离子组成,二者通过N-H…N氢键形成中性配合物,配合物中不存在阳离子-π相互作用.     

Y系超导螺管储能磁体的优化设计

磁体结构的好坏将直接关系到磁体的制造成本以及磁体能否正常运行.在磁体结构的优化设计中,选定磁体的体积为目标函数,在满足磁体储能,符合超导材料的B～J特性,尽量减小漏磁等条件下,使目标函数达到最小.文章选定新一带超导涂层导体YBCO为SMES线圈的制造材料,分析了Y系带材的材料特性,并采用大型有限元仿真软件ANSYS和磁体优化中常用的算法-模拟退火算法(simulated annealing)对SMES线圈进行优化仿真分析,得出最优的磁体结构.     

速调管离子噪声特性的模拟分析

 离子噪声已成为影响现代微波管性能的一个重要因素，采用一维混合模型研究了速调管的离子噪声，用自编的1维粒子模拟程序对速调管的离子噪声特性进行了分析。采用小信号近似，从理论上推导出了速调管离子噪声与相位畸变关系的表达式，表明微波管相位噪声直接来源于管内离子量的变化。模拟了有离子噪声时速调管的相位特性，对模拟过程做了离子诊断并与实验结果进行比较，证明了模拟过程的正确性。探讨了电子束电流、电压以及聚焦磁场对离子噪声的影响规律，束电流与束电压改变后，离子噪声的周期与大小相应改变，增大束电流，离子噪声幅度会下降，并趋于稳定，而在束电流不变的情况下，离子噪声存在一个最小值。束电流与束电压确定，存在最佳的磁场使离子噪声幅度最小。     

反应渗流式表面生长的动力学和标度行为

研究了关于A，C两种粒子反应渗流式直线类表面生长的动力学和标度行为．当C粒子的概率q=0时，系统表现出一般的单粒子直线生长．当q≠0时，表面表现出粗化的形貌特性，并发现在高维时存在着粗化转变．当q接近渗流阈值时，系统具有很好的标度特性． 关键词：     

连续型单参指数族参数的经验Bayes检验问题:NA样本情形

本文对连续型单参指数族单边和双边假设检验问题导出了Bayes检验函数 ,利用同分布NA样本构造了经验Bayes(EB)检验函数 ,在适当条件下证明了EB检验函数的渐近最优性并获得了其收敛速度 ,文末给出一个满足定理条件的例子     

分次反单本原根

本文给出分次情形的反单本原根SJGG,当群G满足|G|<∞,证明了SJG=SJref=SJG,其中SJref和SJG分别表示反射反单本原根和限制反单本原根.而且讨论了SJG的分次补根.     

高能量激光诱导铝等离子体的发射光谱研究

用钕玻璃激光器 (～ 2 5J)烧蚀铝靶获得等离子体 ,以氩气作为保护气体 ,分析了环境气压、等离子体的观测高度、工作电压、激光功率密度对谱线强度的影响 ,并进行了简短的讨论。实验结果表明 ,环境气压为 88kPa时谱线强度最大 ;相同气压下随着观测高度的增大 ,谱线强度明显减弱 ,在气压为 88kPa观测位置距样品表面 1 5～ 2mm时谱线强度较强 ;并且随着激光工作电压、功率密度的增大 ,谱线强度逐渐提高。     

六卤化金属化合物晶体晶格非稳定性量子化学计算

将量子化学计算方法扩展应用于描述六卤化金属化合物的晶格非稳定性和不稳定方式的一些特点,得到一些有趣的结果,并与喇曼和布里渊散射的实验结果相比较. 关键词：     

中立型微分方程零解的稳定性与全局Hopf分支

本文用Ｒｏｕｃｈｅ定理建立起关于一般的超越函数的零点分布定理，以此定理为基础，结合应用吴建宏等用等变拓扑度理论建立起的一般泛函微分方程的Ｈｏｐｆ分支定理，研究了描述无损传输网络线路的中立型微分方程的零解的稳定性和全局Ｈｏｐｆ分支．     

Growth of Indium Nanorods by Magnetron Sputtering

Indium nanorods are grown on silicon substrates by using magnetron-sputtering technique. Film morphologies and nanorod microstructure are investigated by using scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy （HRTEM）, and x-ray diffraction. It is found that the mean diameter of the nanorods ranges from 30nm to 100nm and the height ranges from 30nm to 200nm. The HRTEM investigations show that the indium nanorods are single crystals and grow along the [100] axis. The nanorods grow from the facets near the surface undulation that is caused by compressive stress in the indium grains generated during grain coalescence process. For low melting point and high diffusivity metal, such as bismuth and indium, this spontaneous nanorod growth mechanism can be used to fabricate nanostructures.