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Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料. 相似文献
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用Q-YAG激光的三次谐波(355nm)与调谐的Rh·6G染料激光在β-BaB2O4(BBO)晶体中和频,获得217.3~221.4nm连续调谐输出,和频输出的最大能量为250μJ,转换效率为11%.我们还讨论了获取最大和频输出能量的一些实验条件. 相似文献
116.
王军秀 《纯粹数学与应用数学》2007,23(3):406-408
利用欧拉公式研究了Gdk图的平面性,获得了一个重要定理,并由此得到了关于平面图色数的一个结论. 相似文献
117.
全纯函数族的正规定则 总被引:2,自引:0,他引:2
Let f be a holomorphic function on a domain D Lontaiu in C, and let a be a finite complex number. We denote by -↑Ef/(a) = {z ∈ D : f(z) = a, ignoring multiplicity} the set of all distinct α-points of f. Let F be a family of holomorphic functions on D. If there exist three finite values a, b(≠ O,α) and c(≠ O) such that for every f ∈F, -↑Ef′/(0) Lontain in -↑Ef(α) and -↑Ef′ (b) Lontain in -↑Ef(c), then F is a normal family on D. 相似文献
118.
激光标线的原理和实验 总被引:1,自引:1,他引:0
根据几何光学知识分析了激光标线原理.理论和实验表明:激光标线长度与激光光束形状、光学元件形状及材料折射率有关.并讨论了激光标线向两侧扩展的原因. 相似文献
119.
120.
给出了 n元函数极值的一个充分条件 ,并结合矩阵的初等变换建立了 n元函数极值的一种快速判别法 ,最后给出了一个例子 相似文献