金属-绝缘体-半导体(Au-SiO2-Si)隧道结的负阻现象与发光特性

制备了Au-SiO_{2-Si结构MIS隧道发光结.测试并分析了该结的发光特性及电流-电压(I-V)特性.指出结的发光是由各膜层界面激发的表面等离极化激元(Surface Plasmon Polariton.SPP)与膜层表面粗糙度相互耦合的结果.观察到MIS结I-V特性中存在的负阻现象,采用SPP对电子的束缚模型对这一现象进行了初步分析.利用原子力显微镜(AFM)对结的表面形貌进行了观测,由此讨论了MIS隧道结的发光与电子在结内的隧穿输运特性之间的内在关系. 关键词：}     

流体饱和多孔圆柱体的声波散射

依据BiotStoll的流体饱和多孔媒质声传播理论,考虑了流体粘滞和骨架非弹性损耗引起的衰减因素,研究了多孔圆柱体对平面声波的散射特性.计算了在开孔和闭孔状态下多孔圆柱的背向散射形式函数和散射声强的方向分布,以及边界处的力学状况和声传播中的损耗因素对散射特性的影响.利用宽带超声实验系统测量了多孔圆柱的背向散射谱.实验测量结果与理论预计值符合得较好 关键词：     

SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究

本工作利用光学多道分析仪(OMA Ⅲ)测量了脉冲TEA CO₂激光诱发的SiH₄等离子体内H Balmer系的H_α,H_σ和H_γ线的线型。结果表明,三条谱线的FWHM(半值全宽度)随跃迁上能级的主量子数的增加而增加,即△λ_1/2(H_α)<△λ_1/2(H_β)<△λ_1/2(H_γ)。通过对等离子体内各类加宽机制的讨论,得出等离子体内谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由H_α线的实验线型与Stark加宽理论线型的拟合,得到等离子体的两个重要参量,平均电子密度N≈10¹⁷cm^-3,电子温度T≈40 000K。由H_β线的时间分辨测量得到等离子体的电子密度随时间的演变曲线。 关键词：     

掺V4+的KTiOPO4单晶的电子顺磁共振研究

在室温X波段对掺V⁴⁺的KTP单晶作电子顺磁共振(EPR)谱的测量和分析表明:V⁴⁺占据的晶位可分为结晶学上不同的两类,每一类又含4个磁性不等价而结晶学上相同的V⁴⁺晶位。测量了3个互相垂直结晶主平面上的EPR超精细线随角度的变化,并用严格的最小二乘法拟合程序,确定了g和A张量的主值以及它们主轴的方向余弦。从而揭示了V⁴⁺是处在带有四角畸变的八面体环境及单胞中所有8个磁性不等价V⁴⁺晶位的空间取向     

聚苯乙烯芪盐L—B膜的二阶非线性光学性质研究

首次合成了一种称之为聚苯乙烯芪盐的有机高分子材料.此材料可以在水面上形成稳定的单分子层膜,并且所形成的单分子层膜可以转移到固体衬底上去.对聚苯乙烯芪盐单分子层膜进行光学二次谐波产生测量,得到聚苯乙烯芪盐对应于每个发色团的二阶非线性极化率为1.2×10~(-28)esu.制备了该材料两种不同类型的多层膜,讨论了多层膜二次谐波产生信号不随层数增加而增加的可能原因.     

C60和C60／C70的激光脱附飞行时间质谱分析

采用激光脱附并直接测量离子的方法对实验室提取的C_(60)/C_(70)以及进一步分离得到的纯C_(60)进行了飞行时间质谱分析,并讨论了质谱分析过程中实验条件对结果的影响.     

STRUCTURES OF Si AND Ge CLUSTERS UNDER MODIFIED STILLINGER-WEBER POTENTIAL

Structural behaviors of silicon and germanium clusters under the recently proposed modified Stillinger-Weber (SW) potential have been studied by molecular dynamics method along with the con-jugate-gradient optimization. Since the SW potentials have been derived from the properties of bulk materials, it gives relatively large discrepancy when the cluster number is small, e.g. n=3 and 4. When n>4, the ground-state structures under the modified SW potential are close to that from the first-principle calculation. The binding energies are also improved under the modified SW potential. These results may be attributed to the relative enhancement of the two-body term over the three-body term in the modified SW potential, which leads to structures with a preferential coordination number 4. Structural behaviors of germanium clusters are similar to those of silicon.     

FRANZ-KELDYSH OSCILLATION FROM THE SPACE CHARGE REGION OF MBE GaAs FILMS

We have investigated doped MBE GaAs films using photoreflectance (PR) spec-troscopy. Special spectral structures have been observed in the vicinity of the funda-mental band gap, which are quite different from the Franz-Keldysh oscillation (FKO) from uniform electric fields under flatband modulations. Numerical analysis has been performed for FKO from electric fields in the space charge region under non-flatband modulations. Some typical FKO line shapes are illustrated. For moderately doped samples the calculated line shapes are basically consistent with experiments. The surface electric field and the Fermi level pinning have also been deduced from exper-iments.     

三维紧束缚电子气的等离激元理论

本文采用紧束缚近似方法计算了三维电子气系统的集体激发行为。在简单立方、体心立方、面心立方三种结构情形下,提出了一种矩阵表述方法,通过引入矩阵密度关联函数,在无规周相近似(RPA)下有效地处理了系统的等离激元问题。 关键词：     

同步辐射与GGG：Nd^3＋晶体的相互作用

用北京同步辐射489A-VUV束线作为连续光源测定了GGG:Nd~(3+)晶体的短波吸收光谱。用束线4B9A-WX作为光源激发GGG:Nd~(3+),测定了它的XEOL(X-ray excited optical luminescence)。