XPS和AES研究A3钢表面杂多酸钝化膜

通过比较多种杂多酸及铬酸盐等纯化剂的钝化效果，发现Ｈ３ＰＭｏ１２Ｏ４０是一种优良的纯化剂。在５５℃，ｐＨ１．０的条件下，Ａ３钢在２０ｇ／Ｌ的Ｈ３ＰＭｏ１２Ｏ４０溶液中能形成致密的耐蚀性保护膜。ＡＥＳ结合Ａｒ＾＋溅射测得膜的元素组成为：Ｐ１．９％，Ｍｏ１７．９％，Ｏ６９．６％，Ｆｅ１０．７％．ＸＰＳ测得膜中Ｍｏ以Ｍｏ（Ⅵ）、Ｍｏ（Ｖ）ｔ Ｍｏ（Ⅳ）三种氧化态存在。红外及Ｒａｍａｎ光谱表明，膜的主要振     

无规分形衬底上银膜逾渗系统的交流特性

通过对沉积在具有无规自相似结构的α-Al₂O₃断裂面上的银薄膜逾渗系统交流特性的测量,证明了在逾渗阈值p_c附近这一系统的交流电导率和介电常数满足指数临界规律和普适标度关系。还给出了这种逾渗系统的电容与直流电阻的关系,并对其意义作了讨论。 关键词：     

多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究

利用多层溅射技术制备了ＷＳｉ_x／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉ_x薄膜中Ｗ₅Ｓｉ₃四角相的形成。ｘ射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化，它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。 关键词：     

基于激发态吸收的C60分子全光开关特性研究

用５３２．０ｎｍ的脉冲Ｎｄ：ＹＡＧ激光作为泵浦光，７４７．０ｎｍ的连续半导体激光作为探测光，在Ｃ₆₀甲苯溶液中，利用Ｃ₆₀分子的三重态－三重态非线性吸收效应，获得Ｃ₆₀分子的全光开关和全光调制特性，并用速率方程进行了动力学数值模拟，得到与实验相一致的结果。 关键词：     

高Jc Tl系2223相银包套带材的磁通钉扎和耗散

测量了Ｔｌ系２２２３相银包套超导带（Ｊ_c＝１．５×１０^４Ａ·ｃｍ^-2，７７Ｋ，０Ｔ）在０－０．８Ｔ磁场下电阻转变展宽，实验结果引用热激活磁通蠕动模型加以解释。磁场平行于带面（Ｈ∥ａｂ面）和磁场垂直于带面（Ｈ⊥ａｂ面）两种情况下，激活能与磁场之间满足幂指数关系：Ｕ_0∥＝０．２１ H^-0.3(eV),Ｕ_0⊥＝０．１5 H^-0.4(eV)，其中Ｈ的单位为ｋＧ。 关键词：     

三元合金Cu76Ni15Sn9的离子溅射研究

在２７ｋｅＶ Ａｒ⁺离子轰击时,用收集膜技术结合俄歇谱仪（ＡＥＳ）,研究了三元合金Cu₇₆Ni₁₅Sn₉系统的择优溅射行为。同时使用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）与电子探针微分析（ＥＰＭＡ）．观察了靶点表面形貌变化并测定了形貌特征微区的合金组份原子的相对百分浓度。结果表明,Ｃｕ原子较Ｎｉ原子、Ｎｉ原子较Ｓｎ原子,在所测定范围（０─６０°）内择优发射。最后讨论了靶点表面形貌特征和“元素局域富集”现象对择优溅射过程的影响。 关键词：     

掺Ba的Bi-Sr-Cu-O单晶Raman散射研究

利用Ｒａｍａｎ散射研究了Bi₂Sr_2-xBa_xCuO_y（ｘ＝０，０．２，０．４）单晶样品的声子振动性质。实验结果表明，在Bi₂Sr_2-xBa_xCuO_y体系的Ｒａｍａｎ谱中主要出现以下几个频率的特征振动模，即１９６，３００，４６０，６２５和６６０ｃｍ^－１；而频率为１９６，３００，６２５，６６０ｃｍ^－１<     

中能电子的全截面测量装置和对氮分子的散射全截面

介绍一台用于中能电子散射全截面的测量装置，并给出了５００－２６００ｅｖ电子与氮分子散射全截面的实验结果。 关键词：     

碱金属掺杂富勒烯超导体的临界温度和约化能隙研究

碱金属掺杂富勒烯与传统的超导体情况不同，它有一个很宽区域的声子谱，其最高频率和最低频率分别与费密能Ｅ_F和零温超导能隙△₀为同一数量级，这必将导致对原来强耦合超导电性理论的修正。本文在此情况下求解Ｅｌｉａｓｈｂｅｒｇ方程，得到Ｔ_c和△₀的表达式。结果表明，分子间的低频振动模和分子上的高频振动模同样参与电声耦合，Ｔ_c主要取决于声子谱中高频成份的贡献，而△₀的增加主要取决于声子谱中 关键词：     

反散射理论导出极低能量下的e-He相互作用势

以入射能量为２ｅｙ的ｅ－Ｈｅ弹性散射微分截面的实验数据为基础，运用反散射方法，理论上导出了ｅ－Ｈｅ的相互作用势。用这样的相互作用势计算能量为２和５ｅｖ时的弹性微分截面。所得结果表明，ＷＫＢ反散射方法对极低能情况是失效的，但量子反散射方法仍然非常成功。在极低能情况下，量子反散射方法得到的ｅ－Ｈｅ相互作用势是实数和定域的，呈现出强Vａｎ ｄｅｒ Ｗａａｌｓ势的特征，能给出符合实验数据的结果。