耗散系统的准热力学模型

以具有自治系统一般形式的运动方程及其相应的Fokker-Planck方程为出发点,确立了一种适应面比较广的耗散系统的准热力学模型.定义了与驱动项f相共轭的函数X,取代作为上述运动方程的自田变量x(x可代表某种输出或化学反应的产物).以状态参量f,X,C(C为控制参量)对照参量p,V,T,得到一系列涉及准热力学函数及其导数的基本关系式,它们与传统热力学是一一对应的,最后给出一个应用范例. 关键词：     

光学双稳性的强迫振动模型

本文提出一个新的光学双稳性模型.基于平均场近似,慢变振幅近似和绝热近似的思想,把光学双稳系统看成一个“黑箱”,类比非线性振动理论,指出不同的光学双稳过程(包括不同的工作物质和不同的腔(F-P腔或环腔)),能用一个恰当的强迫振动方程统一地描述.方程中所包含的都是可测量的宏观参量,使得可能直接用实验拟合,与理论结果进行定量对照.用振动理论的方法,把方程演变成自治方程组,从而方便地得到光学双稳性稳态和动态解的一般形式.并用若干已报道的具体例子验证了这个模型的普适性.     

硅团簇结构和碎片行为的紧束缚理论方法

利用紧束缚分子动力学模拟退火方法研究了硅团簇Sin(n=2—14)的结构性质和能量.通过与前人工作结果(Si2—Si10)的比较,发现本理论方法的结果相当准确地再现了从头计算的结论.对较大的硅团簇所作的计算给出了有意义的结构预测.从能量观点出发,计算结果表明原子数分别为4,6,7,10,12和14的硅团簇较为稳定.还进一步研究了硅团簇的碎片行为,理论计算的结果表明较大的硅团簇的稳定碎片产物通常包括一个或两个“幻数”团簇     

增强吸收型光双稳临界现象的平均场理论

阐明临界现象（包括两类临界点）与相变的平均场（Ｌａｎｄａｕ）理论同样可以适用于增强吸收型光学双稳性（ＩＡＯＢ）．分析了近期提出的ＩＡＯＢ模型^[９］的动力学特征，在此基础上引入了一种准热力学势。在临界点（第二类）附近，该种势不仅体现出双稳系统中相变的共性，而且也反映了ＩＡＯＢ的特殊性。 关键词：     

一种新型可光降解的PVC-OA-TiO_2纳米复合膜

采用包埋技术制备了一种新型可光降解的聚氯乙烯-草酸-TiO_2(PVC-OA-TiO_2)纳米复合膜,并研究了紫外光照射条件下该复合膜的光催化降解情况.结果表明,该纳米复合膜的光催化降解是一个氧化断链过程,经紫外光照射310 h后失重率达到55%,是PVC-TiO_2复合膜的2倍,是纯PVC膜的3.5倍,说明草酸的掺杂可以促进PVC-OA-TiO_2复合膜更快地被光降解.草酸作为一个良好的电子给体,能不可逆地与TiO_2表面产生的空穴或表面羟基反应,抑制电子和空穴的复合,从而显著提高PVC-OA-TiO_2的光催化降解速率.     

用三轴转台测量激光导引发射、接收视场角数据处理问题的探讨

研究了最一般情形下用三轴转台测量激光导引发射、接收视场角数据的处理问题,由此得出一般情形下计算视场角的公式,并给出了较为详细的推导过程。现场调试结果表明:通过该公式进行数据处理后,所得测试结果更符合实际情形,测试精度得到较大提高。     

Fabrication of Co/CoO Exchange Bias System by Ion Implantation and Its Magnetic Properties

We use ion implantation as a new approach to build an anti-ferromagnetic （AFM） cluster embedded exchange bias （EB） system. Co film with thickness of 130nm is deposited on the Si （111） substrate using magnetron sputtering, 60keV O＋ is chosen to implanted into the Co film to form CoO AFM clusters coupling with Co matrix at the interface. By measuring the hysteresis loop after field-cooling, significant shifts of loop along the applied field are confirmed. When increasing the implantation dose to 2×1017/cm2 and annealed samples in N2 atmosphere, we obtain the highest HEB to 458Oe.     

纳米碳酸钙基浅色导电粉的制备及性能研究

以纳米碳酸钙为核体,用聚电解质对其表面改性后,采用均相共沉淀法制备了锡掺杂氧化铟(ITO)包覆的碳酸钙基浅色导电粉.通过改变聚电解质层数、ITO的包覆量及煅烧时间等实验条件,探究了制备纳米碳酸钙基浅色导电粉的最佳条件.用X-射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、X-射线电子能谱以及粉末电阻率测试仪等对样品的结构、形貌、化学组成及电阻率等进行分析.结果表明:聚电解质层数为5层,CaCO3与ITO的质量比为6∶1,500℃煅烧4.5h制备的粉末具有最佳的导电性能,其电阻率为3.8×103 Ω·cm.