首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   357234篇
  免费   6688篇
  国内免费   4937篇
化学   172946篇
晶体学   5303篇
力学   20789篇
综合类   325篇
数学   50810篇
物理学   118686篇
  2021年   4675篇
  2020年   5140篇
  2019年   5920篇
  2018年   7910篇
  2017年   7950篇
  2016年   10042篇
  2015年   5377篇
  2014年   9265篇
  2013年   15457篇
  2012年   13756篇
  2011年   15496篇
  2010年   12760篇
  2009年   12867篇
  2008年   14345篇
  2007年   13872篇
  2006年   12519篇
  2005年   10811篇
  2004年   10263篇
  2003年   9415篇
  2002年   9740篇
  2001年   9215篇
  2000年   7292篇
  1999年   5599篇
  1998年   5281篇
  1997年   4962篇
  1996年   4568篇
  1995年   4004篇
  1994年   4099篇
  1993年   4081篇
  1992年   4002篇
  1991年   4403篇
  1990年   4386篇
  1989年   4314篇
  1988年   4031篇
  1987年   4082篇
  1986年   3747篇
  1985年   4309篇
  1984年   4515篇
  1983年   3892篇
  1982年   4058篇
  1981年   3699篇
  1980年   3456篇
  1979年   3997篇
  1978年   4075篇
  1977年   4203篇
  1976年   4362篇
  1975年   4059篇
  1974年   3963篇
  1973年   4085篇
  1972年   3544篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
211.
Diffuse x-ray scattering (DXS) is used to study the formation of microdefects (MDs) in heat-treated dislocation-free large-diameter silicon wafers with vacancies. The DXS method is shown to be efficient for investigating MDs in silicon single crystals. Specific defects, such as impurity clouds, are found to form in the silicon wafers during low-temperature annealing at 450°C. These defects are oxygen-rich regions in the solid solution with diffuse coherent interfaces. In the following stages of decomposition of the supersaturated solid solution, oxide precipitates form inside these regions and the impurity clouds disappear. As a result of the decomposition of the supersaturated solid solution of oxygen, interstitial MDs form in the silicon wafers during multistep heat treatment. These MDs lie in the {110} planes and have nonspherical displacement fields. The volume density and size of MDs forming in the silicon wafers at various stages of the decomposition are determined.  相似文献   
212.
213.
214.
Combining the connectedness principle of Shokurov and Kollár, we develop a new technique of studying birational maps of natural Fano fiber spaces. We prove that the only structures of a rationally connected fibration on direct products of typical Fano varieties are projections onto the factors. In particular, the groups of biregular and birational self-maps of Fano direct products coincide. __________ Translated from Fundamentalnaya i Prikladnaya Matematika, Vol. 10, No. 4, pp. 183–206, 2004.  相似文献   
215.
A technique for calculating the bond ionicity of crystalline materials using electronegativities of elements and taking into account the structure of polyhedra of the complex-oxide structure is proposed.  相似文献   
216.
Within the framework of the kinetic theory of strength, relations for estimation of durability of thermoplastic materials under stationary and non-stationary thermomechanical impacts are obtained It is shown that durability decreases linearly with increase in the natural (Napierian) logarithm of the mean size of microcracks formed during manufacturing of polymer products. __________ Translated from Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii, Fizika, No. 7, pp. 3–6, July, 2007.  相似文献   
217.
218.
219.
220.
A set of relativistic hydrodynamic equations is solved numerically on the basis of the flux-corrected SHASTA method for one-, two-, and three-dimensional geometries. The accuracy of the proposed method is demonstrated via a comparison with exact analytic solutions for the one-dimensional Riemann problem and a boost-invariant longitudinal expansion in the Bjorken model. The example of an expanding three-dimensional fireball for which initial conditions approximately correspond to PbPb collisions at an energy of about 160 GeV per nucleon is considered. This example indicates that the presumed dynamics of the expansion may affect substantially the results of an analysis of in-medium properties of hadrons that relies on data from experiments with leptons.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号