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81.
We study properties of some linear and nonlinear operators which occur in the theory of stochastic differential and integral equations.Translated from Statisticheskie Metody Otsenivaniya i Proverki Gipotez, pp. 148–154, 1988.  相似文献   
82.
Translated from Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii, Vol. 55, No. 3, pp. 478–484, September, 1991.  相似文献   
83.
Translated from Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii, Vol. 55, No. 4, pp. 624–629, October, 1991.  相似文献   
84.
The stressed state of a thick three-layer plate with two circular holes is studied. Resolving functions are expressed in terms of Kolosov-Muskhelishvili integral potentials and modified Bessel functions. The problem is reduced to solving an infinite set of linear algebraic equations.Translated from Teoreticheskaya i Prikladnaya Mekhanika, No. 18, pp. 25–28, 1987.  相似文献   
85.
The Langevin dynamics and fluctuational-dissipative relationships for the hydrodynamic fluctuations for systems which are described in the third Barnett order with respect to the gradients of the hydrodynamic variables are generalized on the basis of a kinetic approach.  相似文献   
86.
87.
88.
A new method for calculating the radial spheroidal functions of the first kind is proposed for the arguments that are greater than unity in modulus. A well-known representation of these functions is refined and used for this purpose. The constructs and the software implementation proposed in the paper provide an efficient tool for the calculation of the functions with a desired accuracy in a wide range of parameters.  相似文献   
89.
 In this contribution we consider a phenomenon of metastable states in antiprotonic helium atoms, precise spectroscopy of these states and a present-day study of the electromagnetic properties of antiprotons. Received October 16, 2001; accepted for publication November 13, 2001  相似文献   
90.
The effect of hydrogen on the photoluminescence and planar conductivity of GaAs/InGaAs quantum-well heterostructures with an island Pd layer at the anodically oxidized surface was studied. Unlike continuous deposited Pd layers, island layers do not cause the formation of defects in the GaAs surface region and yet the Pd layer maintains high catalytic activity with respect to hydrogen. It is found that the thermal treatment of such a structure in a hydrogen atmosphere causes atomic-hydrogen passivation of the defects in quantum wells. Studies of the characteristics of planar photoresistors with an island Pd layer acting as hydrogen sensors show that their hydrogen detectivity is approximately two orders of magnitude higher than that of diode structures with continuous Pd layers.  相似文献   
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