CASPT2 and CCSD(T) calculations of dipole moments and polarizabilities of acetone in excited states

The acetone molecule is investigated in its ground state and valence ^1,3n-π*, ^1,3π-π*, and ^1,3σ-π* excited states and Rydberg ^1,3n-3s, ^1,3π-3?, ^1,3n-3p_y and ^1,3π-3p_y states using the CASSCF, CASPT2, and CCSD(T) methods. Equilibrium geometries of excited states are obtained and their changes with respect to the ground state are discussed. For most excited states the C_2v symmetry of the ground state is lowered to the C_s symmetry. A series of valence vertical and adiabatic excitation energies is presented along with excitation energies for Rydberg states. The main body of the paper contains Finite-Field Perturbation Theory (FFPT) calculations of electric properties of the vertically as well as geometry relaxed excited states. Dipole moments of valence excited states decrease significantly upon excitation, being about one half of the ground state dipole moment. Polarizabilities usually change upon excitation much less (increase by about 30%) but hyperpolarizabilities are enhanced up to one or two orders of magnitude. The orientation of the dipole moment is reversed in some vertically excited Rydberg states. Properties of the ground and excited states are discussed considering alterations of the electronic structure and shifts in the geometry.     

On norm dependent positive definite functions

In the first part of the paper we prove a decomposition theorem for positive definite functions (Theorem 2.3) generalizing a result of de Leeuw and Glicksberg. Using this theorem, we then show (Theorem 3.1) that certain norm dependent positive definite functions are automatically continuous at every point different from zero.     

Studium der Stationären und Laufenden Schichtung in der Entladung in Neon Mit Hilfe eines Lokalen Hochfrequenzfeldes

Zusammenfassung Es wurde ein Verfahren zur Erregung von stationären Schichten, der Schichtungswelle und der laufenden Schichten in der Gleichstromentladung ausgearbeitet, das auf der Einwirkung eines Hochfrequenzfeldes auf einen kurzen Abschnitt der positiven Säule beruht. Dieses Verfahren wurde zum Studium aller drei angeführten Schichtungsarten in Neon benützt, insbesondere jedoch zum Studium des Zusammenhanges zwischen den laufenden und den stationären Schichten.Bei stationären Schichten wurden zweifache Strukturen festgestellt und es wurde deren Abhängigkeit vom Entladungsstrom und von der Größe des erregenden Hochfrequenzfeldes verfolgt.Bei der Schichtungswelle wurde die Stelle deren Entstehung ermittelt und es wurde nachgewiesen, daß das Hochfrequenzfeld diese Welle lokal an der Stelle dessen Einwirkung auf die positive Säule hervorruft.Bei den laufenden Schichten wurde deren Resonanzfrequenz in Abhängigkeit vom Entladungsstrom und die Abhängigkeit der Wellenlänge der Schichten von der Frequenz untersucht.Es wurde festgestellt, daß der extrapolierte Wert der Wellenlänge für die Nullfrequenz erheblich niedriger ist als die Länge der stationären Schichten. Weiter wurde eine Übereinstimmung der Frequenz der laufenden Schichten in der Schichtungswelle mit der Resonanzfrequenz der künstlich hervorgerufenen laufenden Schichten festgestellt.

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Ein neuer Typ der laufenden Schichten in Neon

Ohne Zusammenfassung

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Space charge limited electric currents in thin-film metal-InSb-metal structures

The VA characteristics of thin-film metal-InSb-metal structures are analyzed in the temperature interval from –100 °C to 140 °C, up to an electric field intensity ofE 2×10⁴ V/cm, on samples having an InSb resistivity of 10⁴ cm, and prepared by cathodic sputtering. In interpreting the VA characteristics, we start out from Lampert's theory on space charged limited electric currents, according to which the injection of carriers of one kind is considered and the mobility of the carriers depends upon the electric field intensity. Attention is drawn to the qualitative agreement of the experimental and theoretical results.     

The effective mass of electrons in the intrinsic region of InSb

The effective masses of electrons m _n /m _o in the intrinsic region are calculated on the basis of measurements of the temperature dependence of the total magnetic susceptibility and the Hall coefficient of single-crystal and polycrystalline specimens of n- and p-type InSb. It is shown that the effective masses m _n /m _o are constant in the range considered and their values for the various specimens are 3·43×10^–2 to 3·53×10^–2.     

Новый метод измерени я магнитокалорическ ого эффекта у ферромагни тных полупроводнико в

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