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201.
平板湍流边界层底层的不稳定波 总被引:4,自引:0,他引:4
湍流边界层底层的相干结构及猝发现象对决定边界层的特性有很重要的意义,但直至现在对相干结构的性质及起因仍不清楚。在本文中,对湍流边界层的底层进行了非线性稳定性分析,发现该处确可产生不稳定波,可能用以说明相干结构的起因。 相似文献
202.
203.
To predict the propagation of pressure and flow pulses in arterial system and the variation of vascular input impedance, a
branched and tapered tube model is studied through one-dimensional transient flow analysis. Coupling the continuity and momentum
equations yields a group of quasilinear hyperbolic partial differential equations which can be solved numerically by using
the method of characteristics. Several boundary conditions of the arterial system are also simplified suitably.
The propagation of the pulses of the arterial system and the vascular input impedance is calculated on computer by using the
dimensions and the physiological data of the arterial system. The results point out that the pressure and flow pulses of the
arterial system and the vascular input impedance produced by this theoretical model is consistent quite well with the experimental
results published. 相似文献
204.
周哲玮 《应用数学和力学(英文版)》1988,9(1):77-86
This paper presents a kind of distortion of Hagen-Poiseuille velocity profile in pipe Poiseuille flow. This distortion can be regarded as a general expression of the influence on the mean flow by nonlinear interaction of various components of axisymmetric perturbations. Through the investigation of the stability behaviour of this velocity profile, this paper obtains unstable result induced by axisymmetric perturbations for the first time, and thus presents a new possible approach which leads to instability of Hagen-Poiseuille flow. 相似文献
205.
206.
207.
本文研究了DCEL器件在AC条件下,亮度、效率、有功电流、无功电流及损耗角正切与频率的关系.指出了发光区有效电场强度、发光区的宽度及电压分配系数等都是与频率有关的物理量.证明了有功电流和损耗角正切随频率的变化可分为两个区,在低于1kHz的低频区,有功电流和介质损耗分别以漏导电流和漏导损耗为主,可称为漏导电流区.在大于1kHz的高频区,有功电流中与各种松弛极化形式有关的吸收电流占主导且随频率增加较快.与其相关的,和各种极化有关的介质损耗急剧增加并超过漏导损耗而成为损耗的的主要成分,从而导致发光效率下降.这一区域可称为吸收电流区. 相似文献
208.
ZHANG Zhi-qian 《应用数学和力学(英文版)》2005,26(8):1064-1071
IntroductionAs one of the meshfree methods, multiple scale reproducing kernel particle method(RKPM)[1,2]bears, besides the common features of all meshfree methods, a uniqueinherent feature of multiresolution analysis by which the structural response can b… 相似文献
209.
The present paper discusses our investigation of InGaAs surface morphology annealed for different lengths of time.After annealing for 15 min,the ripening of InGaAs islands is completed.The real space scanning tunneling microscopy(STM) images show the evolution of InGaAs surface morphology.A half-terrace diffusion theoretical model based on thermodynamic theory is proposed to estimate the annealing time for obtaining flat morphology.The annealing time calculated by the proposed theory is in agreement with the experimental results. 相似文献
210.