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981.
A theory of a planar disk-shaped RF plasma source under anomalous skin effect conditions is developed. In the absence of an external magnetic field, such conditions are satisfied for transverse electromagnetic waves with phase velocities below the electron thermal velocity, and, in the presence of this field, they are satisfied for electron cyclotron waves with frequencies corresponding to the resonant absorption line. For each of these cases, the RF field power deposited in a plasma with given parameters is determined and the equivalent plasma resistance is calculated.  相似文献   
982.
The mass spectrum of a coupled state is analytically determined. The mechanism of production of a constituent mass of particles forming a coupled state is explained. The change of the coupled state and constituent particle component masses attendant to changes of the coupling constant is analyzed. The mass spectrum of a two-gluon glueball is determined with allowance for spin-orbital and spin-spin interactions.__________Translated from Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii, Fizika, No. 12, pp. 33–41, December, 2004.  相似文献   
983.
984.
A semiempirical model is proposed for the calculation of electrical, magnetic and thermal parameters of the plasma of a high-frequency induction discharge. The model is based on solving a system of two-dimensional Maxwell equations written for a cylindrical coordinate system.  相似文献   
985.
Based on particular solutions of a system of wave equations which describe electromagnetic processes in an unbounded biisotropic medium and are represented in the form of generalized power series, a dispersion equation is obtained for a two-layer circular waveguide with a chiral and a dielectric layer. The solution of the dispersion equation is analyzed for some types of natural waves.  相似文献   
986.
987.
A possibility of application of semiconductor lasers of the visible range as exciting sources for Raman spectroscopy is studied. An experimental set-up for measuring Raman spectra of polycrystalline dielectrics and broad-gap semiconductors excited by a semiconductor laser with a wavelength of 640 nm was created. The conditions under which the spectral width of the lasing line of a semiconductor laser was within 10-3 cm-1 in the continuous mode with a power of 10 mW are realized. The characteristics of various types of exciting sources used in Raman spectroscopy are compared. The results of studies of the characteristic Raman spectra excited with a semiconductor laser in polycrystalline sulfur are presented.  相似文献   
988.
A physical multidimensional local model of the propagation process of a laser pulse in air having no analogy to famous models in laser physics is constructed. It is based on the representations of classical wave mechanics characteristic of the theory of scalar wave fields.  相似文献   
989.
990.
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