生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响

利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料，获得表面平整．光亮的In0.53Ga0.47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高，为了保证铟在固相中组分不变，必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时，外延层表面粗糙。生长温度在630℃与650℃之间，X射线双晶衍射曲线半高宽最窄，高于或低于这个温度区间，半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值，然后随着生长湿度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大，在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小。     

传输交流的Bi2223/Ag高温超导带在不同取向交流外场下的交流损耗

在高温超导的电力应用中，如超导电机、变压器等，多数情况下，高温超导带材在通以交流传输电流的同时还处于交变磁场中。此时，超导体的交流损耗不仅依赖于磁场的大小，还与磁场相对于超导带面的取向有关。本文在77K及工频50Hz情况下，实验研究了单根多芯Bi2223/Ag高温超导带及两带并联时的交流损耗随着外磁场与带面夹角的变化情况；以及交流磁场对临界电流的影响情况；并对单根带及两带并联的实验结果进行了比较与分析。     

Microstructural and mechanical analysis of Cu and Au interconnect on various bond pads

Effects of High Temperature Storage (HTS) and bonding toward microstructure change of intermetallic compound (IMC) at the wire bonding interface of 3 types of bond pad (Al, AlSiCu and NiPdAu) were presented in this paper. Optical and electron microscope analyses revealed that the IMC growth rate of samples under 175 and 200 °C HTS increased in the order of Al > AlSiCu > NiPdAu. Besides, higher HTS and bonding temperatures also promoted higher IMC thickness. The compositional study showed that higher HTS and bonding temperature developed rapid interdiffusion in bonding interface. In the mechanical ball shear test, a decrease of the shear force of Al and AlSiCu bond pads after 500 h HTS was believed due to poorly developed IMC at bonding interface. On the other hand, shear force degradation at 1000 h was due to excessive growth of IMC that in turn causes the formation of defects. For NiPdAu bond pad, increasing trend of shear force with HTS duration at 175 °C implied a good reliability of the Cu wire bonding. The rapid microscopic inspection on Cu wired Al bond pad under HTS 175 °C showed the IMC development from the periphery to the center of the ball bond. However, after 500 h voids started to develop until the crack was observed at 1000 h.     

准位相匹配铌酸锂波导倍频特性分析与优化设计

用标量有限元方法计算了周期性极化的铌酸锂光波导中模折射率和模场分布,并在计算中引入铌酸锂晶体折射率与温度变化的关系,分析了准位相匹配铌酸锂波导倍频效率与极化反转光栅周期、基频光波长、波导器件温度等关系.理论分析与实验结果符合得很好.在此基础上,分析了波导制作参数与倍频效率、光栅周期与晶体温度,以及温度带宽与光栅通光方向长度等关系,进而对铌酸锂波导倍频器件进行优化设计. 关键词： 铌酸锂 光波导 准位相匹配 有限元     

平面圆形膜片式光纤布拉格光栅温度补偿压强传感

报道了利用光纤布拉格光栅反射波谱带宽展宽技术实现温度补偿的压强传感新方案。结合平面圆形膜片应变调谐的特点,采用膜盒式结构,将光纤光栅中心对准平面圆形膜片零应变半径并沿径向粘贴,利用反射波谱带宽对应变敏感而对温度不敏感的特性解调压强,成功地实现了温度补偿的压强传感测量。基于光谱分析仪0.05nm的光谱分辨力,实验测得带宽随压强响应灵敏度为0.34nm/MPa,压强精度为±0.15MPa,压强测量范围为0~7.5MPa。实验结果与理论分析基本一致。     

生物小分子与铜锌超氧化物歧化酶相互作用的波谱学研究及其应用

本工作以ESR和NMR为主要手段,并结合其它生化方法,考察了氨基酸、核酸碱基、糖等生命基本物质,和抗坏血酸等生命必需物质与钢锌超氧化物歧化酶的相互作用,实验观测到氨基酸、核酸碱基和抗坏血酸在水溶液中可以与酶中的Cu²⁺作用而使其脱离活性部位,以小分子络合物形式游离在溶液中,同时使酶失活,脱离活性部位的Cu²⁺的比例和酶的失活程度取决于小分子配体的加入量及其与Cu²⁺的络合能力。此外,首次尝试使用ESR方法,并借助氨基酸与酶的作用,考察了铜锌超氧化物歧化酶在盐酸胍变性和热变性过程中的构象变化行为,结果表明这一方法是直观而有效的。     

远红外自由电子激光器的整体数值模拟

 基于中物院远红外自由电子激光装置，采用一种注重横向问题的整体数值模拟方法进行了计算。并将结果与随机抽样的计算结果作了比较，发现两者差异较大，自由电子激光的性能强烈地依赖于电子束性质。采用这种整体数值模拟方法对于较准确地计算和预计自由电子激光器诸光学参量是必要的。     

聚氨酯抛光片在透镜高效生产中的应用

本文对聚氨酯抛光片的性能、特点作了概要介绍，在透镜生产中应用聚氨酯抛光片单块加工及成盘加工的方法分别作了讨论，以及众多的工艺因素作了较为详细的分析，介绍了常出现的光圈异常现象的排除方法，从而达到稳定、高效的目的。     

基于飞行时间技术的PET发展历史与现状

简要介绍了基于飞行时间（Time of Flight, 简称TOF）技术的正电子发射断层扫描成像（Positron Emission Tomography, 简称PET）的基本原理, 回顾了TOF-PET成像设备的发展历史, 讨论了影响TOF PET时间分辨率的主要因素, 并对TOF-PET给图像重建技术带来的挑战进行了分析。 最后, 重点介绍了TOF-PET技术所带来的优势, 使用TOF技术可以有效地改善图像质量, 并且为临床诊断和临床前研究带来便利。 The principle of time of flight (TOF) positron emission tomography (PET) and a brief review of the history of TOF-PET are introduced. The factors influencing the time resolution of a TOF-PET scanner are presented, especially focus on the intrinsic properties of scintillators and front end electronics. Challenges and achievements of the structure of data organization and image reconstruction are reviewed. Finally, the benefits of TOF-PET on image quality improvement and tumor detection are emphasized.     

酰肼类抗结核病药物的3D-QSAR研究

采用三维全息原子场作用矢量(3D-HoVAIF)对115个酰肼类抗结核病药物进行定量构效关系(QSAR)研究.运用多元线性回归(MLR)和偏最小二乘回归(PLS)建模,同时采用内部及外部双重验证的办法对所得模型稳定性能进行了深入分析和检验.MLR建模和PLS建模的复相关系数(R2cum)、留一法交互校验复相关系数(Q2LOO)以及外部样本校验复相关系数(Q2ext)分别为0.766、0.663、0.748和0.733、0.614、0.715.结果表明,3D-HoVAIF能较好表征抗结核药物分子结构信息,所建QSAR模型具有良好稳定性和预测能力,为抗结核病药物的研发提供一定的理论基础.