Characteristics of pentacene organic thin film transistor with top gate and bottom contact

High performance pentacene organic thin film transistors (OTFT) were designed and fabricated using SiO₂ deposited by electron beam evaporation as gate dielectric material. Pentacene thin films were prepared on glass substrate with S--D electrode pattern made from ITO by means of thermal evaporation through self-organized process. The threshold voltage V_TH was --2.75± 0.1V in 0---50V range, and that subthreshold slopes were 0.42± 0.05V/dec. The field-effect mobility (μ_EF) of OTFT device increased with the increase of V_DS, but the μ_EF of OTFT device increased and then decreased with increased V_GS when V_DS was kept constant. When V_DS was --50V, on/off current ratio was 0.48× 10⁵ and subthreshold slope was 0.44V/dec. The μ_EF was 1.10cm²/(V.s), threshold voltage was --2.71V for the OTFT device.     

Structure properties and Noether symmetries for super-long elastic slender rod

DNA is a nucleic acid molecule with double-helical structures that are special symmetrical structures attracting great attention of numerous researchers. The super-long elastic slender rod, an important structural model of DNA and other long-train molecules, is a useful tool in analysing the symmetrical properties and the stabilities of DNA. This paper studies the structural properties of a super-long elastic slender rod as a structural model of DNA by using Kirchhoff＇s analogue technique and presents the Noether symmetries of the model by using the method of infinitesimal transformation. Baaed on Kirchhoff＇s analogue it analyses the generalized Hamilton canonical equations. The infinitesimal transfornaationa with rcspect to the radial coordinnte, the gonarnlizod coordinates, and the Cluasi-momenta of 5he model are introduced. The Noether gymmetries and conserved qugntities of the model are obtained.     

纳米团簇B92的密度泛函理论研究

利用密度泛函理论(DFT)研究了一种新颖的准球形纳米团簇B92.经过结构优化和频率分析,这一准球形笼状团簇的直径为0.968 nm,其结构满足Eoustani提出的"Aufbau principle".团簇B92的平均结合能、能隙(HOMO-LUMO gap)、垂直电离势(VIP)及垂直电子亲和势(VEA)分别为5.28 eV,1.19 eV,5.47eV及2.45 eV.计算所得到的红外谱(IR)上有一个明显的峰在895 Cm-1处.此谱将有助于从实验上确定本文所提出的团簇B92的结构,团簇B92的电荷分布表明,其有望成为未来纳米电子学中的一种电容器,另外,作为比较,本文也给出了其他一些笼状硼团簇的性质.     

热舟蒸发LaF3薄膜的紫外性能研究

研究了沉积温度对热舟蒸发氟化镧薄膜结构和光学性能的影响,沉积温度从200℃上升到350℃,间隔为50℃.采用分光光度计测量了样品的透射率和反射率光谱曲线,并在此基础上进行了光学损耗、光学常数以及带隙和截止波长的计算.采用表面轮廓仪进行了表面形貌和表面粗糙度的标定,采用X射线衍射(XRD)方法测量了不同沉积温度下样品的微结构.发现在短波长波段,随着沉积温度的升高,光学损耗增加,晶粒尺寸增大,表面粗糙度略有增加.不过散射损耗在光学损耗中所占比例均很小,光学损耗的增加主要由吸收损耗引起.随着沉积温度的升高,折射 关键词： 光学薄膜 沉积温度 3')" href="#">LaF₃ 光学损耗     

随机多孔介质逾渗模型渗透率的临界标度性质

研究了一类非零键渗透率满足均匀分布的随机多孔介质逾渗模型-数值计算了该模型系统渗透率在临界点处的标度指数-结果表明该指数并不能看作是普适常数,而与均匀分布的参数有关-这意味着即使非零键渗透率值的概率密度函数满足负一阶矩存在条件,系统渗透率在逾渗临界点处的标度指数仍然依赖于分布函数的具体参数,并不是常数-这一数值结果与Sahimi对此问题的结论不同- 关键词： 逾渗 随机多孔介质 标度指数 渗透率     

Gerdjikov-Ivanov方程的精确解

研究在量子场理论、弱非线性色散水波、非线性光学等领域中出现的Gerdjikov-Ivanov方程.对Gerdjikov-Ivanov方程的研究会导出具有高次非线性项的非线性数学物理方程.选取Liénard方程作为辅助常微分方程,借助于它并根据齐次平衡原则,求解了Gerdjikov-Ivanov方程,得到了该方程的包络孤立波解和包络正弦波解. 关键词： 齐次平衡原则 F展开法 Gerdjikov-Ivanov方程 包络孤立波解     

高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究

不同电荷态低速离子(Ar^q+,Pb^q+)轰击Si(110)晶面,测量不同入射角情况下的次级粒子的产额. 通过比较溅射产额与入射角的关系,证实沟道效应的存在. 高电荷态离子与Si相互作用产生的沟道效应说明溅射产额主要是由动能碰撞引起的. 在小角入射条件下,高电荷态离子能够增大溅射产额. 当高电荷态离子以40°—50°入射时,存在势能越高溅射产额越大的势能效应. 关键词： 高电荷态离子 溅射 沟道效应     

光谱开关与多色光场的奇点光学效应

推导出多色高斯光束和高斯-谢尔模型光束通过杨氏实验双缝传输的谱强度公式.对完全空间相干光和部分空间相干光照明杨氏实验装置出现的光谱开关作了详细研究,并判断其是否属于奇点光学效应. 结果表明：多色场奇点光学效应的判据应当是光谱开关出现时的谱强度极小值S_min=0,而不是总光强极小值I_min=0. 当用多色高斯-谢尔模型光束照明杨氏实验装置时,在近场和远场产生的光谱开关都不属于奇点光学效应. 当用多色高斯光束照明杨氏实验装置时,只有远场产 关键词： 光谱开关 奇点光学效应 完全相干和部分相干 多色光场     

纳米ZnO和ZnO-SiO2复合薄膜的光学性质研究

通过溶胶凝胶(sol-gel)法分别在玻璃衬底上制备了ZnO纳米薄膜和ZnO-SiO₂纳米复合薄膜,并利用紫外-可见光分光光度计对薄膜的光学性能进行了分析.可见光-紫外透射谱显示,随着ZnO溶胶浓度从0.7mol/L降低到0.006mol/L,制备的ZnO薄膜从只出现一个380nm(对应的光学禁带宽度为3.27eV)左右的吸收边到在380和320nm(对应的光学禁带宽度为3.76eV)左右各出现一个吸收边,并且随着ZnO溶胶浓度的降低,在380—320nm波段内的透过率明显提高.而Z 关键词： 纳米ZnO 2复合薄膜')" href="#">ZnO-SiO₂复合薄膜 溶胶凝胶法 透射率     

一类不确定延迟神经网络的自适应投影同步

研究了一类参数不确定的延迟神经网络的投影同步,基于Lyapunov稳定性理论,设计了一种新型的自适应控制方法.该方法能同时实现一类参数不确定延迟神经网络的参数识别和投影同步.数值模拟证明了该方法的有效性. 关键词： 延迟神经网络 Lyapunov稳定性理论 参数识别 投影同步