首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   17071篇
  免费   3094篇
  国内免费   3419篇
化学   13158篇
晶体学   268篇
力学   1098篇
综合类   291篇
数学   1994篇
物理学   6775篇
  2024年   49篇
  2023年   326篇
  2022年   653篇
  2021年   668篇
  2020年   757篇
  2019年   731篇
  2018年   624篇
  2017年   622篇
  2016年   760篇
  2015年   848篇
  2014年   1012篇
  2013年   1280篇
  2012年   1429篇
  2011年   1551篇
  2010年   1193篇
  2009年   1152篇
  2008年   1224篇
  2007年   1072篇
  2006年   1084篇
  2005年   916篇
  2004年   696篇
  2003年   559篇
  2002年   690篇
  2001年   532篇
  2000年   486篇
  1999年   435篇
  1998年   320篇
  1997年   262篇
  1996年   225篇
  1995年   222篇
  1994年   188篇
  1993年   152篇
  1992年   160篇
  1991年   135篇
  1990年   111篇
  1989年   87篇
  1988年   91篇
  1987年   54篇
  1986年   54篇
  1985年   45篇
  1984年   35篇
  1983年   20篇
  1982年   17篇
  1981年   15篇
  1980年   10篇
  1979年   10篇
  1974年   3篇
  1959年   3篇
  1957年   4篇
  1930年   3篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
The paper introduces a special system calibration technology in s-parameters measurement of microwave and millimeter wave devices. The 8-term errors module is built by analyzing the signals flowing in the measurement system. Then the calibration technology using non-standard kits is designed on the base. Finally, the experiment using the calibration technology is introduced.  相似文献   
12.
陈骝  周玉美  蔡诗东 《物理学报》1981,30(11):1448-1455
本文论证了当泵浦波的强度足够强时,在相当普遍的条件下,对均匀等离子体,唯一可以发生的参量不稳定性是类似于弱场的振荡二束不稳定性(OTSI)。对均匀及弱不均匀等离子体,高频强泵浦场激发的参量不稳定性都是绝对不稳定性。同样的性质在磁化等离子体中也可以得到。 关键词:  相似文献   
13.
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM).  相似文献   
14.
NA列加权乘积和的完全收敛性   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文讨论了NA和几类加权部分和及加权乘积和的完全收敛性,其中部分结果要优于iid列的已知结论。  相似文献   
15.
基元阀在汽轮机进汽阀研究中的应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
阀碟型线对汽轮机进汽阀的性能影响很大,本文设计了三种形式的基元阀,通过数值模拟手段研究了阀碟型线对流场的影响;得出了不同阀碟形式的性能.  相似文献   
16.
新颖外燃式湿空气燃气轮机循环及性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文首先提出一种新型的高效燃煤燃气轮机循环一外燃式湿空气透平循环动力系统。由于外燃的特点,作功工质为洁净湿空气,从而可以实现水的回收,是对常规HAT循环的突破;另外洁净湿空气排放不受通常烟气露点限制,从而可回收利用湿空气降温时的低温凝结潜热,提高了加湿能力,从而提高系统性能。揭示了新型循环的基本规律;推导出具有湿化特点的约束方程和系统性能简明表达式,指明影响系统性能的关键因素。在透平初温为850℃的工况下,系统热效率高达48.11%。基于能量品位梯级利用原理和系统集成方法论,通过探索充分而合理利用中低温余热的有效途径,开拓洁净煤燃气轮机总能系统的新方向。  相似文献   
17.
利用国家同步辐射实验室合肥光源的真空紫外同步辐射,使NO分子和Ar原子混合物的超声分子束发生光电离,测量了Ar,NO和异类团簇Ar·NO的光电离效率谱. 在谱中,在与Ar原子的共振线对应的能量区域(11.5—12.0 eV)观察到一个强的类共振结构. 这个结果表明,在异类团簇Ar·NO的内部,稀有气体Ar原子的激发能转移到与它接触的分子NO上,使分子NO发生电离. 关键词: Ar·NO团簇 同步辐射 光电离 能量转移  相似文献   
18.
张鹏  周印华  刘秀芬  田文晶  李敏  张国 《物理学报》2006,55(10):5494-5498
研究了不同比例的PVK与齐聚PPV衍生物DBVP掺杂体系的能量转移和发光特性.通过对PVK,DBVP及PVK:DBVP掺杂体系的UV-vis,PL和PLE光谱的研究,分析了PVK与DBVP之间的能量转移过程.利用PVK在体系中类似于溶剂的分散作用,制备了结构为ITO/PEDOT/PVK:DBVP/LiF/Al的电致发光器件,研究了掺杂体系的电致发光性能.结果表明,在掺杂体系的光致发光和电致发光中,PVK的发射被有效地抑制,PVK与DBVP之间发生了非常有效的能量转移,通过调节PVK与DBVP的比例,可以获得蓝色和绿色发光,同时可以改善器件的发光性能,当PVK与DBVP的重量比为1∶2时,器件的绿色发光效率达到1·06cd/A,此时发光亮度为52cd/m2.  相似文献   
19.
20.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号