FTIR光谱方法对比分析少年和老年软骨成分含量

利用傅里叶变换红外(FTIR)光谱方法测量了少年和老年人软骨的红外光谱。由OMNIC 5.2软件计算了软骨中主要有机成分(胶原)和无机成分相关光谱带的积分面积。对代表有机物和无机物的某些谱带面积大小进行了比较。结果表明：软骨中有机成分(酰氨Ⅰ)含量与无机成分(PO3-₄)含量之比少年是老年人的5～7倍;然而脂类含量却有很大的不同, 对脂类(1 747 cm-1)与无机物(PO3-₄)的谱带积分面积进行比较,老年人软骨中脂类含量明显高于少年。作者认为人体随着年龄的增加,全身性的退化在软骨中的总体表现为有机成分(胶原)的减少(而脂类含量却增加)和无机成分(磷酸盐、碳酸盐等)相对的增加,使得软骨骨质变脆,失去过多弹性,耐磨性减低,是进一步容易导致骨病和骨伤的原因。     

凝胶渗透色谱-十八角激光散射仪(GPC-MALLS)的应用:浓度、流量、温度对高分子分子量及其分布的影响

采用凝胶渗透色谱(GPC)/示差折光指数(RI)/十八角激光散射仪(MALLS)联用技术,以乙二胺改性聚乳酸(DMPLA)为样品,溶解于四氢呋喃(THF)中,先单机测定其dn/dc(比折光指数增量)值与A2(第二瑞利系数)值,后在不同的浓度、流量、温度条件下,研究其分子量及其分子量分布的变化。结果表明:dn/dc值为0.0521±0.0017 mL/g,A2值为(4.518±0.613)e-3 mol mL/g?,随着浓度、流速的增加,分子量也在增加,对分布影响不大,温度对分子量的测定影响不大,然而经过分析,认为在3.0mg/ml、1.0ml/min、34℃时测量的数据比较合适。     

转换屏发光光谱对闪光照相成像质量影响研究

转换屏的X射线激发发光光谱与透镜系统的匹配偏差会对闪光照相光电接收系统的成像质量造成影响.提出了一种一维线阵全分辨的模拟计算方法,对在理想光源照射下系统成像视觉全分辨能力进行了模拟计算.用白光光源加滤波片照明分辨率板的实验方法,对不同光源照射下系统的成像质量进行了评估.分析表明,转换屏发光宽光谱及其中心波长与透镜系统不匹配均对成像分辨率造成一定影响,而对图像对比度造成较大影响.只有在透镜系统针对的消像差波段540～550 nm附近窄带发光的转换屏,其成像质量才能基本不受匹配影响,近似于模拟计算的结果.     

射流式单重态氧发生器的气液两相耦合模型

 将气液两相耦合模型应用于射流式单重态氧发生器,通过数值模拟和实验的比较验证了该模型的可行性。分析了发生器工作参数对其动力学过程的影响,发现在保持其它参数不变的情况下,氯气和BHP溶液的相对浓度决定了发生器动力学过程的类型。给出了利用氯气吸收速率变化曲线判定发生器动力学过程类型的方法。在原有模型基础上考虑了热效应及其对模型参数的影响,计算了水蒸气的含量。模型改进后,模拟结果更接近于实验值。     

筒仓效应观测仪的设计及其应用

设计并制作了观测静态颗粒物质筒仓效应的实验系统,应用该装置研究了筒仓效应的尺寸依赖性.实验结果表明:圆柱形容器中的颗粒物质对于容器底部的饱和压力依赖于容器直径的3次方,而改变填入颗粒的直径时则饱和压力并无明显改变.     

温度对Al0.5Ga0.5As/AlAs分布布喇格反射器的反射谱影响

采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了－10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明：随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出：该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义.     

大口径方形离轴非球面的非球面度计算与应用研究

采用不同的数值计算方法求解了大口径(340mm×340mm)方形离轴非球面的最接近球面曲率半径和非球面度,得出了各种不同的磨削量及其对应的分布结构。对不同的最接近球面及非球面度所适用的加工工艺和检测方法进行了分析和评价。这对离轴非球面的加工和检测具有一定的指导意义。     

晶场二级效应与交换作用对PrF3晶体磁性及磁光性质的影响

研究了晶场二级效应在PrF₃晶体中的作用，发现该效应可使Pr³⁺离子的晶场单态与其他态混合，对PrF₃晶体磁化率产生明显影响.进一步研究了晶体内的交换作用有效场，其形式为H_in=(1.9-0.02556T)×10^-5M，在100—300 K的温度范围内，以此计算的PrF₃晶体的倒数磁化率和Verdet常数的倒数与实验值符合较好.结果表明，在PrF₃晶体中，晶场二级效应与离子间的交换作用都不能忽略. 关键词： 晶场二级效应 交换作用有效场 Verdet常数 3晶体')" href="#">PrF₃晶体     

Deterministic weak localization in periodic structures

In some perfect periodic structures classical motion exhibits deterministic diffusion. For such systems we present the weak localization theory. As a manifestation for the velocity autocorrelation function a universal power law decay is predicted to appear at four Ehrenfest times. This deterministic weak localization is robust against weak quenched disorders, which may be confirmed by coherent backscattering measurements of periodic photonic crystals.     

The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of enhancement-mode A1GaN/GaN high-electron-mobility transistors

The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron- mobility transistors （E-mode HEMTs） are investigated. The results show that having been irradiated by^60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad （Si）, the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode A1GaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated.