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Gas-phase 21Ne nuclear magnetic resonance spectra were measured at the natural abundance of 21Ne isotope for samples consisting of pressurized neon up to 60 bar at room temperature and applying the magnetic field of the strength B0 = 11.7574 T. It showed that the nuclear magnetic resonance frequency is linearly dependent on the density of gaseous neon. The resonance frequency was extrapolated to the zero-density point, and it permitted the determination of the 21Ne nuclear magnetic moment, μ(21Ne) = 0.6617774(10) μN. The present value of μ(21Ne) is not influenced by the bulk magnetic susceptibility of neon and interactions between neon atoms; therefore, it is more precise and reliable than the previous result obtained for μ(21Ne). 相似文献
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Kai Xu Zhenchang Tang Yan Zhang Wanshu Li Haiou Li Lihui Wang Liming Liu Honghang Wang Feng Chi Xiaowen Zhang 《Current Applied Physics》2019,19(10):1076-1081
Germanium dioxide (GeO2) aqueous solutions are facilely prepared and the corresponding anode buffer layers (ABLs) with solution process are demonstrated. Atomic force microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and ultraviolet photoelectron spectroscopy measurements show that solution-processed GeO2 behaves superior film morphology and enhanced work function. Using GeO2 as ABL of organic light-emitting diodes (OLEDs), the visible device with tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium as emitter gives maximum luminous efficiency of 6.5 cd/A and power efficiency of 3.5 lm/W, the ultraviolet device with 3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole as emitter exhibits short-wavelength emission with peak of 376 nm, full-width at half-maximum of 42 nm, maximum radiance of 3.36 mW/cm2 and external quantum efficiency of 1.5%. The performances are almost comparable to the counterparts with poly (3,4-ethylenedioxythiophene):poly (styrenesulfonate) as ABL. The current, impedance, phase and capacitance as a function of voltage characteristics elucidate that the GeO2 ABL formed from appropriate concentration of GeO2 aqueous solution favors hole injection enhancement and accordingly promoting device performance. 相似文献
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