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本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献
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Tang L.C. Chang C.C. Chen T.C. Yau H.F. Ye P.X. 《Optical and Quantum Electronics》2002,34(12):1241-1249
We propose a novel geometry for a self-pumped phase conjugator that uses a +c-face incident configuration in a photorefractive pentagon-shaped 0°-cut BaTiO3 crystal for obtaining fast response in phase conjugation. A steady phase-conjugate output with a fast response time 0.4 s is obtained when the incident beam has a 4 W/cm2 intensity. The influences of position and angle on the temporal phase-conjugate response are also investigated. The advantage of this phase conjugator using this novel configuration is improved resolution of a phase-distorted image with a value as high as 128 lp/mm. 相似文献
108.
Syntheses, structures, and properties of novel molybdenum and tungsten complexes of fullerenes 总被引:1,自引:0,他引:1
The synthesis and characterization of several fullerene-based organometallic complexes containing Mo and W is reported. 相似文献
109.
110.
本文来自于作者的实践。介绍了加工方法及测量问题。重点叙述了加工中的一些关键,同时也提供了国内外在这方面的进展情况。 相似文献