首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   8040篇
  免费   1131篇
  国内免费   645篇
化学   5616篇
晶体学   52篇
力学   423篇
综合类   24篇
数学   1035篇
物理学   2666篇
  2024年   23篇
  2023年   173篇
  2022年   265篇
  2021年   310篇
  2020年   335篇
  2019年   288篇
  2018年   269篇
  2017年   223篇
  2016年   360篇
  2015年   335篇
  2014年   439篇
  2013年   540篇
  2012年   675篇
  2011年   717篇
  2010年   479篇
  2009年   402篇
  2008年   487篇
  2007年   429篇
  2006年   411篇
  2005年   321篇
  2004年   236篇
  2003年   182篇
  2002年   148篇
  2001年   145篇
  2000年   146篇
  1999年   150篇
  1998年   121篇
  1997年   105篇
  1996年   142篇
  1995年   126篇
  1994年   81篇
  1993年   79篇
  1992年   88篇
  1991年   75篇
  1990年   83篇
  1989年   58篇
  1988年   38篇
  1987年   34篇
  1986年   30篇
  1985年   26篇
  1984年   21篇
  1983年   24篇
  1982年   22篇
  1981年   15篇
  1979年   22篇
  1978年   23篇
  1977年   20篇
  1976年   16篇
  1975年   15篇
  1973年   18篇
排序方式: 共有9816条查询结果,搜索用时 0 毫秒
51.
Alignment carbon nanotubes (ACNTs) were synthesized on silicon substrate coated with Ni catalyst film and Ta buffer layer by plasma-enhanced hot filament chemical vapor deposition using CH4, NH3, and H2 as the reaction gas, and they were investigated by scanning electron microscopy and transmission electron microscopy. It is found that the diameter of the bamboo-structured ACNTs is increased from 62 to 177 nm when the substrate temperature was changed from 626 to 756 °C. Their growth rate is enhanced by the substrate temperature in a range of 626-683 °C and it is reversely reduced with the substrate temperature after the substrate temperature is over 683 °C. Beginning with wetting phenomenon, the effects of the substrate temperature on the structure and growth rate of the ACNTs are analyzed.  相似文献   
52.
This paper introduces the principles, instrumentation, implementation, and industrial applications of an on-line thermal neutron prompt-gamma element analysis system (using a252Cf neutron source, Am–Be neutron source, or neutron generator). The energy resolution of the system at the H prompt-gamma full-energy photopeak (2.22325 MeV) is 3.6 keV. The concentration measurement error of Al2O3, FeO3, CaO, and SiO2 is ±0.3%, ±0.1%, ±0.4%, and ±0.4%, respectively. The system has been tested on-site at both the Shandong and the Zhengzhou Aluminium Works. Our preliminary on-site measurements confirm that the stability, reliability, measurement range, and accuracy of the system can meet the requirements of the aluminium production process. Facilitation of this measurement at aluminium plants is expected to reduce plant costs by over 3 million dollars annually through reduced energy consumption, more rapid qualification of pulps being mixed during the production process, and in reduced labor costs.Other participants of Shandong and Zhenghou Aluminium Works are: Wang Aili, Zengshen, Dei Jianguo and Lu Jinnan, Wang Deyu, Jin Hequan.  相似文献   
53.
54.
55.
Pd thin films, grown on Si-rich 6H-SiC(0 0 0 1) substrates, were studied by atomic force microscopy, electron diffraction and high-resolution transmission electron microscopy. It is concluded that the growth is successful only when all the growth process takes place at room temperature. Under these conditions a very good epitaxial growth of Pd is achieved, despite the large misfit (about 8.6%) between Pd and the substrate and the existence of a semi-amorphous layer between the thin film and the substrate. A large number of twins appear in these films.  相似文献   
56.
Summary Some stability and convergence theorems of the modified Ishikawa iterative sequences with errors for asymptotically nonexpansive mapping in the intermediate sense and asymptotically pseudo contractive and uniformly Lipschitzian mappings in Banach spaces are obtained.  相似文献   
57.
58.
乐开端  王创社 《光子学报》1996,25(10):906-908
电子散斑干涉计量在变形量检测1、无损探伤、振动分析(2,3)等领域具有广泛的应用前景,目前它之所以未能实用化,最重要的原因就是该系统对环境的要求过高,特别是物体的振动和空气的扰动对测量结果影响很大,甚至会导致测量失败,因而国内外学者在不断寻找解决此问题的锁相技术。本文提出了一种简易的切实可行的锁相方法-光学锁相法,消除了物体的振动和空气扰动对电子散斑测量的影响。  相似文献   
59.
60.
关于Fe(Ⅲ)-邻菲罗啉(phen)溶液的光化学还原现象的记载可追溯到十九世纪末。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号