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Zhi HuLi Chen Bin ZhaoYuan Luo De-Yi WangYu-Zhong Wang 《Polymer Degradation and Stability》2011,96(3):320-327
A novel silicon- and phosphorus-containing flame retardant, poly (9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide siloxane), P(DOPO-VTES) was synthesized from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide(DOPO) and vinyltriethoxy silane(VTES). Its chemical structure was confirmed by FTIR. The thermal gravimetrical analysis (TGA) showed that P(DOPO-VTES) had good thermal stability and a high of char yield (86.31%) at 700 °C in nitrogen atmosphere. Its XRD patterns showed that this compound had a certain ordered structure. P(DOPO-VTES) was blended with polycarbonate (PC) together with montmorillonite(MMT) to prepare a series of organic-inorganic hybrids of flame retardant (PC)/P(DOPO-VTES)/MMT via melt blending. The thermal degradation behavior and flame retardancy of those hybrids were investigated with TGA, limiting oxygen index (LOI), vertical burning test (UL-94), and cone calorimeter. The LOI value of the flame-retardant PC systems could reach a maximal value of 32.8 when the content of P(DOPO-VTES) was 5 wt%. When 2 wt% MMT was added into the PC/5%P(DOPO-VTES) system, the UL-94 rating reached V-0. The possible flame retardant mode of MMT was studied via the dynamic rheological properties of the systems and the morphology of the chars remaining after the LOI test and the cone calorimeter test. 相似文献
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通过极差分析研究了不同浓度的硝酸镧和生长素组合对长柄扁桃试管苗生根的影响。结果表明:对长柄扁桃生根影响的主次因素为硝酸镧(La(NO3)3)>吲哚丁酸(IBA)>吲哚乙酸(IAA),最优组合为La(NO3)320 mg·L-1+IBA 0.2 mg·L-1+IAA 0.2 mg·L-1。在此条件下培养42 d后,长柄扁桃试管苗根的诱导频率达到89%,平均根长达到9.2 cm,每株根的平均个数为9.7个。对长柄扁桃的根组织活力进行测定,结果表明添加镧的处理组根系还原力是对照(不加镧)组的1.57倍。经过移栽驯化2个月后,长柄扁桃组培苗的移栽成活率达到94%,株高是对照的1.53倍。 相似文献
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关于代数体函数的微分多项式 总被引:1,自引:0,他引:1
本文证明υ值代数函数的微分多项式是一λ值(1≤λ≤υ)代数体函数,即υ值代数体函数ω=ω(z)的微分多项式p(ω)可以被如下方程确定:[ελ(z)p^λ ελ-1(z)p^λ-1 … ε0(z)]^k=0这里ε0(z),ε1(z),…,ελ(z)为整函数且无公共零点,λ和k为正整数且λk=υ。 相似文献
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本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了立方相Cu_3N晶体中含Cu、N空位体系的稳定性、电学、光学性能.研究结果表明含Cu空位和N空位体系的结构比较稳定,Cu空位和N空位降低了体系的导电性,但增加了体系的透射率;含Cu空位和N空位体系的禁带宽度均大于Cu_3N体系,说明实验中制备的Cu_3N有时表现为绝缘体的可能原因为体系中存在Cu空位或N空位. 相似文献