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51.
同轴双无衍射光的理论与实验 总被引:5,自引:3,他引:2
提出同轴双无衍射光的概念。如果两束汇聚角略有不同的同轴无衍射光同时存在,则它们相互之间叠加干涉后产生一种纵向呈周期变化的光场结构,这是一种新的光束空间分布,这种光束在横向仍是一种同心环光斑,可用于精密对准。而在不同纵向位置,这些同心环的强度分布是不同的,且是周期性变化的。同轴双无衍射光的轴向周期性可用于沿光束传播方向的定位。文中提出了双环缝法、分段圆锥透镜法、正弦相位环光栅法等实现同轴双无衍射光的理论与实验方法,分析了同轴双无衍射光的横向与纵向传播的衍射光斑特性,理论计算与实验测量的结果基本相符合。 相似文献
52.
53.
Using the theoretically calculated point-defect total-energy values of Baraff and Schlüter in GaAs, anamphoteric-defect model has been proposed by Walukiewicz to explain a large number of experimental results. The suggested amphoteric-defect system consists of two point-defect species capable of transforming into each other: the doubly negatively charged Ga vacancyV
Ga
2–
and the triply positively charged defect complex (ASGa+V
As)3+, with AsGa being the antisite defect of an As atom occupying a Ga site andV
As being an As vacancy. When present in sufficiently high concentrations, the amphoteric defect systemV
Ga
2–
/(AsGa+V
As)3+ is supposed to be able to pin the GaAs Fermi level at approximately theE
v
+0.6 eV level position, which requires that the net free energy of theV
Ga/(AsGa+V
As) defect system to be minimum at the same Fermi-level position. We have carried out a quantitative study of the net energy of this defect system in accordance with the individual point-defect total-energy results of Baraff and Schlüter, and found that the minimum net defect-system-energy position is located at about theE
v
+1.2 eV level position instead of the neededE
v
+0.6 eV position. Therefore, the validity of the amphoteric-defect model is in doubt. We have proposed a simple criterion for determining the Fermi-level pinning position in the deeper part of the GaAs band gap due to two oppositely charged point-defect species, which should be useful in the future. 相似文献
54.
55.
关于独立同分布随机变量部分和的增量有多小问题,目前已有了著名的结果.本文通过与独立同分布情形时完全不同的途径,讨论了独立不同分布情形时相应的问题.在矩母函数存在的条件下,获得了与同分布情形相近的结论. 相似文献
56.
57.
本文研究了具有中心环域的可积多项式系统,探讨此系统在用多项式进行微扰的情况下,其所对应的Abel积分的零点个数的计算方法,给出了一个较为实用的定理,并举出了若干个应用的例子. 相似文献
58.
59.
成功制备了结构为ITO/PDDOPV/PPQ/Al的异质结聚合物发光二极管。该器件在正反向偏压下均可发光。在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV,但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射。蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加,当反向直流电压分别为22V、24V、26V、28V时,其电致发光光谱中PPQ与PDDOPV的峰高比IPPQ/IPDDOPV分别为1.092、1.329、1.605、2.046。换句话说,该器件的发光颜色是压控可调的,这对实现彩色显示是极为有利的。分析了在反向偏压下的发光机理以及IPPQ/IPDDOPV受电压控制的原因。 相似文献
60.