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采用溶胶-凝胶法,以钙基蒙脱石(Ca-MMT)作基质材料、钛酸四丁酯为钛源,制备了钛柱撑蒙脱石(Ti-MMT).采用XRD、FTIR、SEM、TEM和UV-vis等手段表征了Ti-MMT样品的结构、形貌和化学组成;将所制Ti-MMT用于吸附和协同光催化去除水体中有机污染物亚甲基蓝(MB);考察了Ti-MMT对MB的脱除性能.结果表明:聚合羟基阳离子Ti4+成功柱撑进入蒙脱石(MMT)层间,层间的 TiO2主要以锐钛矿晶相存在,柱撑过程改变了 MMT的形貌,使Ca-MMT的光吸收带边发生一定的红移,拓宽了Ca-MMT的光响应范围,提高了Ca-MMT的响应波长;在去除MB的实验中,Ti-MMT表现出对MB较佳的去除效果,动力学研究表明去除过程受到时间、初始质量浓度及pH的直接影响,去除率随时间、初始质量浓度和pH的增加而增加;暗吸附30 min,光照180 min,对于50 mg/L的MB溶液投加5g/L的Ti-MMT,MB去除率可达95.42;. 相似文献
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光响应性偶氮聚电解质自组装研究 总被引:3,自引:0,他引:3
将3种侧链带有不同偶氮生色团的聚电解质,用逐层浸渍的方法使其组装成多层膜.利用原子力显微镜(AFM)研究了自组装膜的表面形貌以及随着组装层数增加的变化.详细研究了在紫外光的照射下,薄膜内偶氮生色团由反式到顺式构型的光响应转变,以及在暗室中由顺式回复到反式构型的回复特性.与自组装膜的光响应性和相应的旋涂膜进行比较发现,其中的PNAPE/PDAC自组装膜没有明显的光色效应,而PEAPE/PDAC,PPAPE/PDAC具有明显的光色效应.在暗室中,随生色团的结构不同和在不同的凝集态中,由顺式回复到反式构型的速率明显不同. 相似文献
34.
利用静电吸附自组装技术将酸化处理后的单壁碳纳米管(SWNTs)与超支化重氮盐(DAS)组装成多层膜.利用紫外光谱、椭偏仪、原子力显微镜、扫描电镜、拉曼光谱等对自组装膜的生长过程、膜厚增长、自组装膜表面形貌以及纳米管在膜中的存在状态等进行了检测,并利用纳米压痕仪测试了自组装膜的硬度和弹性模量.研究结果表明,SWNTs与DAS不仅发生了静电吸附,而且还发生了化学交联.同时碳纳米管均匀分散在自组装膜中.这两种因素的共同作用使得自组装膜表现出良好的纳米力学性能,硬度达到2.0GPa左右,弹性模量达到10.0GPa左右,而且可以从基底上剥离下来成为独立支撑膜. 相似文献
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根据人工放射性的生长与衰变规律, 推导出一个在特殊情况下用基态特征γ射线计算同质异能态反应截面的公式, 并据此公式用活化法以93Nb(n,2n)92mNb反应截面为中子注量标准对128Te(n,2n)127mTe反应截面进行了测量. 由能量为(14.1±0.2)和(14.6±0.3)MeV的中子引发的128Te(n,2n)127mTe反应截面值分别为(737±69)和(853±82)mb. 单能中子用T(d,n)4He反应获得, 其能量用铌锆截面比法测定. 为减小热中子的(n, γ)反应的影响, 在辐照过程中对样品进行了包镉处理. 相似文献
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38.
A General Formula Used to Deduct the Effect of Excited State to Base State Was Deduced in Measurement of Cross Section of Nuclear Reaction 下载免费PDF全文
According to the regulation of growing and decay of artificial radioactive nuclide, a general formula used to deduct the effect of excited state to ground state was deduced. Therefore, the problem of effect of excited state to ground state was solved in the measurement of cross section of nuclear reaction. 相似文献
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相转换法制备聚氨酯微孔膜过程中的非溶剂效应 总被引:3,自引:0,他引:3
利用湿法相转换的原理制备聚氨酯微孔薄膜,从实验和理论计算两方面研究了非溶剂组成对聚氨酯孔结构及相分离过程的影响.实验结果表明:与水体系相比,在醇类非溶剂体系中聚氨酯膜更易形成较均一形貌的多孔结构.用异丙醇作非溶剂可得到孔径均一、相互贯通的孔结构.而理论计算结果表明:这种非溶剂效应与水、甲醇、乙醇及异丙醇等非溶剂系统的Flory-Huggins 相互作用参数及扩散系数密切相关. 相似文献
40.
通过数值求解含时Schr dinger方程研究了强激光场中多阱量子系统的增强电离行为 .结果发现系统的电离并不随阱间距增加而增大 ,而是在一定阱间距范围内 ,系统电离很陡地上升并维持一段 ,随后缓慢下降到接近氢原子 (单阱系统 )的电离水平 .用场诱导上势垒 (Field inducedover the barriers)电离机制合理地解释了这一结果 .另外 ,随着阱数目的增加 ,整个电离峰稍微向阱间距小的方向移动 ,但增强电离趋势保持不变 .电离能并不是多阱系统强场电离的决定因素 . 相似文献