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高耸异型烟囱结构风压和风振系数试验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文在模拟的大气边界层中,对某一发电厂高耸异型烟囱的刚性模型进行了测压试验研究,得到了这一结构的平均风压系数、最大和最小风压系数分布,以及该结构的风荷载体型系数;结果表明在烟囱外形明显变化的局部区域,风压绝对值较大,与理论分析一致。同时,对动态测力试验模型进行了高频动态天平测力试验研究,详细介绍了试验及数据处理方法,根据试验结果计算得到了该烟囱在风作用下的动力响应和风振系数;根据试验结果计算所得的风振系数值大于按规范公式估算值。这些结果不仅为结构的风荷载计算提供了依据,也有助于进一步认识该类异性烟囱结构的风荷载和风振特性。 相似文献
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MOVPE生长GaN的表面反应机理 总被引:1,自引:1,他引:0
利用量子化学的 DFT 理论,对 MOVPE 生长 GaN 薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,因此容易在表面迁移;而NH3在各吸附位的吸附能差值较大,最稳定吸附位为Top位,迁移到其他位置需要克服较大能垒。在此基础上,提出了以NH3和 GaCH3为表面生长基元,在GaN(0001)-Ga面连续生长,最终形成环状核心的二维生长机理:在环状核心形成过程中,第1个GaN核生长需要3个NH3和1个GaCH3,可表示为Ga( NH2)3。第2个GaN核生长可利用已有的1个N作为配位原子,故只需2个NH3和1个GaCH3。2个GaN核可表示为( NH2)2 Ga-NH-Ga( NH2)2。第3个GaN核生长可利用已有的2个N作为配位原子,故只需要1个NH3和1个GaCH3。3个GaN核构成环状核心,可表示为Ga3( NH)3( NH2)3。后续的生长将重复第2个核和第3个核的生长过程,从而实现GaN薄膜的连续台阶生长。 相似文献
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In this work, the determination of inorganic anions in slightly water-soluble organic solvents (ethyl acetate) was realized by ion chromatography (IC) with a novel-efficient electromembrane extraction method. From an 8 mL ethyl acetate sample, three inorganic anions migrated through the pores of a polypropylene hollow fiber membrane, and into deionized water inside the lumen of the hollow fiber by the application of 600 V. The transport was forced by an electrical potential difference sustained over the liquid membrane, resulting in electrokinetic migration of inorganic anions from the donor compartment to the acceptor solution. After the electromembrane extraction, the acceptor solution was analyzed by IC with a sodium carbonate-sodium bicarbonate eluent. The applied voltage, stirring speed, and extraction time for controlling the extraction efficiency were optimized. Within 10 min of operation at 600 V, chloride, bromide, and sulfate were extracted with recoveries in the range 76-110%, which corresponded to a linear range of 0.01-1 mg/L. The procedure was applied to the analysis of inorganic anions in a real ethyl acetate sample and expands onto other slightly water-soluble organic solvents. 相似文献
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