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M. B. Freiler M. C. Shih S. Kim M. Levy I. P. Herman R. Scarmozzino R. M. Osgood Jr. 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》1996,63(2):143-151
We present a study of pattern-transfer and etch-induced damage in photon-induced cryoetching. Features with effective radii as small as 100 nm have been formed in both bulk and layered GaAs/AlGaAs materials. A measurement of the photoluminescence of etch-defined deep- submicrometer structures material suggests that this form of etching results in minimal process-induced damage. Modeling of the luminescence vs feature size for these features shows that the luminescence is limited only by carrier diffusion and non-radiative surface recombination. 相似文献
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Lazarus EA Navratil GA Greenfield CM Strait EJ Austin ME Burrell KH Casper TA Baker DR DeBoo JC Doyle EJ Durst R Ferron JR Forest CB Gohil P Groebner RJ Heidbrink WW Hong R Houlberg WA Howald AW Hsieh C Hyatt AW Jackson GL Kim J Lao LL Lasnier CJ Leonard AW Lohr J La Haye RJ Maingi R Miller RL Murakami M Osborne TH Perkins LJ Petty CC Rettig CL Rhodes TL Rice BW Sabbagh SA Schissel DP Scoville JT Snider RT Staebler GM Stallard BW Stambaugh RD St John HE Stockdale RE Taylor PL Thomas DM 《Physical review letters》1996,77(13):2714-2717
896.
897.
Akiba Y Beavis D Beery P Britt HC Budick B Chasman C Chen Z Chi CY Chu YY Cianciolo V Cole BA Costales JB Crawford HJ Cumming JB Debbe R Engelage J Fung SY Gonin M Gushue S Hamagaki H Hansen O Hayano RS Hayashi S Homma S Kaneko H Kang J Kaufman S Kehoe WL Kurita K Ledoux RJ Levine MJ Miake Y Morrison DP Morse RJ Moskowitz B Nagamiya S Namboodiri MN Nayak TK Olness J Parsons CG Remsberg LP Roehrich D Rothschild P Sakurai H Sangster TC Seto R Soltz R Stankus P Steadman SG Stephans GS Sung T 《Physical review letters》1996,76(12):2021-2024
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