Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究

在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。 关键词：     

Average Atom Model in Hot Plasmas

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RIBLL束流诊断

描述了兰州放射性离子次级束流线(RIBLL)上研制并安装使用的放射性束流(RIB)诊断装置的种类、结构、性能及在AIBLL上的位置和功能.重点叙述了以光纤为基础的几种诊断元件,它们探测效率高、响应时间快、制作容易、性能稳定.给出了RIB¹⁷N等高图,说明诊断装置辅助MBLL得到RIB的水平.     

团簇淀积纳米结构薄膜的计算机模拟

对团簇的淀积方式作了简介。着重对团簇的淀积过程进行了计算机模拟,从中得出了淀积的尺寸分布与团簇在衬底上的徙动长度有关,而团簇的聚合长大存在一临界尺寸。并给出低能Ｐｂ团簇在碳膜表面的徙动长度和聚合的临界尺寸。     

LP MOVPE growth of AlGalnP/GalnP and its application to visible laser diodes

High-quality and uniform bulk layers of (Al _x Ga_1–x )_0.5In_0.5P (x=0–0.7) and AlGalnP/GainP quantum wells (QWs) are grown on 2°-off (100) GaAs substrates by low-pressure metal organic vapour phase epitaxy at a low growth rate of 0.3 nm s^-1. The amount of lattice mismatch and the variation of PL peak energy of (Al_0.5Ga_0.5)_0.5In_0.5P on the 50-mm substrate are less than 6×10^-4 and 2 meV, respectively. (Al_0.5Ga_0.5)_0.5In_0.5P/Ga_0.5In_0.5P SQWs show narrow PL spectra even from a 0.6 nm well measured at 20 K. The variation of PL peak energy from (Al_0.5Ga_0.5)_0.5In_0.5P/Ga_0.5In_0.5P MQWs is less than 10 meV. Also, as-cleaved AlGalnP/GalnP lasers fabricated by a three-step MOVPE show a pulsed threshold current of 82 mA at room temperature, output power of 12 mW, and the lasing wavelength at 668.2 nm.     

氮烃混合工质中氖的作用机理

氮烃混合工质由于有较大的制冷量,在节流制冷器中已广泛应用,然而它的制冷温度却较高,在使用中受到一定的限制。文中通过对在氮烃混合工质中加入氖的分析,揭示了氖降低混合工质制冷温度的机理     

Sasakian Submanifolds of Kaehlerian Manifolds(Ⅱ)

In this paper,it is proved that the Sasakian anti-holomorphic submanifolds of a Kaehlerian manifold is characterized by D-totally umbilical,and some curvature properties of the CR-submanifolds are ohtained.     

含不连续项的常微分积分方程的解

本文研究微分积分方程 u'=g(t,u)+integral from 0 to 1(k(t,s)f(s,u(s))ds),u(0)=x_0最小解、最大解的存在性.本文的特点是关于方程中函数g(t,x),f(t,x)没作任何连续性假定.     

局部对称共形平坦黎曼流形中具有平行平均曲率向量的子流形

本文把[1]的结论推广到了环绕空间是局部对称共形平坦的情形,即获得了:设M~是局部对称共形平坦黎曼流形N~+p(p>1)中具有平行平均曲率向量的紧致子流形,如果则M~位于N~+p的全测地子流形N~+1中。其中S,H分别是M~的第二基本形式长度的平方和M~的平均曲率,T_C、t_c分别是N~+p的Ricci曲率的上、下确界,K是N~+p的数量曲率。     

合肥光源测量束团纵向精细结构的单光子计数系统设计

本文介绍了用单光子计数法测量束团纵向精细结构的原理.介绍了合肥同步辐射光源测量束团纵向精细结构的单光子计数系统的设计.由于单光子计数法具有高时间分辨率(2ps)和大的动态测量范围(10⁵)等优点,所以该系统不仅可以测量束团长度,而且可以精密测量单束团的纯净度.最后,分析了该系统的性能,并讨论了该系统在尾场和纵向阻抗的研究、束团伸长效应的研究以及影响单束团不纯净机理的研究中的应用.