Influence of double A1N buffer layers on the qualities of GaN films prepared by metal-organic chemical vapour deposition

<正>In this paper we report that the GaN thin film is grown by metal-organic chemical vapour deposition on a sapphire (0001) substrate with double AlN buffer layers.The buffer layer consists of a low-temperature(LT) AlN layer and a high-temperature(HT) AlN layer that are grown at 600℃and 1000℃,respectively.It is observed that the thickness of the LT-AlN layer drastically influences the quality of GaN thin film,and that the optimized 4.25-min-LT-AlN layer minimizes the dislocation density of GaN thin film.The reason for the improved properties is discussed in this paper.     

基于神经网络的视觉系统标定方法

为了解决摄像机标定存在的若干问题 ,根据立体视觉原理 ,提出了基于神经网络的双目视觉系统标定方法。通过对双目摄像机的有效视场分析 ,确定了一次测量面积 ,并把像对视差作为网络输入 ,建立空间点世界坐标与图像坐标非线性映射关系 ,使系统不经过复杂的摄像机内外参数标定 ,就能直接提取物体的三维信息 ,增加了系统的灵活性。实验证明 ,该方法有效可行     

我国外商直接投资与经济增长的动态关系:基于面板协整研究

利用面板协整方法和面板误差修正模型对1986～2008年问我国28省市外商直接投资与经济增长关系进行实证分析.结果表明,从长期来看经济增长的调整系数为正,表明外商直接投资与经济增长之间存在长期均衡关系,中国的经济增长会促进外商直接投资增加;但FDI与经济增长的这种长期均衡关系在地区间存在显著差异.     

基于切伦科夫辐射的核素治疗剂量测量可行性分析

针对现有核素治疗中内照射剂量测量缺乏简单、高效方法的问题,基于内照射剂量与切伦科夫辐射之间的关系,提出一种基于切伦科夫辐射的核素治疗内照射剂量测量的新方法。利用蒙特卡罗计算程序Geant4,模拟放射性核素131I在水体模型和甲状腺模型中产生切伦科夫辐射与剂量沉积的分布情况,并定量分析切伦科夫光子数与剂量之间的关系。计算结果表明：在水体模的半径方向上切伦科夫光子数与剂量之间有着相同的变化趋势,且两者有着相同的二维分布规律;核素131I在介质中产生的切伦科夫光子数与剂量两者之间存在一定的线性关系,且这种线性关系与核素的分布情况无关。研究结果证实,将这种放射性核素在介质中产生的切伦科夫辐射应用于内照射剂量学具有非常大的研究潜力和价值。     

改变生活的政治与改变政治的生活：一种历史政治学分析

在呈现于历史长河的政治世界中,改变生活的政治亦为生活所改变,改变政治的生活亦为政治所改变。生活极小,政治极重,二者似若相去悬远,实则无时不在沟通之中。从理论上说,生活构成政治的微观基础,这意味着政治的正当性与合理性最初且最终源自政治体系保护、回应和改善社会生活的有效性。从历史来说,生活与政治的互动关系受到三个重要因素的制约：制度、思想与技术。政治制度、政治思想与“社会组织技术”的发展,既见证了中国政治社会演进中生活—政治关系从传统到现代的古今之变,也见证了其在改革开放前后的连续与变迁。从现实来说,随着制度、思想与技术的进一步发展,在当代中国政治发展过程中,人民生活与公共政治之间的互动正处于一个前所未有的开放空间和活跃状态。这在客观上要求中国政治在确保“生活改变政治之可能性”的前提下,持续构筑政治之于生活的回应性,从基层构建政治的生活基础,并重塑改革的新动力。     

500 kV全固态Marx发生器

500 kV全固态Marx发生器采用Z型电路结构,以28个最大工作电压达22 kV、满载最高连续重复运行频率达200 Hz的绝缘栅双极型晶体管组件作为脉冲控制开关,采用以金属化膜电容器和线绕电感构成的梯形脉冲形成网络作为储能和脉冲形成器件。目前已实现500 kV脉冲输出,在50 Hz的重复频率下实现数十个脉冲的猝发输出。该发生器的输出脉冲电压峰值与已有文献报道的最高功率固态Marx发生器技术指标相近,输出脉冲电流峰值提高1倍,达到1000 A,发生器输出脉冲功率峰值达到500 MW。在采用电容器作为储能元件时,此Marx发生器输出脉冲宽度可在3～10 s范围内连续调整。     

亚纳秒脉冲高电压测量探头

为测量紧凑型快前沿高电压脉冲源的输出电压,设计了D-dot电压探头。分别进行了刻度因素标定和频响标定,采用前沿约50 ns的高压脉冲信号对探头进行在线标定确定探头的刻度因素。将探头安装在阻抗为50 的传输线上,用亚纳秒脉冲源进行频响标定,表明该探头的响应约为150 ps。高压实验结果表明该探头能够正确获取高电压快脉冲信号,工作稳定可靠。

     

同轴电缆测量纳秒脉冲信号衰减的数字补偿

为了减小较长的信号传输电缆对纳秒量级前沿测量信号波形的畸变,提出了一种同轴电缆信号衰减数字补偿的方法。该方法利用信号在电缆中传输的衰减特性,结合标定或者扫频所得频响进行拟合,得到电缆的频响特性函数,再对电缆的出口信号进行反补,可以重建入口信号。经过实验验证,此补偿方法可以明显改善信号传输系统的频响特性,对于实验中的100 m的SYV-50-7-2同轴电缆,补偿前传输带宽-3dB约在40 MHz处,补偿后传输带宽约为1 GHz。     

MARX发生器电流线圈的设计与实验

为测量Marx发生器输出电流, 设计了外积分式罗可夫斯基线圈。采用电容器放电的方式进行线下标定确定刻度因素, 采用盘式TEM室进行线圈的方波响应实验, 实验结果与等效电路模拟仿真吻合。线圈的响应时间为16ns。模拟仿真分析了Marx连接假负载实验中, 实测电流波形后沿衰落较快且脉冲结束后基线不回零的问题。通过调整积分器的RC时间常数, 增加线圈的低频响应能力可消除该失真。改进后的线圈实验结果与理论分析一致。     

空腔中B-dot低频特性的硬件补偿

针对在空腔中的微分环（B-dot）探头输出信号存在低频增益的问题,分析了目前使用的“磁通穿透特征时间常数”一阶修正方法,提出了使用适当积分常数的积分器进行补偿的方法。对安装在同轴线及径向线电极孔中的B-dot进行实验,结果表明：当积分器的积分时间常数等于磁通穿透特征时间常数时,B-dot的测量结果与标准电流信号吻合。因此这也是空腔中的B-dot探头选取积分器的原则。该方法使用硬件直接获取了补偿后的测试结果,与软件修正方法比较操作较为简便。