全文获取类型
收费全文 | 11863篇 |
免费 | 2383篇 |
国内免费 | 4257篇 |
专业分类
化学 | 8340篇 |
晶体学 | 564篇 |
力学 | 927篇 |
综合类 | 706篇 |
数学 | 1741篇 |
物理学 | 6225篇 |
出版年
2025年 | 11篇 |
2024年 | 191篇 |
2023年 | 177篇 |
2022年 | 399篇 |
2021年 | 398篇 |
2020年 | 411篇 |
2019年 | 428篇 |
2018年 | 436篇 |
2017年 | 560篇 |
2016年 | 387篇 |
2015年 | 552篇 |
2014年 | 692篇 |
2013年 | 943篇 |
2012年 | 835篇 |
2011年 | 978篇 |
2010年 | 942篇 |
2009年 | 1048篇 |
2008年 | 1163篇 |
2007年 | 1116篇 |
2006年 | 1008篇 |
2005年 | 860篇 |
2004年 | 686篇 |
2003年 | 519篇 |
2002年 | 587篇 |
2001年 | 603篇 |
2000年 | 619篇 |
1999年 | 395篇 |
1998年 | 212篇 |
1997年 | 135篇 |
1996年 | 126篇 |
1995年 | 122篇 |
1994年 | 125篇 |
1993年 | 126篇 |
1992年 | 113篇 |
1991年 | 79篇 |
1990年 | 71篇 |
1989年 | 81篇 |
1988年 | 67篇 |
1987年 | 54篇 |
1986年 | 43篇 |
1985年 | 37篇 |
1984年 | 39篇 |
1983年 | 33篇 |
1982年 | 24篇 |
1981年 | 23篇 |
1980年 | 7篇 |
1979年 | 18篇 |
1976年 | 3篇 |
1966年 | 3篇 |
1959年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
181.
以K9为基底设计了一种覆盖部分可见及近红外双波段的增透膜,即:增透波长包括0.55 ~0.78μm和1.0~1.3 μm两个波段.工艺实现采用了电子束蒸发物理气相沉积的方法,薄膜材料仅含有TiO2和SiO2,并分别作为高低折射率材料.利用岛津分光光度计对双面镀制该膜系样品的透过率进行测量,测试结果表明0.55 ~0.78μm波段平均透过率为98.01;,1.0~1.3μm波段平均透过率达到97.04;.通过SEM的膜层截面证实实际膜层厚度相对于设计值来说偏厚,致使透射率光谱曲线略往长波方向漂移,但所需波段内平均透过率仍可满足所需光学特性.环境测试表明:薄膜具有良好的稳定性和牢固度.该增透膜可以应用于可靠性要求较高的环境中. 相似文献
182.
研磨过程中机械去除作用与化学去除作用的有效分离是实现研磨过程可控调节及提高加工表面质量的前提.本文通过尖晶石在不同介质中的材料去除速率,对其在不同研磨液中化学与机械作用的材料去除率进行了分离和计算;采用微/纳压痕仪测量了不同研磨液作用下工件表面的显微硬度,依此分析了其软化层厚度.结果表明:研磨液对镁铝尖晶石工件具有一定的化学去除作用,研磨过程中材料去除以机械作用下的脆性去除为主;研磨液的化学作用主要体现在工件表面形成了一层软化层,其中乙二醇产生的软化层最厚,三乙醇胺最薄. 相似文献
183.
184.
采用孪生ZnO (Al2 O3 ∶2 % )对靶直流磁控溅射制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜 (迁移率为 5 .5 6cm2 /V·s,载流子浓度为 4 .5 7× 10 2 0 cm-3 ,电阻率为 2 .4 6× 10 -3 Ω·cm ,可见光范围 (380~ 80 0nm)平均透过率大于 85 % )。用酸腐蚀的方法 ,可以获得绒面效果 ,而反应气压对绒面效果没有影响 ,薄膜的电学特性没有变化 ,绒面对光散射作用增强 ,导致相对于平面ZnO薄膜的透过率要低一些 (可见光范围平均透过率大于 80 % )。 相似文献
185.
对红外非线性光学晶体CdSe的倍频光学参数及其元件加工进行了研究.根据非线性光学原理和折射率色散关系,从理论上计算出CdSe晶体的有效非线性系数和倍频元件相位匹配角与基频光波长(5.5~10.0 μm)的调谐特性曲线,从实验上探索到一种通过解理试验和XRD定向测试,快速确定其光轴方向的晶体定向新方法.结果表明,CdSe晶体在Ⅱ类相位匹配条件下的有效非线性系数d_(eff)为d_(15)sinθ,倍频转换效率与方位角无关;在Ⅰ类相位匹配条件下其有效非线性系数d_(eff)恒等于0,无倍频输出.根据理论计算结果,运用定向新方法,针对VUVG法生长出的外观无方向特征的CdSe晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出基频波长为9.6 μm的CdSe晶体Ⅱ类相位匹配倍频元件, 尺寸达9.5 mm×9.5 mm×18 mm. 相似文献
186.
187.
188.
189.
研究了在脉冲复合电铸过程中,当其它工艺参数一定时,镀液中纳米ZrO2颗粒含量、脉间、脉宽和阴极电流密度对复合电铸层中ZrO2复合量和沉积速率以及脉冲参数对复合电铸层表面形貌的影响,并对所制备复合电铸层的横截面进行了SEM观察和组成成分测定.结果表明,通过控制脉冲复合电铸过程中的工艺参数可以制备出由纳米颗粒复合量变化而导致其组织成分呈梯度分布的纳米功能梯度材料. 相似文献
190.