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51.
基于分数阶混沌系统稳定性理论, 设计高效的非线性控制器, 实现初始值不同的两个分数阶Chua's系统错位投影同步. 根据分数阶复频域近似方法, 提出分数阶系统的等效电路, 实现分数阶Chua's系统错位投影同步的无感模块化电路. 最后,利用改进的混沌掩盖通信原理, 将以上同步方案应用于混沌保密通信中, 在发送端使用分数阶混沌序列对有用信号加密传送, 从接收端可以无失真地恢复出有用信号. 数值仿真与电路仿真证实了提出方案的可行性.
关键词:
分数阶Chua's系统
错位投影同步
无感模块化电路
保密通信 相似文献
52.
53.
Three-dimensional (3D) simulations and theoretical analyses on super-short pulse generated using free- electron lasers (FELs) at perfect synchronism are carried out with the help of our 3D OSIFEL code. The evolution of longitudinal pulse width in the Japan Atomic Energy Research Institute (JAERI) experiment is simulated. The results show that the optical pulse is compressed on successive passes due to the slippage between the optical and electron beams, and an ultra-short 221-fs optical pulse is finally obtained, which agrees with the experiment. Furthermore, to shorten wavelength such as soft ultraviolet (SUV) spectrum range, an ultra-short pulse generated at perfect synchronism is analyzed and studied. Finally, the relationship between the optical pulse length compressed and the peak electron beam current is calculated. It shows that the higher the electron beam current, the shorter the output FEL width length, due to the higher gain. 相似文献
54.
采用二氯甲烷为溶剂,无水碳酸钾为缚酸剂,在25℃温和条件下,以2-苯基-4-甲基喹啉铱(III)氯桥二聚体[(4m2pq)2Ir(μ-Cl)2Ir(4m2pq)2]和乙酰丙酮(Hacac)进行配位,反应合成了新型铱(Ⅲ)配合物[(4m2pq)2Ir(acac)]。通过核磁共振氢谱(1H NMR)、碳谱(13C NMR)、X射线单晶衍射等确定分子结构,利用紫外-可见吸收光谱、发射光谱对其光物理性质进行研究。结果表明:(4m2pq)2Ir(acac)的单晶结构属三斜晶系,空间群为P1;(4m2pq)2Ir(acac)在二氯甲烷溶液中呈橙光发射,发射峰为597 nm,磷光寿命0.33μs,量子效率达50.4%。以(4m2pq)2Ir(acac)为客体掺杂在CBP中,制备了结构为ITO/NPB(30 nm)/CBP:(4m2pq)2Ir(acac)(质量分数6%和8%,20 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm)的橙色磷光有机电致发光器件,器件的最大亮度达到39 667 cd/m2,发射峰位于597 nm,最大电流效率为14.2 cd/A,最大功率效率为8.1 lm/W。 相似文献
55.
56.
57.
建立了在单层有机发光二极管中电场强度不太大(E≤104Vcm)的情况下,载流子注入、传输和复合的理论模型.通过求解非线性Painleve方程得出了电场强度随坐标变化的解析函数关系式以及电流密度随电压变化关系,给出了电流密度以及器件的复合效率在不同的载流子迁移率情况下随电压变化关系图像.结果表明,复合效率受载流子迁移率影响较大,在器件中多数载流子应具有较低的迁移率,而少数载流子应具有较高的迁移率,这样有利于载流子的注入和传输,从而可提高发光效率.并且得出当空穴迁移率大于电子迁移率时,复合区域偏向阴极,反之亦
关键词:
单层有机发光二极管
复合效率
迁移率 相似文献
58.
生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响 总被引:3,自引:0,他引:3
利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料,获得表面平整.光亮的In0.53Ga0.47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高,为了保证铟在固相中组分不变,必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时,外延层表面粗糙。生长温度在630℃与650℃之间,X射线双晶衍射曲线半高宽最窄,高于或低于这个温度区间,半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值,然后随着生长湿度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大,在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小。 相似文献
59.
60.
生物小分子与铜锌超氧化物歧化酶相互作用的波谱学研究及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本工作以ESR和NMR为主要手段,并结合其它生化方法,考察了氨基酸、核酸碱基、糖等生命基本物质,和抗坏血酸等生命必需物质与钢锌超氧化物歧化酶的相互作用,实验观测到氨基酸、核酸碱基和抗坏血酸在水溶液中可以与酶中的Cu2+作用而使其脱离活性部位,以小分子络合物形式游离在溶液中,同时使酶失活,脱离活性部位的Cu2+的比例和酶的失活程度取决于小分子配体的加入量及其与Cu2+的络合能力。此外,首次尝试使用ESR方法,并借助氨基酸与酶的作用,考察了铜锌超氧化物歧化酶在盐酸胍变性和热变性过程中的构象变化行为,结果表明这一方法是直观而有效的。 相似文献