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51.
利用电弧熔炼制备了 (Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5(x=0— 1 0 )化合物样品 .通过x射线衍射分析和磁性测量研究了Er替代Nd2 Co1 5 5V1 5中的Nd时对化合物结构和磁性的影响 .研究结果表明 ,低Er含量 (x <0 4 ) ,化合物为Th2 Zn1 7型结构 ;高Er含量时 (x >0 5 ) ,化合物转变为Th2 Ni1 7结构 ;Er含量为x =0 4和 0 5时 ,两种结构共存 .两种结构的晶胞参数a ,c和晶胞体积V随着Er含量的增加都呈现递减的趋势 .随着Er含量的增加 ,(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的居里温度和饱和磁化强度都单调下降 .(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的室温各向异性由低Er含量时的易锥型转变为高Er含量时的易轴型 .x =0— 0 5的化合物在温度升高时发生自旋重取向转变 ,自旋重取向温度Tsr随Er含量的增加而减小  相似文献   
52.
晶格失配对异质外延超薄膜生长中成核特性的影响   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
王晓平  谢峰  石勤伟  赵特秀 《物理学报》2004,53(8):2699-2704
利用动力学蒙特卡罗方法模拟了异质外延超薄膜生长中的成核过程.研究了薄膜与衬底的晶格失配对超薄膜生长中成核密度、平均核尺寸、标度关系及生长模式的影响.结果发现产生压(张)应变的晶格负(正)失配使生长过程更早(迟)从成核区进入过渡区,失配越大,这一效应越明显.在相同的沉积条件下,负失配导致超薄膜形成较低的成核密度与较大的平均核尺寸,而正失配则相反.成核密度满足标度关系Ns≈(F/D)χ,随着失配度从-0.04增加到0.02,标度系数χ从0.37逐渐减小到0.33,对应超薄膜生长过程从包含二聚体扩散模式转变到无 关键词: 薄膜生长 成核 晶格失配 蒙特卡罗模拟  相似文献   
53.
研究了多壁碳纳米管(MWNTs)薄膜的湿敏特性,实验所用的多壁碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法(CVD)合成的.分别对未修饰和修饰的多壁碳纳米管膜温度和湿度特性进行研究后发现,修饰的多壁碳纳米管对温度和湿度非常敏感,且对湿度的响应时间和恢复时间短,重复性好.而未修饰的多壁碳纳米管对温度和湿度不太敏感.对修饰多壁碳纳米管的湿敏特性进行了理论分析,给出了其理论表示式. 关键词: 多壁碳纳米管 化学修饰 湿敏特性 物理吸附  相似文献   
54.
郭汝海  时红艳  孙秀冬 《物理学报》2004,53(10):3487-3492
自组装量子点材料作为一种新型的光电材料无论在理论和实际应用都成为当今物理学界的研 究热点.由GaAs包围的InAs小岛,由于较大的晶格失配(≈-0.067),应变效应在量子点 的 形成过程中起主导作用.大部分计算量子点结构应变分布的方法都是基于数值解法,需要大 量的计算工作.给出用格林函数法推导各种常见形状量子点应变分布的解析表达式详细过程,讨论了弹性各向异性和形状各向异性对量子点应变分布的影响程度.结果表明对于不 同形状量子点结构中主要部分的应变分布都是相似的,流体静压变部分的特征值随量子点形状的变化不 关键词: 自组装量子点 格林函数 应变分布  相似文献   
55.
史庆藩  郑俊娟  王琪 《物理学报》2004,53(10):3535-3539
基于Safonov和Yamazaki所发展的激励自旋波非线性辐射衰减的理论[J. MMM. 161 (1996 ) 275], 考虑磁激子与磁激子以及磁激子与光子的两种非线性相互作用过程,计算了微波谐振腔Q值对磁激子振幅不稳定态阈值的影响,结果与实验数据基本一致. 关键词: 磁激子 谐振器 铁磁体  相似文献   
56.
强流离子束离子径向密度分布的模拟研究   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
白龙  翁甲强  方锦清  罗晓曙 《物理学报》2004,53(12):4126-4130
对初始分布为K-V分布的离子束进行模拟研究.除观察到存在束晕现象外,还发现离子束在通 道内运行过程中,离子沿径向密度分布发生了变化. 通过延迟反馈控制,不仅可以消除束晕 ,而且只要控制参数适当,也可以使束中心部分呈均匀分布状态. 关键词: 强流离子束 束晕 填充因子 离子密度分布  相似文献   
57.
利用相位掩模法 ,在D形内包层掺Yb3 双包层光纤一端直接写制出Bragg光栅 ,用作双包层光纤激光器的输出腔镜 .试验得到了线宽为 0 196nm ,波长为 10 5 8 2nm ,最高输出功率为 5 70mW的稳定激光输出 ,解决了激光器中模式竞争造成的输出不稳定现象 .从速率方程出发 ,对激光器的输出功率与抽运功率、光栅反射率的关系以及最佳光纤长度进行了理论分析 ,结果与实验符合很好  相似文献   
58.
硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
 对飞秒激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了实验测量,对从1s到60fs不同脉宽激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了讨论。实验数据表明,在1s到10ns脉宽范围内损伤所需能量密度近似而非严格地与脉宽的平方根成正比。信号分析表明硅光电二极管的损伤主要由热效应造成,而60fs激光辐照下的损伤阈值为0.1J/cm2,明显偏离普通温度分布预言的趋势。  相似文献   
59.
A class of chiral ketone was synthesized for asymmetric epoxidation. High ee values have been obtained for a number of cis olefin and trans olefin. The epoxidation was stereospecific with no isomerizatiom observed in the epoxidation of acyclic system. Encourageingly high ee value has also been obtained for a number of terminal olefins. Mechanistic studies show that electronic interactions play an important role in the stereodifferentiation. O O O O O O NBoc O O t-BuO2CH2CN O O O …  相似文献   
60.
Electrochemiluminescence (ECL), like other chemiluminescence technique, offers high signal-to-noise ratio. Furthermore, it has the advantage over other chemiluminescence techniques of being initiated by a voltage potential. Thus, it provides a better-controlled luminescence. This technique has been used in measuring many kinds of organic and inorganic matters, and analyzing many kinds of antigen, antibody and hapten, such as carcinoembryonic antigen and alpha-fetoprotein, etc1-6. The ele…  相似文献   
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