时间序列散斑干涉技术研究及应用

当用相干激光照射在一个连续位移或变形的漫射物体表面时,在与参考光形成干涉的接收面上即产生一随时间变化的散斑干涉场通过对这一干涉场的时间域进行分析,可实现时变位移场的定量检测本文介绍了基本时间序列散斑干涉场的扫描相位方法和时间序列相位法的相位函数解调原理,探讨了它们的计量特性,并将其用于火箭固体燃料性能的检测.     

半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应分析

报道了用1064nm激光脉冲触发电极间隙为3mm的横向半绝缘GaAs 光导开关的实验结果.对半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应特性做了分析,表明半绝缘GaAs材料EL2能级对电子和空穴的俘获截面有较大的差异,这种较大的差异造成开关对激光脉冲的超快响应.     

基于平行投影法的三维流场重建

在行处理方法的基础上提出了一种基于平行投影的迭代方法，对传统的行处理方法不同，它不是通过向某一超平面作垂线进行迭代，而是作某个超平面的平行线与另一超平面相交进行迭代。与传统方法相比，它明显加快了迭代速度。     

Single-mode rib polymer waveguides and electro-optic polymer waveguide switches

Mode-matching and effective index methods are used to analyze single-mode operation of optical rib polymer waveguides. Their single-mode waveguiding conditions are determined. Single-mode rib waveguides fabricated from guest–host polyetherketone are presented. The estimated propagation loss of straight rib-waveguides is 0.7 dB/cm at 1.55 μm. Furthermore, by using the mode field-transfer matrix method, 2×2 and 4×4 polymer Mach–Zehnder interference switch operating at 1.55 μm wavelength has been designed based on optical multi-mode interference.     

掺Eu3+硅基材料的发光性质

通过溶胶－凝胶技术制备了掺Eu^3 的硅基材料并测试了其三维荧光光谱、激光谱和发射光谱，结果显示，最佳激发波波长为350nm,最强荧光波长为620nm；在350nm光激发下的发射光谱显示Eu^3 的特征发射光谱，产生4条谱带，分别是577nm(^5D0-^7F0)，588nm(^5D0-^7F1),596nm(^5D0-^7F1)和610nm(^5D0-^7F2)。     

双水相体系中镧与钛的分离及光谱性能

在聚乙二醇-硫酸铵-铬天青S双水相体系中，用铬天青S作萃取剂，研究了La(Ⅲ），Ti(Ⅳ），Zr（Ⅳ）的液-液萃取行为，在pH5.5时，实现了体系中La(Ⅲ）与Ti(Ⅳ)的分离，通过加入表面活性剂测定光谱方法，研究了高聚物相中La(Ⅲ）的存在形态。     

利用激光干涉测钢丝的杨氏弹性模量

分析了在洛埃镜干涉装置中等效双狭缝间距变化对干涉条纹密度的影响。导出了钢丝因受力引起的绝对伸长量与干涉条纹密度变化之间的关系 ,并通过它计算了钢丝的杨氏弹性模量。结果表明 ,激光干涉法不仅比光杠杆法测量的量要少 ,而且用该方法通过测微目镜测条纹的位置要比光杠杆法通过望远镜对标尺读数精确 ,其测量结果要比光杠杆法更准确可靠     

金属包层对称平面单轴晶体波导的模式场(Ⅱ)

对于晶体光轴平行于波导界面的结构,讨论了光在金属包层对称平面单轴晶体波导(波导层是单轴晶体,两个波导界面均为金属)内的传输特性.解析地得到了这种结构下波导模式场的精确解.模式场的性质因单轴晶体的性质不同而异.对于正单轴晶体,波导的主模是横电波,任何频率的光波均可激励该模式;当频率满足一定条件时,波导内传输单模,否则,将激励起高阶模式.高阶模既非TE波,也非TM波,而是两者耦合而成的混合模.对于负单轴晶体,波导的主模是一种混合模,该模式同样可被任何频率的光波所激励;当频率满足一定条件时,波导内传输单模,否则 关键词： 平面金属波导 单轴晶体 模式场 混合模     

开设实验选修课培养学生创新能力

介绍了复旦大学物理教学实验中心为培养学生创新能力开设的4门实验选修课的特点、要求以及在培养学生创新能力方面取得的成效。     

ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明，同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同，ZnSe的X点导带底具有正的压力系数，但比г点的压力系数小，这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响，表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。