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111.
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Dong-Ping Zhang Jianda Shao Hongji Qi Ming Fang Kui Yi Zhengxiu Fan 《Optics & Laser Technology》2006,38(8):654-657
Optical filters composed of Ag, Al2O3, and ZnSe films were prepared on BK7 substrates by evaporation. By employing spectrophotometer, microscope, scanning electron microscope (SEM), and energy dispersive spectrum (EDS) analysis, the moisture-dependent stability of the samples was tested. The experimental results revealed that filter failure often occurs initially at defect sites. Small sputtering particles and pinhole are found to be two types of defects that induced the optical coating filter failure. The mechanisms of the defect-induced failure of the filters also are discussed in the article. 相似文献
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阐明了3ω方法的机理,并在此基础上讨论了它的一些基本应用.利用3ω方法可以对具有优 良导热和导电能力的材料的热导率和热容进行测量;对不能导电的材料,固态的或液态的, 利用3ω方法能对它们的热导率进行测量.对测量中涉及到的热辐射问题的讨论表明,由于使 用的是小样品,热辐射造成的影响可以忽视.通过理论推导,使用二维隧穿结点阵并借助3ω 方法,可以给出一种性能良好的二维库仑阻塞测温法.
关键词:
3ω方法
热容(定压)
热导率
库仑阻塞 相似文献
115.
116.
Effects of Y incorporation in TaON gate dielectric on electrical performance of GaAs metal–oxide–semiconductor capacitor 下载免费PDF全文
In this study, GaAs metal–oxide–semiconductor (MOS) capacitors using Y‐incorporated TaON as gate dielectric have been investigated. Experimental results show that the sample with a Y/(Y + Ta) atomic ratio of 27.6% exhibits the best device characteristics: high k value (22.9), low interfacestate density (9.0 × 1011 cm–2 eV–1), small flatband voltage (1.05 V), small frequency dispersion and low gate leakage current (1.3 × 10–5A/cm2 at Vfb + 1 V). These merits should be attributed to the complementary properties of Y2O3 and Ta2O5:Y can effectively passivate the large amount of oxygen vacancies in Ta2O5, while the positively‐charged oxygen vacancies in Ta2O5 are capable of neutralizing the effects of the negative oxide charges in Y2O3. This work demonstrates that an appropriate doping of Y content in TaON gate dielectric can effectively improve the electrical performance for GaAs MOS devices.
117.
研究了电子俘获材料CaS∶Eu,Sm多晶粉末的紫外-可见-红外吸收光谱及红外激励光谱.研究结果表明,CaS∶Eu,Sm中主激活剂Eu和辅助激活剂Sm分别以Eu2 离子和Sm3 离子的形式存在;ETM的吸收差谱及红外激励光谱所反映的光谱特性是不同的.紫外-可见光区的吸收差谱给出了ETM光谱存储灵敏度的信息,而红外光谱区的吸收差谱给出了ETM所俘获电子数量的信息及电子陷阱能级的特征(深度和宽度)信息.红外激励光谱则反映了ETM将不同波长的红外激励光的能量转换为特定波长处的红外辐射光能量的光谱转换灵敏度.二者结合起来可以更完整地描述ETM的光谱特性. 相似文献
118.
利用光纤布拉格光栅方程和光纤基模有效折射率随纤芯半径和环境折射率的函数关系, 建立了微纳光纤布拉格光栅(MNFBG)反射波长随环境折射率变化的数学模型, 给出了波长灵敏度函数, 并指出MNFBG反射波长的变化规律决定于有效折射率随纤芯半径和环境折射率变化的关系. 详细探究了有效折射率及其灵敏度的变化规律, 结果表明: 有效折射率随纤芯半径和环境折射率的减小而非线性减小, 其对环境折射率变化的灵敏度随环境折射率的增大而非线性增加, 而且随纤芯半径减小, 有效折射率的灵敏度、线性度以及线性响应范围均呈递增规律. 通过对纤芯半径为0.5 μm的MNFBG在1.20–1.30和1.33–1.43 环境折射率范围内的波长响应关系拟合, 分别获得了477.33 nm/RIU和856.30 nm/RIU的波长灵敏度以及99.58 %和99.7%的高线性度, 论证了分析结论以及折射率区间划分测量方案的正确性, 为MNFBG折射率传感器的设计、优化以及应用提供了参考依据.
关键词:
微纳光纤
光纤布拉格光栅
折射率传感
数值模拟 相似文献
119.
分析了夹心式压电换能器的阻抗特性,讨论了基于相位方式的现有跟踪方案的不足,提出了一种新的频率跟踪方案,介绍了实现该方案的电路系统。该方案的特点是:采用先扫频后跟踪的策略,解决了频率范围设定难的问题;增加解锁控制,使得系统在死锁或误跟踪时自动回到频率搜索状态;采用直接数字合成器(DDS)作为频率调整和信号产生的器件,实现了全数字系统,调整方便,精度高;采用复杂可编程逻辑器件(CPLD)做相位比较和DDS控制,使频率跟踪速度快,并且跟踪精度和速度均可控制。 相似文献
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针对磁致伸缩材料在弱磁场传感器领域的应用需要,采用迈克耳逊干涉原理实验测量了零应力条件下Tb-Dy-Fe材料和Fe-Ga合金的磁场响应灵敏度,以及不同应力下Fe-Ga合金的磁场响应特性和温度响应特性.实验结果表明:在零应力,外加磁场16 mT条件下,Fe-Ga合金的磁场响应灵敏度远高于Tb-Dy-Fe材料,更合适作为弱磁场传感器敏感材料;同时,在1.2 MPa预应力和26 mT偏置磁场下,Fe-Ga合金材料具有较好的磁场响应灵敏度和较大的饱和磁致伸缩系数,因而处在最佳工作状态.所得到的材料的磁场和温度响应曲线可作为弱磁场传感器参量设计的参考依据. 相似文献