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71.
金山 《应用数学和力学(英文版)》1987,8(6):547-559
In this paper, we study singular perturbation problems of some semi-linear second order elliptic equations with nonlinear boundary value conditions: where ε is a small positive parameter and u/ l is a directional derivative, which lies on an oblique vector (x,ε). We have given a construction of the asymptotic solutions and proof of their asymptotic correctness, which is based on the principle of contraction mapping. 相似文献
72.
本文给出了强流相对论性电子束(IREB)在低压中性气体中传输特性的理论和实验研究结果。660kV,40kA,脉宽100ns的电子束注入充有H_2,N_2的漂移管,稳定的传输气压范围在(0.7-6.7)×10~2Pa间,传输效率可达80%以上;极低气压时(P≈13.3Pa)由于空间电荷效应,束电子被虚阴极阻滞并径向发散,不能有效传输;而较高气压时,束电子除受自身电磁场作用及库仑碰撞散射外,等离子体不稳定性使束流传输效率明显降低。用蒙特·卡洛法及数值解析法对电荷中和、电流中和过程进行了模拟计算并解释了实验结果。 相似文献
73.
74.
75.
76.
A. Sibirtsev J. Haidenbauer H. -W. Hammer U. -G. Meißner 《The European Physical Journal A - Hadrons and Nuclei》2006,29(3):363-367
We show that the recently measured asymmetry in helicity-angle spectra of the Λ-hyperons, produced in the reaction pp → K
+Λp reaction, and the energy dependence of the total pp → K
+Λp cross-section can be explained consistently by the same Λp final-state interaction. Assuming that there is no final-state interaction in the Σ0
p channel, as suggested by the available data for the reaction pp → K
+Σ0
p, we can also reproduce the energy dependence of the Λ/Σ0 production ratio and, in particular, the rather large ratio observed near the reaction thresholds. The nominal ratio of the
Λ and Σ0 production amplitudes squared, i.e. when disregarding the final-state interaction, turns out to be about 3, which is in line with hyperon production data from
proton and nuclear targets available at high energies. 相似文献
77.
The spontaneous drift of the spiral wave in a finite domain in the complex Ginzburg-Landau equation is investigated numerically. By using the interactions between the spiral wave and its images, we propose a phenomenological theory to explain the observations. 相似文献
78.
79.
为了优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(lateral double-diffused MOSFET,LDMOS)的击穿特性及器件性能,在传统LDMOS结构的基础上,提出了一种具有纵向辅助耗尽衬底层(assisted depletesubstrate layer,ADSL)的新型LDMOS.新加入的ADSL层使得漏端下方的纵向耗尽区大幅向衬底扩展,从而利用电场调制效应在ADSL层底部引入新的电场峰,使纵向电场得到优化,同时横向表面电场也因为电场调制效应而得到了优化.通过ISE仿真表明,当传统LDMOS与ADSL LDMOS的漂移区长度都是70μm时,击穿电压由462 V增大到897 V,提高了94%左右,并且优值也从0.55 MW/cm~2提升到1.24 MW/cm~2,提升了125%.因此,新结构ADSL LDMOS的器件性能较传统LDMOS有了极大的提升.进一步对ADSL层进行分区掺杂优化,在新结构的基础上,击穿电压在双分区时上升到938 V,三分区时为947 V. 相似文献
80.
针对夏克-哈特曼波前传感器探测系统中噪声随时间及空间变化频率较快的特点,为了准确估计系统的最优阈值,根据高斯光斑与噪声的分布特性,提出一种以滑动窗口内像素均值及图像信号的局部梯度作为参数,构造关于噪声权重函数的方法,由此获得子孔径阈值的最优估计值,并详细分析了算法的基本原理和实现过程.以典型处理方法获取的阈值与理论最优阈值的误差作为评价标准,仿真和实验结果表明本文提出的阈值估计方法在不同信噪比、不同光斑大小的条件下,均能取得优于典型阈值处理方法获得的结果,且与理论最优阈值的误差小于10%. 相似文献