黑腔靶中超热电子特性研究

近几年来,在“神光”装置上进行了1.053μm激光与平面靶及一系列柱形黑腔靶相互作用实验。用一台多道滤波—荧光X光能谱仪(FFS)测得各种靶发射的超热X射线谱,由谱推导超热电子温度T_h和超热电子总能量E_h当照射靶单束激光能量E_(tar)为400～670J、脉宽τ=650～1150ps时,发现黑腔内明显存在两群服从Maxwell分布高能电子(T_h=35～45keV;T_(hh)=150～350kev),而且E_(he)占E_(tar)的份额为10％～12％。实验还表明:腔内的E_(he)与非线性过程特征量(SRS)有较好的线性关系,因此推断出腔内超热电子产生的主要机制是受激Raman散射。在相同照射条件下,黑腔靶产生的超热电子比平面靶严重。     

有机薄膜电致发光器件工艺检测的一种简便方法——覆膜加热观测法

提出了一种简便易行、并与有机薄膜电致发光器件制备工艺完全兼容的工艺检测方法－－覆膜加热观测法。这种方法是在器件的制备工艺过程中,同时在铟锡氧化物（ITO）电极的各层有机薄膜上覆盖一层不透气的薄膜（如金属Al膜等）,接着进行快速加热,最后对器件表面进行形貌观测。采用这种方法,观察了器件表面气泡的形成过程,观察了加热温度、ITO表面处理以及有机物纯度对敢泡形成的影响。实验表明,覆膜加热观测法能有效地对工艺进行对比检测,从而达到改进工艺、提高器件质量的目的。     

广义凸集的支撑函数

本文讨论了笔者在[1]中提出的伪凸集,拟凸集的支撑函数与障碍锥的性质,并通过这些性质得出了二个闭性准则。     

光纤光栅温度与轴向应变响应机制分析

本文对温度和轴向应变对长周期光纤光栅和Bragg光纤光栅耦合波长的影响机制作出分析,通过有代表性的举例计算数值给出了各因素对耦合波长的影响,指出轴向应变对耦合波长的影响除了来自光弹性效应带来的光纤折射率的改变外,光纤半径的变化,特别是光栅周期的改变也起重要作用.对比分析找到了长周期光纤光栅与Bragg光纤光栅温度,应变响应系数数量级异同的原因.     

等高线图分析技术在GC／FTIR联用数据处理中的应用

在三种高聚物的裂解大口径毛细管气相色谱－傅里叶变换红外光谱联用分析（ＰｙＷＢＣＧＣ／ＦＴＩＲ）数据获得的基础上，介绍应用等高线图（ＣＴＤ）分析技术处理色谱重叠峰，并在该分析提供的信息指导下进行红外光谱累加及差减技术，获得了重叠峰中各纯物质较好信噪比的气相红外谱图并予以定性，显著了等高线图分析技术在联用数据中的优点，充分发挥了ＧＣ／ＦＴＩＲ联用特有的光谱分离离度优势。     

FORM INVARIANCE OF APPELL EQUATIONS

The form invariance of Appell equations of holonomic mechanical systems under the infinitesimal transformations of groups is studied. The definition and the criterion of the form invariance of Appell equations are given. This form invariance can lead to a conserved quantity under certain conditions.     

超新星遗迹和活动星系核10TeV γ射线发射的实验探索

利用羊八井一期阵列从1990年6月到1993年10月的数据,采用等天顶角方法估计背景,寻找包括蟹状星云在内的58个超新星遗迹和包括Mrk421和Mrk501在内的25个活动星系核的10TeVγ射线稳定直流超出.利用李-马的方法,计算了这些候选源直流超出的显著性,没有出现统计上有显著意义的直流超出.采用Kolmogorov-Smirnov检验法,对这些候选源的数据样本偏离标准正态分布的程度进行了检验,没有发现显著偏离标准正态分布.最后,给出了它们的流强上限.     

荧光法直接测定环境中邻羟基苯甲酸和苯酚混合物的含量

本文研究了用荧光分光度法测定环境水中苯酚和邻羟基苯甲酸的含量碘在ＰＨ〉１１时直接测定邻羟基苯甲酸的含量,波长为λｅｘ／λｅｍ＝２８９／３３８ｎｍ,检出 为３．４ｎｇ／ｍＬ,线性范围０－６．０μｇ／ｍＬ。在ＰＨ＝６,波长为λｅｘ／λｅｍ＝２７０／２９７ｎｍ测得苯酚含量,检出限为４．０ｎｇ／ｍＬ,线性范围在０－０．８５μｇ／ｍＬ,回收率为９８－１０１％,,结果满意。     

Doppler-broadening measurements of microvoids at the Au/GaAs interface

Recent positron lifetime studies made on the Au/GaAs interface with an applied electric field returning a significant fraction of bulk implanted positrons to the interface have revealed the presence of microvoids( 1 nm diameter) at the interface. In this work an attempt has been made to study these microvoids by observing the Doppler broadening on the annihilation radiation coming from them. This is done both by observing theS-parameter as a function of applied bias and by applying the generalized least-squares method to the deconvolution of the annihilation radiation lineshape. The general conclusion is that the Doppler-broadened data are consistent with the majority of positrons trapping into microvoids, probably associated with grain boundaries. The data suggest that these open volume defects are more associated with the Au film rather than the Au-Ga alloyed interfacial region.Paper presented at the 132nd WE-Heraeus-Seminar on Positron Studies of Semiconductor Defects, Halle, Germany, 29 August to 2 September 1994