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与传统网格法相比, 光滑粒子流体动力学方法不能直接施加壁面边界条件, 这就限制了该方法在工程中的应用.为此, 本文基于Galerkin加权余量法并结合传统排斥力方法, 推导出一种新的排斥力公式来施加壁面边界条件.该方法不含未知参数, 能在不减小边界粒子尺寸的情形下有效地防止流体粒子穿透壁面, 同时可避免邻近边界的流体粒子的速度及压力振荡. 分别通过静止液柱算例、液柱坍塌算例、容器中液体静止算例及溃坝算 例来验证本文方法的有效性, 并与传统边界处理方法进行对比, 结果表明: 本文方法克服了传统方法存在的缺陷, 是一种有效的固壁边界处理方法.
关键词:
光滑粒子流体动力学法
固壁边界
排斥力
加权余量法 相似文献
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利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)对MOCVD系统中生长在c面Al2O3上的不 同厚度的GaN薄膜内马赛克结构进行了研究. 在对称面的三轴X射线衍射曲线中, 用两种方法计算得到晶粒的垂直关联长度和水平关联长度, 两者均随着薄膜厚度的增加而增加, 并且垂直关联长度近似膜厚从倒易空间图中得出的横向关联长度也有相同的趋势, 结合非对称面的衍射曲线用Williamson-Hall方法和外推法分 别拟合出晶粒的面外倾斜角和面内扭转角, 他们随着薄膜厚度的增加显著减少, 这一切都表明厚度的增加, 晶粒的单向有序排列越来越整齐, 外延片的质量越来越高.
关键词:
GaN薄膜马赛克结构
厚度
HRXRD 相似文献
106.
The main goal of the present work is to examine the effect of graphene layers on the structural and dynamical properties of polymer systems. We study hybrid poly(methyl methacrylate) (PMMA)/graphene interfacial systems, through detailed atomistic molecular dynamics simulations. In order to characterize the interface, various properties related to density, structure and dynamics of polymer chains are calculated, as a function of the distance from the substrate. A series of different hybrid systems, with width ranging between 2.60 and 13.35 nm, are being modeled. In addition, we compare the properties of the macromolecular chains to the properties of the corresponding bulk system at the same temperature. We observe a strong effect of graphene layers on both structure and dynamics of the PMMA chains. Furthermore, the PMMA/graphene interface is characterized by different length scales, depending on the actual property we probe: density of PMMA polymer chains is larger than the bulk value, for polymer chains close to graphene layers up to distances of about 1.0–1.5 nm. Chain conformations are perturbed for distances up to about 2–3 radius of gyration from graphene. Segmental dynamics of PMMA is much slower close to the solid layers up to about 2–3 nm. Finally, terminal-chain dynamics is slower, compared to the bulk one, up to distances of about 5–7 radius of gyration. 相似文献
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108.
109.
研制了一台五通道ROSS-FILTER-PIN软X射线能谱仪,能谱范围为0.28—1.56keV.它由5个连续能段组成,每个能段的起止边由罗斯滤片对(ROSS-FILTERS)的L或K吸收边确定.罗斯滤片对的厚度通过优化计算得到,为了使每个通道的灵敏区外响应(即所测能段外响应)与通道总响应之比最小,在滤片对的第二滤片上镀上了一定厚度的第一滤片材料;为了缩减滤片表面积以增强低能滤片的抗冲击能力及方便滤片加工,能谱仪采用了小探测面积的PIN探测器(1mm2).借助此能谱仪,测量得到了喷气式Z箍缩(Z-pinch)等离子体辐射软X射线能谱的分布,并研究了软X射线产额随箍缩状况的变化趋势.
关键词:
Z箍缩等离子体
罗斯滤片
软X射线能谱 相似文献
110.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献