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111.
本文运用信息保存法对低速二维的流动现象进行模拟,考察了低速条件下的有限平板绕流以及微槽道气体流动问题。研究表明:在对低速流动的模拟过程中,运用IP法在能够获得较好的结果的同时,具有比DSMC方法更高的计算效率。 相似文献
112.
113.
本文对所合成的具有 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼的 3种新颖的有机 磷钼酸盐簇合物(NH3CH2 CH2 NH3) 2 5[(PO4 ) (HPO4 )Mo5O1 5]·7 5H2 O (Ⅰ ) ,(H3NCH2 CH2 NH3) 3·[(PO4 ) 2 Mo5O1 5]·3H2 O (Ⅱ )和(H3NCH2 CH2 NH3) 2 ·[Cu(en) ][(PO4 ) 2 Mo5O1 5]·5H2 O (Ⅲ )用FTIR ,NIR Raman ,紫外 可见漫反射光谱 (UV VisDRS)和荧光光谱等研究手段 ,对其进行光谱研究 ,探讨其结构和性能的关系。在这些化合物中 ,化合物Ⅰ和Ⅱ具有孤立的 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼基元 ,而化合物Ⅲ的 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼基元是由 [Cuen]基团桥联成链 ;磷钼酸盐的特征振动频率和这些化合物的结构相关 ;UV VisDRS显示 ,在 2 0 0和 2 6 0nm左右有两个杂多化合物的特征吸收谱带 ;化合物的稳态荧光光谱中 ,观察到以 2 4 0nm激发 ,在大约 4 0 0nm附近出现的由金属氧簇Oμ→Mo跃迁激发所引起的较强的发射峰 ,在化合物 (Ⅲ )中 ,还观察到通过 [Cuen]的荷移跃迁的以 5 70nm激发所产生的 6 0 4nm的发射峰。 相似文献
114.
通过文献分析,概述了认知心理学关于汉字识别过程及其加工机制研究的几种主要的加工模型,即经成分识别模型、多层次交互激活模型、连接主义模型、合体汉字字形识别模型和汉字识别的多层次格式塔双向加工模型. 相似文献
115.
116.
本文研究了三维Minkowski空间中直线汇的一些性质,特别是关于类时线汇的性质.讨论了线汇基本元素的存在性,并证明了关于三维Minkowski空间中类时线汇的配分参数的一个结果,推广了苏步青1927年的—个成果. 相似文献
117.
Based upon the spin wave theory, the influence of the size of a three-dimensional Heisenberg system on its thermodynamic properties was studied. It is found that the specific heat increases due to the finite size and free surface of the system. For a magnetic film with finite thickness, the interaction of spin waves was also discussed. There exist three additional scattering processes, namely, the scattering between spin waves with wave-vectors parallel to the surface of the film (two-dimensional spin wave), the scattering between two and three-dimensional waves, and the scattering between those waves with the same component in the direction along the thickness of the film. As a result, the T4 term, arising from the coupling of spin waves, in the expression of the specific heat of the system, splite into three parts proportional to T5/2,T7/2 and T4, respectively. Here T is the temperature. 相似文献
118.
119.
120.
Multiple-State Storage Capability of Stacked Chalcogenide Films (Si16Sb33Te51/Si4Sb45Te51/Si11Sb39Te50) for Phase Change Memory 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
The multiple-state storage capability of phase change memory (PCM) is confirmed by using stacked chalcogenide films as the storage medium. The current-voltage characteristics and the resistance-current characteristics of the PCM clearly indicate that four states can be stored in this stacked film structure. Qualitative analysis indicates that the multiple-state storage capability of this stacked film structure is due to successive crystallizations in different Si-Sb-Te layers triggered by different amplitude currents. 相似文献