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61.
用裂解气相色谱-质谱联用方法研究了橡胶产品中使用的增塑剂邻苯二甲酸二甲酯(DMP)在不同温度条件下的热裂解行为.对不同温度条件下裂解产物的分析表明,在初始阶段DMP的裂解产物主要为二氧化碳、苯、甲苯和苯甲酸甲酯.随着温度的升高苯甲酸甲酯进一步裂解成为分子质量更小的自由基,并发生稠环化反应形成更稳定的菲、蒽、间-联三苯、三亚苯等芳香族多环化合物.根据分析实验提供的裂解产物信息和有机物热裂解化学反应的原理对DMP的热裂解反应机理作了探讨,表明在废旧合成橡胶热裂解回收过程中,增塑剂DMP的高温裂解会产生多环芳烃污染物.应选择合适裂解工艺和裂解温度,以减少对环境的污染. 相似文献
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63.
We report on a new type of Fano effect, named as Andreev-Fano effect, in a hybrid normal-metal/supeeconductor (N/S) interferometer embedded with a quantum dot. Compared with the conventional Fano effect, AndreevFano effect has some new features related to the characteristics of Andreev reflection. In the Iinear response regime, the line shape is the square of the conventional Fano shape, while in the nonlinear transport, a sharp resonant structure is superposed on an expanded interference pattern, which is qualitatively different from the conventional Fano effect. The phase dependence of the hybrid N/S interferometer is also distinguished from those of all-N or all-S interferometers. 相似文献
64.
D—AKNS族的换位表示 总被引:4,自引:0,他引:4
本文根据曹策问教授的想法,求得了与D-AKNS族发展方程相联系的特征值之泛函梯度与Lenard算子对;并由此得到了D-AKNS族非线性发展方程的换位表示。文末还讨论了换位表示与定态D-AKNS方程之间的关系. 相似文献
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Baowei Qiao Jie Feng Yun Ling Ting’ao Tang Bomy Chen 《Applied Surface Science》2006,252(24):8404-8409
The effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 film are studied in detail. Electrical properties and thermal stability can be improved by doping small amount of Si in the Ge2Sb2Te5 film. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phase-transition temperature from face-centered cubic (fcc) phase to hexagonal (hex) phase, however, decreases the melting point slightly. The crystallization activation energy reaches a maximum at 4.1 at.% and then decreases with increasing dopant concentration. The electrical conduction activation energy increases with the dopant concentration, which may be attributed to the increase of strong covalent bonds in the film. The resistivity of Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460 °C annealing increases from 1 to 11 mΩ cm compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. Current-voltage (I-V) characteristics show Si doping may increase the dynamic resistance, which is helpful to writing current reduction of phase-change random access memory. 相似文献
70.
用三个关系式与Mathematica软件求第二类自然数幂和公式 总被引:1,自引:1,他引:0
首先介绍三个第二类自然数幂和关系式并对其中的两式给出证明,接着利用这些关系式与数学软件M athem atica4.0,给出求解第二类自然数幂和公式的若干机械计算方法. 相似文献