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991.
生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料,获得表面平整.光亮的In0.53Ga0.47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高,为了保证铟在固相中组分不变,必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时,外延层表面粗糙。生长温度在630℃与650℃之间,X射线双晶衍射曲线半高宽最窄,高于或低于这个温度区间,半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值,然后随着生长湿度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大,在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小。  相似文献   
992.
控轧控冷技术在钢铁中厚板材的应用已趋成熟,采用控轧控冷技术制备的中厚板材具有组织均匀、晶粒细小、机械性能高等优点.Bi-2223/Ag超导带材制备过程需经过多次反复的热处理和中间轧制过程,本文结合控轧控冷工艺特点,通过控制带材中间轧制制度和控制热处理冷却速度,研究了压下量和冷却条件对Bi-2223相变和其微观结构的影响,并借助SEM、XRD等方法对带材样品进行了观察,实验结果表明:合理的控轧控冷条件能够改善Bi-2223/Ag的微观结构并能够有效提高其电性能.这为控轧控冷技术在Bi-2223/Ag超导带材制备中的应用提供了初步理论依据,同时为形变热处理工艺提供了新的优化方向.  相似文献   
993.
Eu3+掺杂铌酸盐玻璃的光谱性质   总被引:6,自引:1,他引:5  
研究了Eu^3 掺杂铌磷与铌硅系列玻璃的发射光谱,声子边带谱及^5D0能级寿命,计算了样品的强度参数。随着Nb2O5浓度的增加,Eu-O键强增大,共价性增强,Eu^3 的局域环境对称性降低,电-声子耦合增强,^5D0能级的无辐射过程加快,寿命变短,温度猝灭加剧。研究了从77-690K铌磷与铌硅系列玻璃中Eu^3 离子在488nm激光激发下的变温荧光发射特性,求出了温度猝灭速率。分析了发光强度增强与减弱的原因,即热布居与无辐射过程随温度的变化关系,研究了谱线宽度与峰值位置随温度的变化关系。  相似文献   
994.
黄鳝DEAD-box家族PL10基因的克隆与序列分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过PCR克隆的方法,从黄鳝(Monopterus albus)中得到两个PL10基因的cDNA片段Mo PL10A和Mo PL10B,长度均为1.127kb,推测其编码375个氨基酸的蛋白片段.结合其他PL10类同源物序列,对这两条cDNA进行了分析和初步的功能推测.根据此片段的氨基酸序列构建的系统发育树与形态分类结果一致.在不同组织中的RT—PCR结果表明Mo PL10A和Mo PL10B的mRNA在各组织中的分布有差异.  相似文献   
995.
模糊全半序结构   总被引:3,自引:1,他引:2  
以Fodor公理为基础,给出一类重要的模糊偏好结构——模糊全半序结构的一个较为一般的定义,同时对其性质进行讨论。  相似文献   
996.
研究经典的Turan极图问题的一种变形.证明了ErdÖs,Jacobson和Lehel关于蕴含Pk可图序列的猜想是正确的.  相似文献   
997.
通过选择激发SBN晶体中处于不同晶场位的Eu3+离子,得到5D07F1的时间分辨荧光光谱,确定了不等价晶场位的离子间的能量转移速率。荧光峰随激发波数的变化表明局部晶场的连续畸变。 关键词:  相似文献   
998.
液膜气泡法测洗涤溶液的表面张力系数   总被引:1,自引:1,他引:0  
王小平  江键  宋茂海 《物理实验》2005,25(11):37-38,41
利用自制装置采用液膜气泡法测定了洗涤溶液的表面张力系数.由医用注射器充气形成球形液泡,通过与之连通的微压计测出液泡内外的压强差,运用杨氏-普拉斯方程计算出洗涤溶液的表面张力系数.  相似文献   
999.
1000.
宋怀玲 《应用数学》2005,18(4):610-618
研究了不可压缩油水两相渗透流驱动问题.在扩散矩阵仅是半正定的假设条件下,提出了迎风混合元方法.混合元方法近似压力方程,饱和度方程的对流项用Godunov迎风格式来处理,扩散项则用推广的混合元来逼进,并推导出格式的误差估计.此种格式的优越性表现在两个方面:首先是饱和度方程的扩散矩阵仅是半正定的;二是摒弃了特征格式所限制的周期性条件,更适用于实际问题.  相似文献   
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