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Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films deposited on Si(100)/SiO2 substrates by rf magnetron sputtering are investigated by a differential scanning calorimeter, x-ray diffraction and sheet resistance measurement. The crystallization temperatures of the 3.58 at.%, 6.92 at.% and 10.04 at.% Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films have decreases of 5.3, 6.1 and 0.9℃, respectively, which is beneficial to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase transition. Due to Sn-doping, the sheet resistance of crystalline Ge2Sb2Te5 thin films increases about 2-10 times, which may be useful to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase change. In addition, an obvious decreasing dispersibility for the sheet resistance of Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films in the crystalline state has been observed, which can play an important role in minimizing resistance difference for the phase-change memory cell element arrays. 相似文献
82.
两纠缠原子与相干态光场相互作用的动力学 总被引:6,自引:15,他引:6
采用时间演化算符和数值计算方法,研究了两全同二能级纠缠原子与相干态光场相互作用的动力学,结果表明:原子布居和偶极压缩特性与两原子体系纠缠度和相干态光场强度相关联. 相似文献
83.
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85.
86.
265Bh(Z=107)同位素的首次观测 总被引:1,自引:0,他引:1
在兰州的重离子加速器上用26Mg离子束轰击243Am靶,产生了新同位素265Bh.通过观测新同位素265Bh和它的已知子核261Db和257Lr之间的α衰变的关联,实现了对新核素的鉴别.实验中使用了一套新建立的具有数个探测器对的转轮收集探测系统.将该系统用于特殊的母–子核搜索模式,从而大大减少了本底.共测得了8个265Bh的α衰变关联事件;同时4个已知核264Bh的衰变关联事件也被鉴别出来.实验测得265Bh的α衰变能量为(9.24±0.05)MeV,半衰期为0.94+0.70–0.31s. 相似文献
87.
88.
荧光法测定香烟烟气中总的多环芳烃含量 总被引:5,自引:1,他引:5
有机溶剂萃取不同香烟烟气焦油中有机物 ,用荧光法分析了烟草的总体特征光谱 ,同时以多环芳烃菲作参比 ,定量分析了各种品牌香烟在去掉过滤嘴和保留过滤嘴条件下 ,烟气在溶剂中的多环芳烃含量 ,为卷烟品质、烟气中有害物质的评价提供了一种实用的测定方法 相似文献
89.
90.