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41.
用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件 总被引:1,自引:0,他引:1
在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化。器件模拟结果表明,高压NMOS器件源漏击穿电压为220 V;阈值电压和驱动能力分别为0.8 V和1×10-4A/μm。高压PMOS器件源漏击穿电压为-135 V;阈值电压和驱动能力分别为-9.7 V和1.8×10-4A/μm。高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础。 相似文献
42.
43.
Based on superconducting charge qubits (SCCQs) coupled to a single-mode microwave cavity, we propose a scheme for generating charge cluster states. For all SCCQs, the controlled gate voltages are all in their degeneracy points, the quantum information is encoded in two logic states of charge basis. The generation of the multi-qubit cluster state can be achieved step by step on a pair of nearest-neighbor qubits. Considering effective long-rang coupling, we provide an efficient way to one-step generating of a highly entangled cluster state, in which the qubit-qubit coupling is mediated by the cavity mode. Our quantum operations are insensitive to the initial state of the cavity mode by removing the influence of the cavity mode via the periodical evolution of the system. Thus, our operation may be against the decoherence from the cavity. 相似文献
44.
We propose a scheme for sharing an arbitrary unknown two-qubit state among three parties by using a four-qubit cluster-class state and a Bell state as a quantum channel. With a quantum controlled phase gate (QCPG) operation and a local unitaryoperation, any one of the two agents has the access to reconstruct the original state if he/she collaborates with the other one, whilst individual agent obtains no information. As all quantum resource can be used to carry the useful information, the intrinsic efficiency of qubits approaches the maximal value. Moreover, the present scheme is more feasible with present-day technique. 相似文献
45.
提出了一种模拟随机微分方程的拟局部振荡算法,即利用算符劈裂方法和势函数的泰勒展开,对噪声作用下耗散粒子的时间演化算符进行分解,得到了对应涨落行为的扩散算符和对应确定轨迹的漂移算符.其中局部简谐势场的涨落过程可获得解析解,而剩余的确定项则利用简单的Euler算法积分.应用到几个算例并与常用的两种算法相比较,结果表明:本算法随时间步长最稳定,可使用较大的时间步长. 相似文献
46.
利用幅值约220 kV、脉宽约4 ns的高压纳秒脉冲源,对高压氮气亚纳秒气体开关放电特性进行了实验研究。实验结果表明:当气压在3~10 MPa间变化,间隔距离在0.6~1.2 mm间变化时,氮气间隙击穿电压随气压和间隙距离的增大而增大,并随气压的增大略呈饱和趋势,最高击穿电场约为2 MV/cm。开关输出电压波形的上升时间变化范围为145~190 ps,该上升时间随气压、击穿电场以及间隙距离增大而减小。 相似文献
48.
H. M. Noor ul Huda Khan Asghar Yi Tan Shuang Shi Dachuan Jiang Shiqiang Qin Jiao Liao Shutao Wen Wei Dong Yao Liu 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2014,115(3):753-757
Small amounts of multicrystalline silicon were melted in an electron beam furnace in different experimental conditions in order to investigate the oxygen evaporation behavior during the electron beam melting (EBM) process. The oxygen content level before and after EBM was determined by secondary ion mass spectroscopy. The oxygen content was reduced from 6.177 to 1.629 ppmw when silicon was melted completely at 15 kW with removal efficiency up to 73.6 %. After that, it decreased continually to <0.0517 ppmw when the refining time exceeded 600 s with a removal efficiency of more than 99.08 %. During the melting process, the evaporation rate of silicon is 1.10 × 10?5 kg/s. The loss of silicon could be reduced up to 1.7 % during oxygen removal process to a desirable figure, indicating EBM is an effective method to remove oxygen from silicon and decrease the loss of silicon. 相似文献
49.
进行了基于光纤预啁啾和自相位调制的多模/单模组合式全光纤啁啾谱压缩研究.提出利用多模光纤模式估计群速度色散均值的方法,并将该估计值作为啁啾参量分析的计算参数,仿真计算了50/125μm折射率渐变多模光纤的群速度色散均值及其与单模光纤在不同长度比值下的光谱压缩效果.采用三种折射率渐变多模光纤进行实验,对比分析了折射率渐变多模光纤的芯径大小及其与单模光纤的长度比值对光谱压缩效果的影响.实验结果表明使用50/125μm折射率渐变多模光纤获得光谱最大压缩比为5.796,谱宽为2.243 nm,与理论仿真一致;使用105/125μm折射率渐变多模光纤,可进一步提高压缩比至152.941,输出谱宽为0.085 nm的光脉冲.将此脉冲用于相干反斯托克斯拉曼散射光谱探测,理论光谱分辨率可达1.386 cm~(-1). 相似文献
50.