全文获取类型
收费全文 | 5737篇 |
免费 | 1011篇 |
国内免费 | 2338篇 |
专业分类
化学 | 4443篇 |
晶体学 | 319篇 |
力学 | 410篇 |
综合类 | 160篇 |
数学 | 864篇 |
物理学 | 2890篇 |
出版年
2024年 | 12篇 |
2023年 | 71篇 |
2022年 | 235篇 |
2021年 | 189篇 |
2020年 | 193篇 |
2019年 | 231篇 |
2018年 | 199篇 |
2017年 | 313篇 |
2016年 | 228篇 |
2015年 | 315篇 |
2014年 | 369篇 |
2013年 | 488篇 |
2012年 | 441篇 |
2011年 | 527篇 |
2010年 | 513篇 |
2009年 | 521篇 |
2008年 | 633篇 |
2007年 | 547篇 |
2006年 | 554篇 |
2005年 | 468篇 |
2004年 | 353篇 |
2003年 | 246篇 |
2002年 | 218篇 |
2001年 | 238篇 |
2000年 | 231篇 |
1999年 | 128篇 |
1998年 | 71篇 |
1997年 | 49篇 |
1996年 | 59篇 |
1995年 | 65篇 |
1994年 | 48篇 |
1993年 | 47篇 |
1992年 | 53篇 |
1991年 | 38篇 |
1990年 | 31篇 |
1989年 | 26篇 |
1988年 | 21篇 |
1987年 | 21篇 |
1986年 | 17篇 |
1985年 | 9篇 |
1984年 | 14篇 |
1983年 | 12篇 |
1982年 | 14篇 |
1981年 | 8篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 5篇 |
1971年 | 4篇 |
1960年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1936年 | 1篇 |
排序方式: 共有9086条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
SU-8光胶因具有良好的光刻性能,并可获得稳定的高深宽比而在微加工领域得到了广泛的应用。众多研究采用不同的光源对其进行了多种光刻研究,本文应用355nm激光对SU-8胶进行曝光,分别采用XPS谱和FT-IR谱分析了SU-8胶与激光相互作用过程中,355nm激光对SU-8胶的作用以及反应前后主要成分含量、分子结构的变化,初步探讨了SU-8胶中激光曝光能量与透入深度的关系。 相似文献
32.
33.
均一球形PDP用荧光粉(Y,Gd)BO3:Eu的合成 总被引:3,自引:0,他引:3
利用共沉淀法通过控制稀土离子浓度、沉淀温度等得到稀土氧化物前驱体沉淀,再将其和H3BO3按化学计量比混合煅烧制备出了平均粒径在0.5~1.0μm的球形、粒径分布较小和无团聚的(Y,Gd)BO3:Eu荧光粉,其性能在一些方面优于商用荧光粉。利用X射线衍射、SEN、粒度分析仪和PL光谱进行表征。研究了不同的煅烧温度对荧光粉性能的影响,结果发现用本实验方法在800℃煅烧即可得到纯相的(Y,Gd)BO3:Eu。而传统固相合成纯相的(Y,Gd)BO3:Eu反应温度高达1200℃。因本方法工艺较易控制,适于在工业生产上推广。 相似文献
34.
用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件 总被引:1,自引:0,他引:1
在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化。器件模拟结果表明,高压NMOS器件源漏击穿电压为220 V;阈值电压和驱动能力分别为0.8 V和1×10-4A/μm。高压PMOS器件源漏击穿电压为-135 V;阈值电压和驱动能力分别为-9.7 V和1.8×10-4A/μm。高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础。 相似文献
35.
36.
Based on superconducting charge qubits (SCCQs) coupled to a single-mode microwave cavity, we propose a scheme for generating charge cluster states. For all SCCQs, the controlled gate voltages are all in their degeneracy points, the quantum information is encoded in two logic states of charge basis. The generation of the multi-qubit cluster state can be achieved step by step on a pair of nearest-neighbor qubits. Considering effective long-rang coupling, we provide an efficient way to one-step generating of a highly entangled cluster state, in which the qubit-qubit coupling is mediated by the cavity mode. Our quantum operations are insensitive to the initial state of the cavity mode by removing the influence of the cavity mode via the periodical evolution of the system. Thus, our operation may be against the decoherence from the cavity. 相似文献
37.
We propose a scheme for sharing an arbitrary unknown two-qubit state among three parties by using a four-qubit cluster-class state and a Bell state as a quantum channel. With a quantum controlled phase gate (QCPG) operation and a local unitaryoperation, any one of the two agents has the access to reconstruct the original state if he/she collaborates with the other one, whilst individual agent obtains no information. As all quantum resource can be used to carry the useful information, the intrinsic efficiency of qubits approaches the maximal value. Moreover, the present scheme is more feasible with present-day technique. 相似文献
38.
提出了一种模拟随机微分方程的拟局部振荡算法,即利用算符劈裂方法和势函数的泰勒展开,对噪声作用下耗散粒子的时间演化算符进行分解,得到了对应涨落行为的扩散算符和对应确定轨迹的漂移算符.其中局部简谐势场的涨落过程可获得解析解,而剩余的确定项则利用简单的Euler算法积分.应用到几个算例并与常用的两种算法相比较,结果表明:本算法随时间步长最稳定,可使用较大的时间步长. 相似文献
39.
利用幅值约220 kV、脉宽约4 ns的高压纳秒脉冲源,对高压氮气亚纳秒气体开关放电特性进行了实验研究。实验结果表明:当气压在3~10 MPa间变化,间隔距离在0.6~1.2 mm间变化时,氮气间隙击穿电压随气压和间隙距离的增大而增大,并随气压的增大略呈饱和趋势,最高击穿电场约为2 MV/cm。开关输出电压波形的上升时间变化范围为145~190 ps,该上升时间随气压、击穿电场以及间隙距离增大而减小。 相似文献
40.