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91.
为了调查温州河网沉积物中重金属的分布特征与污染程度,共采集了29个样,用AFS-9230原子荧光光度计和ICP-OES全谱直读电感耦合等离子发射光谱法测定样品中重金属元素含量,克里格插值图反映重金属元素的空间分布,根据内梅罗指数法建立综合地累积指数进行污染评价,利用Pearson系数法,主成分分析法进行源分析。结果表明:在不同样点重金属含量差异明显,其中Cd和Zn含量最高点为主河道城市与工业集中区,As,Pb,Hg,Cu,Ni,Cr含量最高点为机械工业园区,沉积物受到Hg,Cd,Cu,Zn,Ni和Cr污染,区域污染程度机械工业园>主河道城市区>三垟湿地区>城市周边区>水源地区,Hg,Cd,Cu,Zn,Ni和Cr具有相似的源,且以人为源为主。 相似文献
92.
可调谐半导体激光吸收光谱技术(TDLAS)利用激光器的窄线宽和波长调谐特性,使其扫描被测气体的单个吸收峰,实现痕量气体的高分辨率、高灵敏度快速检测。通过分析近红外波段的乙烯吸收谱线特性,选取1 626.8 nm附近的吸收峰作为检测谱线,研制了基于white池结构的TDLAS检测系统,结合波长调制和二次谐波检测,对体积分数为20~1 200 ppmv的乙烯气体进行了测量,推算该系统的检测下限约为10 ppmv。 相似文献
93.
建立萸连胃漂浮缓释片的质量标准.采用TLC对制剂中的黄连和吴茱萸进行定性鉴别;采用HPLC测定制剂中盐酸小檗碱和吴茱萸次碱的含量.黄连和吴茱萸薄层图谱斑点清晰,分离效果好,专属性强,阴性对照无干扰;盐酸小檗碱在0.138-1.380μg呈良好的线性关系,r=0.9999,平均加样回收率为99.84%,RSD为1.29%;吴茱萸次碱在0.150-1.500μg呈良好的线性关系,r=0.9999,平均加样回收率为100.19%,RSD为1.10%.建立的定性、定量方法简单、重复性好,结果准确可靠,可作为萸连胃漂浮缓释片的质量控制方法. 相似文献
94.
利用高分辨X射线衍射(HRXRD)与拉曼散射光谱(Raman scattering spectra)研究了氮化处理与低温AlN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)在r面蓝宝石衬底上外延的a面GaN薄膜中的残余应变的影响。实验结果表明:与氮化处理后生长的a-GaN相比,使用低温AlN缓冲层后生长的a-GaN具有较小的摇摆曲线的半高宽和较低的残余应变,而且其结构各向异性和残余应变各向异性也均有一定程度的降低。因此,与氮化处理相比,低温AlN缓冲层更有利于a-GaN的生长。 相似文献
95.
采用基于密度泛函理论的第-性原理方法,研究Mn掺杂ZnS(110)表面的电子结构和磁性.计算分析不同掺杂组态的几何参数、形成能、磁矩、电子态密度以及电荷密度.结果表明:单个Mn原子掺杂,替位于表面第二层的Zn原子时体系形成能最低,说明该层是最稳定的掺杂位置.对于两个Mn原子的掺杂,当Mn与Mn之间呈反铁磁耦合时体系最稳定.体系的总磁矩和自由Mn原子的磁矩差别很小,但是Mn原子的局域磁矩却依赖于Mn原子的3d态和近邻S原子的3p态的杂化作用,即受周围S原子环境的变化影响较大.此外,分析电荷密度图得出Mn原子替换Zn原子后与S原子形成了更强的共价键. 相似文献
96.
Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films deposited on Si(100)/SiO2 substrates by rf magnetron sputtering are investigated by a differential scanning calorimeter, x-ray diffraction and sheet resistance measurement. The crystallization temperatures of the 3.58 at.%, 6.92 at.% and 10.04 at.% Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films have decreases of 5.3, 6.1 and 0.9℃, respectively, which is beneficial to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase transition. Due to Sn-doping, the sheet resistance of crystalline Ge2Sb2Te5 thin films increases about 2-10 times, which may be useful to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase change. In addition, an obvious decreasing dispersibility for the sheet resistance of Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films in the crystalline state has been observed, which can play an important role in minimizing resistance difference for the phase-change memory cell element arrays. 相似文献
97.
两纠缠原子与相干态光场相互作用的动力学 总被引:6,自引:15,他引:6
采用时间演化算符和数值计算方法,研究了两全同二能级纠缠原子与相干态光场相互作用的动力学,结果表明:原子布居和偶极压缩特性与两原子体系纠缠度和相干态光场强度相关联. 相似文献
98.
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