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121.
We propose a minimum mean absolute error linear interpolator (MMAELI), based on theL
1 approach. A linear functional of the observed time series due to non-normal innovations is derived. The solution equation
for the coefficients of this linear functional is established in terms of the innovation series. It is found that information
implied in the innovation series is useful for the interpolation of missing values. The MMAELIs of the AR(1) model with innovations
following mixed normal andt distributions are studied in detail. The MMAELI also approximates the minimum mean squared error linear interpolator (MMSELI)
well in mean squared error but outperforms the MMSELI in mean absolute error. An application to a real series is presented.
Extensions to the general ARMA model and other time series models are discussed.
This research was supported by a CityU Research Grant and Natural Science Foundation of China. 相似文献
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124.
Gwang Hui Kim 《Journal of Mathematical Analysis and Applications》2004,299(2):375-391
In this paper we investigate a generalization of the Hyers-Ulam-Rassias stability for a functional equation of the form f(φ(X))=?(X)f(X)+ψ(X) and the stability in the sense of Ger for the functional equation of the form f(φ(X))=?(X)f(X), where X lie in n-variables. As a consequence, we obtain a stability result in the sense of Hyers-Ulam-Rassias, Gǎvruta, and Ger for some well-known equations such as the gamma, beta, and G-function type's equations. 相似文献
125.
LI Na ZHAO Degang & YANG Hui State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing China 《中国科学G辑(英文版)》2004,47(6):694-701
Because of their large band-gap, large high-field electron velocity, large breakdownfield, and large thermal conductivity, GaN and its heterojunction with AlGaN and InGaNhave foreseeable potential in the applications of high-power/temperature electronics, andoptoelectronic devices operative in UV and visible wavelength. Polarization inducedelectric field can reach the magnitude of ~MV/cm[1,2]. For AlGaN/GaN based FETs theconcentration of sheet carrier induced by polarization in the cha… 相似文献
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130.
利用2~8 MeV的Naq+、Clq+(q=2,3,4,5)轰击氦原子,对碰撞的直接多重电离过程进行研究.实验采用反冲离子-散射离子飞行时间符合技术,通过反冲离子飞行时间谱区分不同价态反冲离子;利用静电偏转和位置灵敏探测技术区分不同电荷态散射离子;结合CAMAC-PC多参数获取系统得到一定价态散射离子所对应的反冲离子电荷态分布谱;经分析该谱得到直接多重电离截面与直接单电离截面之比R21.讨论了R21随入射离子速度和电荷态的变化关系. 相似文献