全文获取类型
收费全文 | 180959篇 |
免费 | 38162篇 |
国内免费 | 31174篇 |
专业分类
化学 | 122836篇 |
晶体学 | 2573篇 |
力学 | 11269篇 |
综合类 | 1194篇 |
数学 | 23527篇 |
物理学 | 88896篇 |
出版年
2024年 | 595篇 |
2023年 | 2628篇 |
2022年 | 4013篇 |
2021年 | 4415篇 |
2020年 | 5115篇 |
2019年 | 5337篇 |
2018年 | 4992篇 |
2017年 | 5410篇 |
2016年 | 6956篇 |
2015年 | 7194篇 |
2014年 | 8266篇 |
2013年 | 11788篇 |
2012年 | 13510篇 |
2011年 | 15335篇 |
2010年 | 16039篇 |
2009年 | 16078篇 |
2008年 | 10580篇 |
2007年 | 9371篇 |
2006年 | 8742篇 |
2005年 | 7935篇 |
2004年 | 7546篇 |
2003年 | 6010篇 |
2002年 | 5598篇 |
2001年 | 5617篇 |
2000年 | 4637篇 |
1999年 | 4724篇 |
1998年 | 3810篇 |
1997年 | 3445篇 |
1996年 | 3753篇 |
1995年 | 3988篇 |
1994年 | 3943篇 |
1993年 | 3758篇 |
1992年 | 3323篇 |
1991年 | 2823篇 |
1990年 | 2383篇 |
1989年 | 2353篇 |
1988年 | 2197篇 |
1987年 | 1479篇 |
1986年 | 1532篇 |
1985年 | 1111篇 |
1984年 | 1177篇 |
1983年 | 523篇 |
1982年 | 1016篇 |
1981年 | 820篇 |
1980年 | 830篇 |
1979年 | 565篇 |
1978年 | 554篇 |
1977年 | 653篇 |
1976年 | 1065篇 |
1972年 | 537篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
211.
The object of this note is to prove the followingTheorem Let{a_n}and{b_n}be sequences of real numbers such that0<∑∑a_n~2<+∞and0<∑b_n~2<+∞.Then we have the inequalitysum from m=1 to∞sum from n=1 to∞a_mb_n/m+n<{sum from n=1 to∞(π-θ/n~(1/2)a_n~2}~1/2{sum from n=1 to∞(π-θ/n~(1/2)b_n~2}~1/2 (1)whereθ=3/2~(1/2)-1=1.121320343. 相似文献
212.
Li Boyu 《数学学报(英文版)》1991,7(3):247-251
H. Crapo raised in 1982 the following problem: IfP is a complete lattice, is Retr (P) a complete lattice? here Retr (P) denotes the set of all retraction operators onP with the pointwise order, that is,f≤g in Retr (P) ifff(x)≤g(x) for everyx inP. An affirmative answer will be given in the present paper. 相似文献
213.
214.
Zi-Cai Li 《Numerical Methods for Partial Differential Equations》1989,5(4):279-295
The nonconforming combination of Ritz-Galerkin and finite difference methods is presented for solving elliptic boundary value problems with singularities. The Ritz-Galerkin method is used in the subdomains including singularities, the finite difference method is used in the rest of the solution domain. Moreover, on the common boundary of two regions where two different methods are used, the continuity conditions are constrained only on the nodes of difference grids. Theoretical analysis and numerical experiments have shown that average errors of numerical solutions and their generalized derivatives can reach the convergence rate O(h2-δ), where h is the mesh spacing of uniform difference grids, and δ is an arbitrarily small, positive number. This convergence rate is better than O(h), obtained by the nonconforming combination of the Ritz-Galerkin and finite element methods. 相似文献
215.
LI Yu-qiong SUN Zhen-rong ZHANG Shi-an YANG Xi-hua WANG Zu-geng. Key Laboratory of Optical Magnetic Resonance Spectroscopy 《光谱学与光谱分析》2006,26(8):1395-1395
The authors achieved the temporal coherent control in an Er^3+ doped telluride glass, one kind of disordered solids. The upconversion at 670 nm was modulated and the dephasing time was simulated as 300 fs. Moreover, the photon echo signal gave the dephasing time due to the phonon interaction. The agreement between the two data indicates that the interaction between the wavepacket and the phonon leads to the fast disappearance of wavepackets interference, which is helpful for the tech- nique to be applied to the disordered solids. 相似文献
216.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
217.
应用不可约张量理论构造了三角对称晶场中3d2/3d8态离子的45阶可完全对角化的微扰哈密顿矩阵,研究了CsNiCl3晶体的光谱精细结构、晶体结构、零场分裂参量、Jahn-Telller效应以及自旋单重态对Ni2+离子基态能级的影响,理论与实验相符合.在此基础上,进一步研究了以前工作中被忽略的自旋-自旋耦合作用和Trees修正对CsNiCl3晶体的光谱精细结构和零场分裂参量的影响,发现有四种机理会影响零场分裂参量:1)自旋-轨道耦合机理,2)自旋-自旋耦合机理;3)自旋-轨道与自旋-自旋联合耦合机理;4)自旋-轨道与Trees修正联合耦合机理,其中自旋-轨道耦合机理是最主要的,其他三种机理也是不可忽略的.
关键词:
基态能级
精细结构
零场分裂
自旋-自旋耦合 相似文献
218.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001)
has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM
images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110)
rotated by an angle of 120℃.
The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated
RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the
Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110)
thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation
of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110). 相似文献
219.
用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米多层薄膜.利用透射电子显微镜以及吸收光谱对Au/SiO2复合薄膜的微观结构、表面形貌及光学性能进行了表征和测试.研究结果表明:单层Au/SiO2薄膜中Au沉积时间小于10s时,分散在SiO2中的Au颗粒随Au的沉积时间的延长而增大;当沉积时间超过10s后,Au颗粒的尺寸几乎不随沉积时间变化,但Au颗粒的形状由网络状结构变为薄膜状结构.[Au(t1)SiO2(600)]×5多层薄膜在540-560nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,且吸收峰的强度随Au的沉积时间增加而增强.基于修正后的Maxwell-Garnett (M-G)有效媒质理论,讨论了金属颗粒的形状对等离子共振吸收峰的峰位和强度的影响.模拟的吸收光谱与实验吸收光谱形状、趋势及吸收峰位相符合. 相似文献
220.
通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱,研究了制备ZnO薄膜的沉积温度、氧气流量比例R=O2/(O2+Ar)对Zn和O原子发射光谱的影响,并结合ZnO薄膜的结构和物理性能,探讨了沉积温度在ZnO薄膜生长中的作用.研究结果显示:当R≥0.75%时, Zn的溅射产额随R的增加基本呈线性下降规律.当R介于10%—50%时,氧含量的变化相对平缓,有利于ZnO薄膜生长的稳定性控制.Zn原子发射光谱强度随沉积温度的变化可以分为三个阶段.当沉积温度低于250℃时,发射光谱强
关键词:
ZnO
薄膜生长
反应磁控溅射
等离子体发射光谱 相似文献